用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构制造技术

本发明专利技术涉及矫正技术领域，具体涉及一种用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构，包括：气道层，气道层的上表面形成有用于承载塑封平板的承载区，承载区为平面设置，还包括设置于承载区下方的第一流道；加热层，设置于气道层下方，加热层设置有形成加热区的加热结构，加热区与承载区对应设置，且加热结构与第一流道交错分布，以使塑封平板受热均匀。其中矫正装置包括：承载结构，还包括设置于承载结构上方的压制平台，压制平台沿垂直于所述承载区方向往复移动，用于对下方的塑封平板施加压力。本发明专利技术的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构对塑封平板的加热较为均匀、矫正后的塑封平板的平整化程度较高。

【技术实现步骤摘要】
用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构
本专利技术涉及集成电路先进封装
，具体涉及一种用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构。
技术介绍
由于芯片、塑封原料、填充材料在热膨胀系数、弹性模量等物理性能上的差异，塑封后的大尺寸平板在冷却到室温时，几乎都遇到平板翘曲的问题，翘曲的程度与平板的尺寸大小、材料种类、塑封工艺等密切相关。塑封平板的尺寸越大，翘曲往往会越大。然而后续的工艺流程对平板表面平整度有严格的要求，所以，矫正大尺寸塑封平板是后续高质量工艺必不可少的步骤。在矫正大尺寸塑封平板翘曲的仪器里，关键的装置是承载大尺寸塑封平板的载物台：卡盘(承载结构)。卡盘的材料表面质量、精确温度控制及其优越的导热功能是获得平整塑封平板的关键装置。通常加热装置对卡盘进行加热，然后使塑封平板获得热量，进而使塑封材料发生热塑性变形，完成应力集中部分的应力释放，最终使塑封平板趋向平整化，但是现有技术中的卡盘对塑封平板加热时仍会出现加热不均匀、塑封平板在矫正后平整化程度较低等问题。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中卡盘对翘曲的包含集成电路芯片的塑封平板进行矫正时加热不均匀、塑封平板在矫正后平整化程度较低等技术缺陷，从而提供一种在矫正时对包含集成电路芯片的塑封平板加热较为均匀、矫正后的塑封平板的平整化程度较高的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术提供了一种用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构，包括：气道层，所述气道层的上表面形成有用于承载所述塑封平板的承载区，所述承载区为平面设置，还包括设置于所述承载区下方的第一流道；加热层，设置于所述气道层下方，所述加热层设置有形成加热区的加热结构，所述加热区与所述承载区对应设置，且所述加热结构与所述第一流道交错分布，以使所述塑封平板受热均匀。上述用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述第一流道与所述承载区连通设置。上述用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述加热区包括与所述承载区周缘对应设置的第一加热区以及与所述承载区内部对应设置且位于所述第一加热区内的若干均匀排布的第二加热区，所述第一加热区和所述第二加热区相互独立设置。上述用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述第二加热区的数量为四个，四个所述第二加热区均匀分布在所述第一加热区内的四个象限里。上述用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述加热结构包括设置于所述第一加热区内大致呈方形排布的第一电阻丝以及设置于四个所述第二加热区内且分别呈凹字型排布的第二电阻丝。上述用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述第一加热区以及四个所述第二加热区分别连接至少一个温度控制系统。上述用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述第一加热区远离电源的一端以及四个所述第二加热区的中心部位均设置有温度计量仪。上述用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述第一流道包括若干直线流道和若干弧形流道，若干所述直线流道平行排布，相邻两个所述直线流道的首尾通过弧形流道连通，所述第一流道的两端分别与惰性气体进口和真空系统相连。上述用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，还包括设置于所述加热层下方且与所述承载区对应设置用于所述塑封平板冷却的冷却层。上述用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述冷却层设置有用于冷却水流通的第二流道，所述第二流道的进口和出口分别延伸至所述承载结构外缘。本专利技术技术方案，具有如下优点：1.本专利技术提供的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构，包括：气道层，所述气道层的上表面形成有用于承载所述塑封平板的承载区，所述承载区为平面设置，还包括设置于所述承载区下方的第一流道；加热层，设置于所述气道层下方，所述加热层设置有形成加热区的加热结构，所述加热区与所述承载区对应设置，且所述加热结构与所述第一流道交错分布，以使所述塑封平板受热均匀。在塑封平板需要加热时，可以向第一流道内通入惰性气体促进热传导达到对塑封平板均匀加热，同时配合加热结构的精确温度控制对塑封平板进行加热，提高加热效率，提高矫正工艺的工作效率；加热结构与第一流道交错分布的结构设计可以使塑封平板均匀升温；在需要对塑封平板冷却时，还可以向第一流道内通入惰性气体以加快塑封平板的冷却，提高矫正工艺质量与效率。2.本专利技术提供的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述第一流道与所述承载区连通设置。这样的设计还可以由第一流道连接真空系统对塑封平板背后抽吸真空，使其更平整地贴合于承载区表面上，然后再启动加热结构以及向第一流道内通入惰性气体促进热传导，达到对塑封平板均匀加热的目的，从而使矫正后的塑封平板平整度更高；同时这样的设计还可使通入第一流道内的惰性气体与塑封平板以及卡盘表面的热交换效果更好。3.本专利技术提供的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述加热区包括与所述承载区周缘对应设置的第一加热区以及与所述承载区内部对应设置且位于所述第一加热区内的若干均匀排布的第二加热区，所述第一加热区和所述第二加热区相互独立设置。第一加热区用于控制塑封平板周缘的温度，若干第二加热区用于实现对塑封平板内部温度进行精准控制，以使塑封平板受热升温更均匀。4.本专利技术提供的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述第二加热区的数量为四个，四个所述第二加热区均匀分布在所述第一加热区内的四个象限里。所述加热结构包括设置于所述第一加热区内大致呈方形排布的第一电阻丝以及设置于四个所述第二加热区内且分别呈凹字型排布的第二电阻丝。所述第一加热区以及四个所述第二加热区分别连接至少一个温度控制系统。这样的设计可以实现对每个加热区的温度进行单独控制，使加热层可以提供分区域自由控制的加热源，从而实现对塑封平板不同区域的温度进行相应的调节以实现精确的控制，从而使塑封平板的矫正效果更好，增大了塑封平板矫正工艺的灵活性。5.本专利技术提供的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述第一加热区远离电源的一端以及四个所述第二加热区的中心部位均设置有温度计量仪。这样的设置可以实时跟踪每个加热区的温度，以便进行相应的控制。6.本专利技术提供的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述第一流道包括若干直线流道和若干弧形流道，若干所述直线流道平行排布，相邻两个所述直线流道的首尾通过弧形流道连通，所述第一流道的两端分别与惰性气体进口和真空系统相连。这样的排布可以使惰性气体与塑封平板之间的热交换使塑封平板的受热均匀性和温度控制精度提高。7.本专利技术提供的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，还包括设置于所述加热层下方且与所述承载区对应设置用于所述塑封平板冷却的冷却层。冷却层的设计可以达到快速散热的目的，使处于较高温度矫正处理后的塑封平板能够快速冷却下来，从而节省对单个翘曲塑封平板的冷却时间，可以尽快对下一个翘曲塑封平板进行矫正，使整体的矫正工艺工作效率提高。8.本专利技术提供的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构中，所述冷却层设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构，其特征在于，包括：气道层(1)，所述气道层(1)的上表面形成有用于承载所述塑封平板(7)的承载区，所述承载区为平面设置，还包括设置于所述承载区下方的第一流道；加热层(2)，设置于所述气道层(1)下方，所述加热层(2)设置有形成加热区的加热结构，所述加热区与所述承载区对应设置，且所述加热结构与所述第一流道交错分布，以使所述塑封平板受热均匀。

【技术特征摘要】
1.用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构，其特征在于，包括：气道层(1)，所述气道层(1)的上表面形成有用于承载所述塑封平板(7)的承载区，所述承载区为平面设置，还包括设置于所述承载区下方的第一流道；加热层(2)，设置于所述气道层(1)下方，所述加热层(2)设置有形成加热区的加热结构，所述加热区与所述承载区对应设置，且所述加热结构与所述第一流道交错分布，以使所述塑封平板受热均匀。2.根据权利要求1所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构，其特征在于，所述第一流道与所述承载区连通设置。3.根据权利要求2所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构，其特征在于，所述加热区包括与所述承载区周缘对应设置的第一加热区以及与所述承载区内部对应设置且位于所述第一加热区内的若干均匀排布的第二加热区，所述第一加热区和所述第二加热区相互独立设置。4.根据权利要求3所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构，其特征在于，所述第二加热区的数量为四个，四个所述第二加热区均匀分布在所述第一加热区内的四个象限里。5.根据权利要求4所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构，其特征在于，所述加热结构包括设置于所述第一加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚大平，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32