背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法技术

技术编号:21143565 阅读:32 留言:0更新日期:2019-05-18 05:52
本发明专利技术公开了一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法,属于物理建模技术领域。该方法包括:获取背形负花状共轭式断层的基础参数,该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角,以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度;基于该基础参数和多个预设过程参数构建该背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型;基于该多个物理模拟模型,确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。本发明专利技术通过获取背形负花状共轭式断层的基础参数,进而基于该基础参数和每个预设过程参数构建每个预设过程参数对应的物理模拟模型,并对构建得到的多个物理模拟模型分别进行分析,以确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。

Physical simulation analysis method for back-shaped flower-shaped conjugate faults

【技术实现步骤摘要】
背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法
本专利技术涉及物理建模
,特别涉及一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法。
技术介绍
共轭式断层是指两组倾向相反、走向平行或非平行的正断层在剖面上或平面上相互交叉组成的断层。不同的地质条件以及变化状态,均会影响共轭式断层的发育样式,也即是,不同的形成机理导致共轭式断层的发育样式也不相同。比如,共轭式断层可以通过一定的形成机理发育成背形负花状共轭式断层。其中,背形负花状是指一束向上、向外撒开的大多数为正离距的离散的走滑断层或转换伸展断层所限定的,下部呈“向形”,上部呈“背形”的组合样式。由于共轭式断层的不同发育样式影响着油气藏的形成,且在油气藏的形成研究过程中,发现背形负花状共轭式断层对油气藏的形成具有重要意义,因此,亟需一种背形负花状共轭式断层的物理模拟方法,分析确定背形负花状共轭式断层的形成机理,进而确定油气藏的形成。
技术实现思路
为了解决相关技术中的背形负花状共轭式断层的形成机理,进而确定油气藏的形成问题,本专利技术实施例提供了一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法。所述技术方案如下:一方面,提供了一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法,所述方法包括:获取背形负花状共轭式断层的基础参数,所述基础参数包括所述背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角,以及所述背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度;基于所述基础参数和多个预设过程参数构建所述背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型;基于所述多个物理模拟模型,确定所述背形负花状共轭式断层的形成机理。可选地,所述基于所述基础参数和多个预设过程参数构建所述背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型,包括:基于所述基础参数,按照预设比例构建所述背形负花状共轭式断层的模拟基底地垒;构建所述模拟基底地垒对应的模拟装置;基于所述模拟基底地垒和所述模拟装置,分别构建每个预设过程参数对应的所述背形负花状共轭式断层的物理模拟模型。可选地,所述模拟装置包括第一上盘和第二上盘,所述基于所述模拟基底地垒和所述模拟装置,分别构建每个预设过程参数对应的所述背形负花状共轭式断层的物理模拟模型,包括:从所述多个预设过程参数中选择出一个预设过程参数,基于选择的预设过程参数执行以下处理,得到选择的预设过程参数对应的物理模拟模型,直至对所述多个预设过程参数处理完为止:基于所述选择的预设过程参数包括的模拟盖层的厚度、模拟滑脱层的材料和/或厚度,在所述模拟基底地垒、所述第一上盘和所述第二上盘上铺设模拟滑脱层和多层模拟盖层,每层模拟盖层采用不同颜色进行标记;基于所述选择的预设过程参数包括的拉伸方式和拉伸量,拉伸所述模拟装置;基于所述模拟盖层的厚度,在所述多层模拟盖层上继续铺设至少一层模拟盖层,并基于所述拉伸方式和所述拉伸量拉伸所述模拟装置,当所述至少一层模拟盖层的盖层表面呈现背形结构时,得到所述选择的预设过程参数对应的物理模拟模型。可选地,所述得到所述选择的预设过程参数对应的物理模拟模型之前,还包括:在拉伸所述模拟装置的过程中,每隔预设时长获取所述模拟盖层的盖层表面图。可选地,所述模拟盖层的总厚度和所述滑脱层的厚度之和大于盖层地垒模拟高度且小于所述盖层地垒模拟高度与盖层地堑模拟深度之和;所述盖层地垒模拟高度是基于所述背形负花状共轭式断层的盖层地垒理论高度按照所述预设比例确定得到的,所述盖层地堑模拟深度是指基于所述背形负花状共轭式断层的盖层地堑理论深度按照所述预设比例确定得到的。可选地,所述基于所述多个物理模拟模型,确定所述背形负花状共轭式断层的形成机理,包括:分别获取每个物理模拟模型的剖面图;基于每个物理模拟模型的剖面图和拉伸过程中获取的多个盖层表面图,从所述多个物理模拟模型中选择目标物理模拟模型;将所述目标物理模拟模型对应的预设过程参数确定为所述背形负花状共轭式断层的形成机理。可选地,所述分别获取每个物理模拟模型的剖面图,包括:浸润所述多个物理模拟模型中的每个物理模拟模型;剖切每个物理模拟模型以得到每个物理模拟模型的剖面图。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是:本专利技术实施例中,通过获取背形负花状共轭式断层的基础参数,该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角,以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度;进而基于该基础参数和每个预设过程参数构建每个预设过程参数对应的物理模拟模型,并对构建得到的多个物理模拟模型分别进行分析,以确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法的流程图;图2A是本专利技术实施例提供的另一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法的流程图;图2B是本专利技术实施例提供的一种物理模拟模型的模拟装置的结构示意图;图3A是本专利技术实施例提供的一种物理模拟模型的四层盖层的盖层平面示意图;图3B是本专利技术实施例提供的一种物理模拟模型的六层盖层的盖层平面示意图;图3C是本专利技术实施例提供的一种物理模拟模型的八层盖层的盖层平面示意图;图3D是本专利技术实施例提供的一种物理模拟模型的十层盖层的盖层平面示意图;图4是本专利技术实施例提供的一种物理模拟模型的剖面示意图。附图标记:1:第一导轨;2:第一挡板;21:第一滑轨;3:第一上盘;4:第二导轨;5:第二挡板;51:第二滑轨;6:第二上盘。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法的流程图。参见图1,该方法包括如下步骤。步骤101:获取背形负花状共轭式断层的基础参数,该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角,以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度。步骤102:基于该基础参数和多个预设过程参数构建该背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型。步骤103:基于该多个物理模拟模型,确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。本专利技术实施例中,通过获取背形负花状共轭式断层的基础参数,该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角,以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度;进而基于该基础参数和每个预设过程参数构建每个预设过程参数对应的物理模拟模型,并对构建得到的多个物理模拟模型分别进行分析,以确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。可选地,基于该基础参数和多个预设过程参数构建该背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型,包括:基于该基础参数,按照预设比例构建该背形负花状共轭式断层的模拟基底地垒;构建该模拟基底地垒对应的模拟装置;基于该模拟基底地垒和该模拟装置,分别构建每个预设过程参数对应的该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型。可选地,该模拟装置包括第一上盘和第二上盘,基于该模拟基底地垒和该模拟装置,分别构建每个预设过程参数对应的该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型,包括:从该多个预设过程参数中选择出一个预设过程参数,基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法,其特征在于,所述方法包括:获取背形负花状共轭式断层的基础参数,所述基础参数包括所述背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角,以及所述背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度;基于所述基础参数和多个预设过程参数构建所述背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型;基于所述多个物理模拟模型,确定所述背形负花状共轭式断层的形成机理。

【技术特征摘要】
1.一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法,其特征在于,所述方法包括:获取背形负花状共轭式断层的基础参数,所述基础参数包括所述背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角,以及所述背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度;基于所述基础参数和多个预设过程参数构建所述背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型;基于所述多个物理模拟模型,确定所述背形负花状共轭式断层的形成机理。2.如权利要求1所述的分析方法,其特征在于,所述基于所述基础参数和多个预设过程参数构建所述背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型,包括:基于所述基础参数,按照预设比例构建所述背形负花状共轭式断层的模拟基底地垒;构建所述模拟基底地垒对应的模拟装置;基于所述模拟基底地垒和所述模拟装置,分别构建每个预设过程参数对应的所述背形负花状共轭式断层的物理模拟模型。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述模拟装置包括第一上盘和第二上盘,所述基于所述模拟基底地垒和所述模拟装置,分别构建每个预设过程参数对应的所述背形负花状共轭式断层的物理模拟模型,包括:从所述多个预设过程参数中选择出一个预设过程参数,基于选择的预设过程参数执行以下处理,得到选择的预设过程参数对应的物理模拟模型,直至对所述多个预设过程参数处理完为止:基于所述选择的预设过程参数包括的模拟盖层的厚度、模拟滑脱层的材料和/或厚度,在所述模拟基底地垒、所述第一上盘和所述第二上盘上铺设模拟滑脱层和多层模拟盖层,每层模拟盖层采用不同颜色进行标记;基于所述选择的预设过程参数包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:穆立华高斌杨国涛张建坤高文中王方鲁吴吉忠吴海涛孔祥生侯立新
申请(专利权)人:中国石油天然气股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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