处理腔室、半导体制造设备以及其校正方法技术

本公开提供处理腔室、半导体制造设备以及其校正方法。该半导体制造设备，包含一处理腔室、一影像撷取装置以及一控制装置。处理腔室包含有一承载台以及一校正器。承载台是用以承载一半导体元件。校正器是连接于承载台，其中校正器具有多个指标。影像撷取装置是用以撷取关于半导体元件以及校正器的一影像，以产生一影像信号。控制装置是用以根据些指标以及影像信号，决定半导体元件的中心是否对位于承载台的中心，并且当半导体元件的中心偏离承载台的中心时，控制装置决定半导体元件与承载台之间的一偏移位移。

【技术实现步骤摘要】
处理腔室、半导体制造设备以及其校正方法
本公开涉及一种半导体制造设备，特别涉及一种利用校正治具来协助晶片定位的半导体制造设备与校正方法。
技术介绍
近年来，半导体集成电路(semiconductorintegratedcircuits)经历了指数级的成长。在集成电路材料以及设计上的技术进步下，产生了多个世代的集成电路，其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，当几何尺寸(亦即，工艺中所能产出的最小元件或者线)缩小时，功能密度(亦即，每一芯片区域所具有的互连装置的数目)通常会增加。一般而言，此种尺寸缩小的工艺可以提供增加生产效率以及降低制造成本的好处，然而，此种尺寸缩小的工艺亦会增加制造与生产集成电路的复杂度。集成电路，是通过一系列的半导体制造机台(简称为制造机台)处理晶片而产出。每个制造机台通常是依据一预先定义或预先决定的工艺程序(processrecipe)，在晶片上执行一集成电路制造工作(又称为一制造流程(manufacturingprocess)或工艺)，其中上述工艺程序界定上述工艺的各种参数。集成电路制造通常使用需要多个在生产上和支援上相关的制造机台来完成多道工艺，例如化学气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)工艺、一物理气相沉积(physicalvapordeposition，PVD)工艺、一蚀刻工艺(etching)或离子化金属等离子体工艺(IonizedMetalPlasma，IMP)等等。在这些工艺中，例如物理气相沉积工艺，半导体晶片是否与承载台确实定位会影响需要产生的薄膜的品质，当半导体晶片与承载台产生偏移时，PVD工艺产生的薄膜便会有缺陷(defect)，例如是薄膜厚度不均或是在特定位置的薄膜过厚等缺陷。当发现晶片上的薄膜产生缺陷时，造成缺陷的原因包含有定位误差的可能。为了排除定位上的误差，一般来说需要对半导体制造机台进行定位校正。定位校正可以是在发现缺陷时或是半导体制造机台定期保养时进行。虽然现有的半导体制造机台已经足以达成定位校正的目的，但这些系统及校正方法仍不能在各方面令人满意。
技术实现思路
本公开实施例提供一种处理腔室，包含一承载台以及一校正器。承载台是用以承载一半导体元件，且校正器是安装于承载台，并且校正器具有多个指标。半导体元件的一表面是设置于承载台与校正器上，并且指标是用以指示出半导体元件与承载台之间的一偏移位移。本公开实施例提供一种半导体制造设备，包含一处理腔室、一影像撷取装置以及一控制装置。处理腔室包含有一承载台以及一校正器。承载台是用以承载一半导体元件。校正器是连接于承载台，其中校正器具有多个指标。影像撷取装置是用以撷取关于半导体元件以及校正器的一影像以产生一影像信号。控制装置是用以根据些指标以及影像信号，决定半导体元件的中心是否对位于承载台的中心，并且当半导体元件的中心偏离承载台的中心时，控制装置决定半导体元件与承载台之间的一偏移位移。本公开实施例另提供一种半导体制造设备的校正方法，包含：运送一半导体元件至一承载台上，其中承载台上设置有一校正器，且校正器具有多个指标；撷取关于半导体元件与校正器的一影像并对应地产生一影像信号；根据指标以及影像信号决定半导体元件的中心是否对位于承载台的中心；以及当半导体元件的中心偏离承载台的中心时，决定半导体元件与承载台之间的一偏移位移。附图说明图1为本公开一些实施例的一半导体制造设备的上视示意图。图2为本公开一些实施例的一处理腔室的示意图。图3为本公开实施例的承载台与一校正器的上视图。图4A为本公开实施例的半导体元件设置于承载台上的上视图。图4B为本公开实施例中图4A中区域的放大示意图。图5为本公开实施例中图4A的侧视图。图6A为本公开实施例的图4A中的半导体元件朝Y方向偏移的示意图。图6B为本公开实施例的图6A中区域的放大示意图。图7A为本公开实施例中图4A中的半导体元件朝X方向偏移的示意图。图7B为本公开实施例中图7A中区域的放大示意图。图8A为本公开实施例中的图4A中的半导体元件相对于X轴朝右上45度偏移的示意图。图8B为本公开实施例中图8A中区域的放大示意图。图9为本公开另一实施例中的校正器与半导体元件的部分示意图。图10为本公开实施例中的半导体元件朝Y轴方向偏移的示意图。图11为本公开实施例中的半导体制造设备的校正方法的流程图。附图标记说明：100半导体制造设备102第一移送腔室103第一机械手臂104第二移送腔室105第二机械手臂106中间装载闸腔室108中间装载闸腔室110装载闸腔室112装载闸腔室114、116、118、120、122处理腔室1141壳体1142承载台1142C卡合槽1142S承载面1143补强板1144电源1145气体入口1146气体出口124、126、128、130处理腔室150控制装置152处理器154储存电路160影像撷取装置170标靶材料180掩模200半导体元件300校正器301指标301A、301B、301C标示组302凸出结构303指标A1、A2、A3区域Ad夹角AT原子BR1、BR2、BR3、BR4标示条C中心d固定间隔Dm间隔距离Ds直径Dt外径Dw直径P11、P12、P13标示点P21、P22、P23、P24标示点P31、P32、P33标示点S100、S102、S104、S106、S108、S110、S112操作具体实施方式以下公开的实施方式或实施例是用于说明或完成本公开的多种不同技术特征，所描述的元件及配置方式的特定实施例是用于简化说明本公开，使公开得以更透彻且完整，以将本公开的范围完整地传达予本领域技术人员。当然，本公开也可以许多不同形式实施，而不局限于以下所述的实施例。在下文中所使用的空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，是为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中绘示的方位之外，这些空间相关用词也意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。例如，装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，而在此所使用的空间相关用词也可依此相同解释。此外，若实施例中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的情况，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使得上述第一特征与第二特征未直接接触的情况。以下不同实施例中可能重复使用相同的元件标号及/或文字，这些重复是为了简化与清晰的目的，而非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。另外，在附图中，结构的形状或厚度可能扩大，以简化或便于标示。必须了解的是，未特别图示或描述的元件可以本领域技术人士所熟知的各种形式存在。请参考图1，图1为本公开一些实施例的一半导体制造设备100的上视示意图。半导体制造设备100是可用以执行一半导体制造流程(简称为工艺)。根据本公开一些实施例，半导体制造设备100可以为一化学气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)机台、一物理气相沉积(physicalvapordeposition，PVD)机台、一蚀刻(etching)机台、一热氧化(thermalo本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理腔室，包含：一承载台，用以承载一半导体元件；以及一校正器，安装于该承载台，其中该校正器具有多个指标；其中，该半导体元件的一表面是设置于该承载台与该校正器上，并且所述多个指标是用以指示出该半导体元件与该承载台之间的一偏移位移。

【技术特征摘要】
1.一种处理腔室，包含：一承载台，用以承载一半导体元件；以及一校正器，安装于该承载台，其中该校正器具有多个指标；其中，该半导体元件的一表面是设置于该承载台与该校正器上，并且所述多个指标是用以指示出该半导体元件与该承载台之间的一偏移位移。2.一种半导体制造设备，包含：一处理腔室，包含：一承载台，用以承载一半导体元件；以及一校正器，连接于该承载台，其中该校正器具有多个指标；一影像撷取装置，用以撷取关于该半导体元件以及该校正器的一影像，以产生一影像信号；以及一控制装置，用以根据所述多个指标以及该影像信号，决定该半导体元件的中心是否对位于该承载台的中心，并且当该半导体元件的中心偏离该承载台的中心时，该控制装置决定该半导体元件与该承载台之间的一偏移位移。3.如权利要求1或2所述的半导体制造设备，其中所述多个指标的每一者具有多个标示组，每一标示组具有多个标示点，并且所述多个标示组中任一者内相邻的两个标示点之间具有一固定间隔。4.如权利要求3所述的半导体制造设备，其中当该半导体元件的中心对位于该承载台的中心时，最靠近该半导体元件的所述多个标示点由垂直于该半导体元件的方向观看时对齐于该半导体元件的边缘。5.如权利要求2所述的半导体制造设备，其中该校正器包含有多个指标，相邻两个指标之间具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄煜伦，陈彦羽，吴清嘉，廖维贞，林群智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71