用于制造或分析半导体晶圆的装置、操作方法及系统制造方法及图纸

技术编号:21144206 阅读:34 留言:0更新日期:2019-05-18 06:04
在用于制造或分析半导体晶圆的装置的操作方法中,在所述装置的操作期间检测所述装置的处理室中的声音。通过信号处理器来获取与检测到的声音相对应的电信号。通过所述信号处理器来处理所获取的电信号。基于所处理的电信号来检测所述装置的操作期间的事件。根据所检测到的事件来控制所述装置的操作。本发明专利技术的实施例还提供了用于制造或分析半导体晶圆的装置及系统。

【技术实现步骤摘要】
用于制造或分析半导体晶圆的装置、操作方法及系统
本专利技术的实施例涉及用于制造或分析半导体晶圆的装置、操作方法及系统,更具体地,涉及用于半导体制造工艺的化学机械抛光方法,以及用于化学机械抛光的装置。
技术介绍
在制造半导体器件中,使用到各种类型的设备。该设备包括处理半导体晶圆的处理装置和检查装置。通常,这些装置维持良好状态,但是由于各种原因装置可能异常地工作。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面,提供了一种操作用于制造或分析半导体晶圆的装置的方法,所述方法包括:在所述装置的操作期间检测所述装置的处理室中的声音;通过信号处理器获取与检测到的声音相对应的电信号;通过所述信号处理器处理获取的电信号;基于处理的电信号检测所述装置的操作期间的事件;以及根据检测到的事件来控制所述装置的操作。根据本专利技术的另一方面,提供了一种用于制造或分析半导体晶圆的装置,所述装置包括:晶圆运送器,用于转移半导体晶圆;晶圆台,半导体晶圆放置在所述晶圆台上;处理室,所述晶圆运送器和所述晶圆台布置在所述处理室中;一个或多个麦克风,布置用于在所述装置的操作期间检测由所述装置产生的声音并发送与所述检测到的声音相对应的电信号;信号处理器,被配置成从所述一个或多个麦克风接收所述电信号、处理所述电信号,并在所述装置的操作期间检测事件;以及控制器,用于根据检测到的事件控制所述装置的操作。根据本专利技术的又一方面,提供了一种用于制造或分析半导体晶圆的系统,所述系统包括:中央服务器;以及多个半导体制造或分析装置,可通信地连接至所述中央服务器,其中:所述多个半导体制造或分析装置中的每个包括:晶圆运送器,用于转移半导体晶圆;晶圆台,将半导体晶圆放置在所述晶圆台上;处理室,所述晶圆运送器和所述晶圆台布置在所述处理室中;一个或多个麦克风,布置为用于在所述装置的操作期间来检测由所述装置产生的声音并发送与检测到的声音相对应的电信号;一个或多个计算机,被配置成从所述一个或多个麦克风接收所述电信号、处理所述电信号、检测所述装置的操作期间的事件以及根据所述检测到的事件来控制所述装置的操作。附图说明当结合附图进行阅读时,从下面的详细描述可以最好地理解本专利技术。应注意到,根据本行业中的标准惯例,各种部件不是按比例绘制并仅用于说明目的。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以被任意增加或减少。图1是根据一个实施例的用于半导体制造操作的正常工作的装置的示意图。图2是根据一个实施例的用于半导体制造操作的异常工作的装置的示意图。图3是根据一个实施例的用于半导体制造操作的异常工作的装置的示意图。图4A和4B是根据一个实施例的在正常工作中模拟从操作装置中发出的声音的时域和频域图。图5A和5B是根据一个实施例的在异常工作中模拟从操作装置中发出的声音的时域和频域图。图6是根据一个实施例的用于控制半导体制造装置的系统的示意图。图7示出了根据一个实施例的用于控制制造装置的方法的示意性流程图。图8和9示出了根据本专利技术的一个实施例的控制装置。具体实施方式以下公开内容提供了多个不同的实施例或者实例以用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然,这些仅是实例并且不意欲限制本专利技术。例如,在以下描述中,在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例,也可以包括在第一部件和第二部件之间形成附加部件,使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。此外,本专利技术可以在各种实例中重复参考标号和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。此外,为了便于描述,本文中可以使用诸如“在...下方”、“在...下面”、“下部”、“在...上面”、“上部”等空间关系术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一(另一些)元件或部件的关系。除图中所示的方位之外,空间关系术语意欲包括使用或操作过程中的器件的不同方位。该装置/器件可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位),并且在本文中使用的空间关系描述符可同样地作相应地解释。另外,术语“由...制成”可表示“包含”或“由...组成”。本专利技术公开大体涉及用于监控和控制一个或多个半导体制造或分析装置的方法和装置。更具体地,本专利技术所述方法和装置便于监控装置的操作条件(又称工作条件)以检测异常行为。图1至图3示出了根据本专利技术的一个实施例的半导体制造或分析装置的示意图。图1示出了正常工作中的装置的情况,而图2和3示出了异常工作中的装置的情况。在本专利技术中,“异常工作”包括但不限于机械错误、机械故障、磨损、可能导致半导体晶圆损坏的操作、可能需要立即协助和/或维护的操作或妨碍装置工作的任何其他情况。此外,在一些实施例中,异常工作包括将很快导致机械故障和/或损坏晶圆的预测事件。例如,异常工作、状况或移动包括但不限于:通过设备的移动或不移动部分导致的晶圆划痕、移动部件的对接、比可移动部件的预定或预期速度更慢或更快的移动、部件的松动、颗粒或灰尘的堆积、错误处理晶圆(掉落)、晶圆与处理器、载物台和/或晶圆储料器的未对准,或任何将产生特定的声音的其他机械问题。此外,异常工作、状况或移动包括当将气体注入腔室或从腔室排出气体或对腔室抽真空时产生异常气流。在本专利技术的一些实施例中,半导体制造或分析装置10包括放置有半导体晶圆123的晶圆台110和晶圆运送机构120(例如,晶圆运送器),以将晶圆123转移至晶圆台110或从该晶圆台转移出。在一些实施例中,晶圆台100可在X-Y方向上水平移动和/或在Z方向上垂直移动。在一些实施例中,半导体制造或分析装置10容纳在处理室100中。虽然未在图1中示出,但处理室100包括晶圆进口和/或出口,例如,负载锁定室,以便将半导体晶圆123从外部转移到处理室100中。在一些实施例中,处理室100可以是气体密封式的,以便可减小处理室100的压力。在一些实施例中,处理室100是气体开放式的。半导体制造或分析装置10的示例包括制造装置,例如,但不限于等离子体蚀刻装置、化学气相沉积(CVD)装置、溅射沉积装置、原子层沉积(ALD)装置、外延生长装置、退火装置、热氧化装置、离子注入装置、光刻装置、湿法处理装置、或用于处理半导体晶圆的任何其他装置;以及分析装置,例如,但不限于包括扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜的临界尺寸(CD)测量装置、膜厚度测量装置、覆盖测量装置、颗粒和/或缺陷检查装置、电性测量装置或用于分析和测量处理过的半导体晶圆的任何其他装置。如图1所示,一个或多个监控器件250设置在处理室100的内部或外部。在一些实施例中,一个或多个监控器件250是振动监控器件。在某些实施例中,振动监控器件是麦克风。晶圆运送机构120和/或晶圆台110的机械移动在处理室100中产生特征声音。当处理室100和/或半导体制造或分析装置10的任何其他部件包括可移动部件时,该可移动部件也可通过其移动产生特征声音。在一些实施例中,可移动部件包括晶圆台、晶圆台中的提升销、晶圆运送机构、阀、开/关门、可移动盖或任何其他可移动部件。图4A示出了在半导体制造或分析装置10工作异常时,由一个或多个麦克风250检测到时域中的特征声音的示例,而图4B示出了频域中的特征声音的一个示例。处理室100内部和/或外部的特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作用于制造或分析半导体晶圆的装置的方法,所述方法包括:在所述装置的操作期间检测所述装置的处理室中的声音;通过信号处理器获取与检测到的声音相对应的电信号;通过所述信号处理器处理获取的电信号;基于处理的电信号检测所述装置的操作期间的事件;以及根据检测到的事件来控制所述装置的操作。

【技术特征摘要】
2017.11.10 US 62/584,471;2018.09.12 US 16/129,7461.一种操作用于制造或分析半导体晶圆的装置的方法,所述方法包括:在所述装置的操作期间检测所述装置的处理室中的声音;通过信号处理器获取与检测到的声音相对应的电信号;通过所述信号处理器处理获取的电信号;基于处理的电信号检测所述装置的操作期间的事件;以及根据检测到的事件来控制所述装置的操作。2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:响应于检测所述事件,通过所述信号处理器将与所述检测到的事件相对应的反馈信号发送至所述装置的控制器;其中,所述控制器基于所述反馈信号控制所述装置的操作。3.根据权利要求1所述的方法,通过一个或多个麦克风来检测所述声音。4.根据权利要求1所述的方法,通过具有不同的检测频率范围的多个麦克风来检测所述声音。5.根据权利要求4所述的方法,所述多个麦克风中的至少一个麦克风具有可听声音范围内的检测频率范围。6.根据权利要求4所述的方法,所述多个麦克风中的至少一个麦克风具有超声波范围内的检测频率范围。7.根据权利要求4所述的方法,所述多个麦克风布置在所述处理室内部。...

【专利技术属性】
技术研发人员:王志佑王天文周欣慧林胤藏
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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