半导体装置结构制造方法及图纸

提供半导体装置的结构和形成方法。半导体装置结构包含半导体基底和在半导体基底上的第一介电层。半导体装置结构也包含在第一介电层中的导电部件和在第一介电层上的第二介电层。半导体装置结构还包含电性连接至导电部件的电阻元件。电阻元件的第一部分在第二介电层上，且电阻元件的第二部分往导电部件延伸。

Semiconductor Device Structure

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构
本公开实施例是关于半导体装置结构，特别是有关于具有电阻元件的半导体装置结构。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业已经历快速成长。集成电路的材料和设计上的技术发展已经生产好几世代的集成电路。每一世代都具有比前一世代更小和更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，当几何尺寸(亦即，使用制造工艺可以产生的最小元件(或线路))减小的同时，功能密度(亦即，每芯片面积的互连装置的数量)通常也增加。这个尺寸缩减工艺通常通过增加生产效率和降低相关成本而提供许多好处。然而，这些发展已增加工艺和制造集成电路的复杂度。由于部件尺寸持续缩小，制造工艺持续变得更难以执行。因此，在越来越小的尺寸中形成可靠的半导体装置是项挑战。
技术实现思路
根据一些实施例，提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包含半导体基底和在半导体基底上的第一介电层。半导体装置结构也包含在第一介电层中的导电部件和在第一介电层上的第二介电层。半导体装置结构还包含电性连接至导电部件的电阻元件。电阻元件的第一部分在第二介电层上，且电阻元件的第二部分往导电部件延伸。根据一些实施例，提供一种半导体装置结构的形成方法。本方法包含形成介电层于半导体基底上，且形成导线于介电层中。本方法也包含形成蚀刻停止层于介电层和导线上。本方法还包含图案化蚀刻停止层，以形成接触开口，露出导线的一部分。此外，本方法包含形成电阻层于蚀刻停止层上，且电阻层延伸进入接触开口。本方法亦包含图案化电阻层，以形成电阻元件。根据一些实施例，提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包含半导体基底和在半导体基底上的导电部件。半导体装置结构也包含在半导体基底上且围绕导电部件的介电层。半导体装置结构还包含在介电层上的第二介电层。此外，半导体装置结构包含在第二介电层上的电阻元件。电阻元件穿过第二介电层且电性连接至导电部件。附图说明通过以下的详细描述配合所附附图，可以更加理解本公开实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。图1A至图1I是根据一些实施例的半导体装置结构的形成工艺的各个阶段的剖面图。图2是根据一些实施例的半导体装置结构的俯视图。图3是根据一些实施例的半导体装置结构的剖面图。图4是根据一些实施例的半导体装置结构的剖面图。图5是根据一些实施例的半导体装置结构的剖面图。图6是根据一些实施例的半导体装置结构的剖面图。图7A至图7F是根据一些实施例的半导体装置结构的形成工艺的各个阶段的剖面图。图8A至图8C是根据一些实施例的半导体装置结构的形成工艺的各个阶段的俯视图。图9是根据一些实施例的半导体装置结构的俯视图。图10是根据一些实施例的半导体装置结构的剖面图。图11是根据一些实施例的半导体装置结构的剖面图。附图标记说明：100、600半导体基底；102、104、122、602、706介电层；106T、123T、710A、710B沟槽；106V、123V、708A、708A’、708B、708B’介层孔；108、108’、712阻挡层；110导电材料；112L、112L’、124L’、716A、716B导线；112V、124V’、714A、714B导孔；114、702、704蚀刻停止层；116掩模元件；117开口；118A、118B接触开口；120、320、420、520、620电阻元件；124L导线；126阻挡层；L1、L2长度；T1、T2厚度；601装置元件；619电阻层；630钝化层；632导电垫；634导电块；636保护层；M0、M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8导线；MZ顶导线；VD导电接触件；V0、V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7导孔。具体实施方式以下内容提供了很多不同的实施例或范例，用于实施本公开实施例的不同部件。组件和配置的具体范例描述如下，以简化本公开实施例。当然，这些仅仅是范例，并非用以限定本公开实施例。举例来说，叙述中若提及第一部件形成于第二部件之上，可能包含第一和第二部件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成于第一和第二部件之间，使得第一和第二部件不直接接触的实施例。另外，本公开实施例可能在许多范例中重复元件符号和/或字母。这些重复是为了简化和清楚的目的，其本身并非代表所讨论各种实施例和/或配置之间有特定的关系。再者，此处可能使用空间上的相对用语，例如“在……之下”、“在……下方”、“下方的”、“在……上方”、“上方的”和其他类似的用语可用于此，以便描述如图所示的一元件或部件与其他元件或部件之间的关系。此空间上的相关用语除了包含附图示出的方位外，也包含使用或操作中的装置的不同方位。当装置被转至其他方位时(旋转90度或其他方位)，则在此所使用的空间相对描述可同样依旋转后的方位来解读。描述本公开的一些实施例。可在这些实施例中所描述的阶段之前、期间和/或之后，提供额外的操作。对于不同的实施例，可取代或删除所述阶段中的一些。可添加额外的部件至半导体装置结构。对于不同的实施例，可取代或删除下文所述部件中的一些。虽然以执行特定顺序的操作，讨论一些实施例，但可用另一合理的顺序执行这些操作。图1A至图1I是根据一些实施例的半导体装置结构的形成工艺的各个阶段的剖面图。如图1A所示，接收或提供半导体基底100。在一些实施例中，半导体基底100为整块半导体(bulksemiconductor)基底，例如半导体晶片。举例而言，半导体基底100包含硅或其它元素半导体材料，例如锗。在另一些实施例中，半导体基底100包含化合物半导体。化合物半导体可包含碳化硅、砷化镓、砷化铟、磷化铟、另一合适的化合物半导体或前述的组合。在一些实施例中，半导体基底100包含绝缘体上的半导体(semiconductor-on-insulator，SOI)基底。可使用氧注入分隔(separationbyimplantationofoxygen，SIMOX)工艺、晶片接合工艺、另一适用的方法或前述的组合，制造绝缘体上的半导体基底。在一些实施例中，在半导体基底100中形成隔离部件(未示出)，以定义且隔开在半导体基底100中形成的各个装置元件(未示出)。隔离部件包含例如，浅沟槽隔离(shallowtrenchisolation，STI)部件或局部硅氧化(localoxidationofsilicon，LOCOS)部件。在一些实施例中，在半导体基底100中和/或上形成各种装置元件。可在半导体基底100中形成的各种装置元件的范例包含晶体管(例如金属氧化物半导体场效晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)、互补式金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，CMOS)晶体管、双极接面晶体管(bipolarjunctiontransistors，BJT)、高压晶体管、高频晶体管、P沟道和/或N沟道场效晶体管(PFET/NFET)等等)、二极管、另一合适的元件或前述的组合。执行各种工艺，例如沉积、蚀刻、注入、光刻、退火、平坦化、一或更多其它适用的工艺或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置结构，包括：一半导体基底；一第一介电层，在该半导体基底上；一导电部件，在该第一介电层中；一第二介电层，在该第一介电层上；以及一电阻元件，电性连接至该导电部件，其中该电阻元件的一第一部分在该第二介电层上，且该电阻元件的一第二部分往该导电部件延伸。

【技术特征摘要】
2017.11.09 US 62/583,753;2018.01.09 US 15/865,8451.一种半导体装置结构，包括：一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文社，薛琇文，陈郁翔，陈启平，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71