基板的制作方法及基板技术

本发明专利技术提供一种基板的制作方法及基板。本发明专利技术的基板的制作方法通过将位于虚拟区中的黑色矩阵及电极层进行蚀刻，形成至少一个贯穿黑色矩阵及电极层的凹槽，后续在所述电极层及衬底基板上涂布配向膜溶液时，由于位于所述虚拟区的膜层结构的地形与显示区的膜层结构的地形相似，可以保证位于所述显示区的配向膜的厚度与所述虚拟区的配向膜的厚度趋近于相同，从而提高配向膜的膜厚均一性。本发明专利技术的基板位于所述显示区的配向膜的厚度与所述虚拟区的配向膜的厚度趋近于相同，配向膜的膜厚均一性好。

【技术实现步骤摘要】
基板的制作方法及基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种基板的制作方法及基板。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线透射出来产生画面。液晶显示面板成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、刻蚀及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。目前绝大部分的LCD面板采用聚酰亚胺(PI)为液晶配向膜，PI在LCD面板的涂布性以及膜厚均一性直接影响液晶的配向状况，影响PI涂布性主要关联为PI材料溶剂特性以及在LCD面板的地形设计。例如，在CF基板上的虚拟(dummy)区域设计均一，地形平坦，与显示(AA)区设计有差异，AA区的膜层结构图案复杂，造成dummy区域与AA区域的PI分布不均一，PI膜厚差异到150A～300A，则会造成dummy区域与AA区域的PI分别对液晶形成的预倾角产生差异，影响显示质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基板的制作方法，可以提高配向膜的膜厚均一性。本专利技术的目的还在于提供一种基板，配向膜的膜厚均一性好。为实现上述目的，本专利技术提供了一种基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成一圈框胶；所述衬底基板包括显示区以及位于所述显示区与框胶之间的虚拟区；步骤S2、在所述衬底基板上形成位于所述显示区及虚拟区中的黑色矩阵；在黑色矩阵上形成电极层；步骤S3、对位于所述虚拟区中的黑色矩阵及电极层进行蚀刻，形成至少一个贯穿黑色矩阵及电极层的凹槽；步骤S4、在所述电极层及衬底基板上涂布配向膜溶液，形成覆盖电极层及凹槽的配向膜。所述步骤S2的具体步骤为：在所述衬底基板上形成位于所述显示区及虚拟区中的黑色矩阵材料层，通过光罩对位于所述显示区中的黑色矩阵材料层进行图案化处理，得到黑色矩阵。所述步骤S3中，采用激光对位于所述虚拟区中的黑色矩阵及电极层进行蚀刻，得到至少一个贯穿黑色矩阵及电极层的凹槽。所述步骤S3中，在激光进行蚀刻之前，在位于所述虚拟区中的黑色矩阵及电极层上进行划线，形成至少一条蚀刻线，所述激光沿着蚀刻线对位于所述虚拟区中的黑色矩阵及电极层进行蚀刻。所述蚀刻线的线宽为50-70um。位于显示区中的电极层所在的区域，和位于虚拟区中的电极层中与位于显示区中的电极层连接的部分所在的区域均为高电压区域；位于虚拟区中的电极层中不与位于显示区中的电极层连接的部分所在的区域为低电压区域。所述凹槽的宽度为50-70um。本专利技术还提供一种基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的框胶、设于所述衬底基板上并被所述框胶包围的黑色矩阵、设于所述黑色矩阵上的电极层以及设于所述电极层上的配向膜；所述衬底基板包括显示区以及位于所述显示区与框胶之间的虚拟区；所述基板上具有至少一个贯穿位于所述虚拟区中的黑色矩阵及电极层的凹槽；所述配向膜覆盖所述电极层及凹槽。位于显示区中的电极层所在的区域，和位于虚拟区中的电极层中与位于显示区中的电极层连接的部分所在的区域均为高电压区域；位于虚拟区中的电极层中不与位于显示区中的电极层连接的部分所在的区域为低电压区域。所述凹槽的宽度为50-70um。本专利技术的有益效果：本专利技术的基板的制作方法通过将位于虚拟区中的黑色矩阵及电极层进行蚀刻，形成至少一个贯穿黑色矩阵及电极层的凹槽，后续在所述电极层及衬底基板上涂布配向膜溶液时，由于位于所述虚拟区的膜层结构的地形与显示区的膜层结构的地形相似，可以保证位于所述显示区的配向膜的厚度与所述虚拟区的配向膜的厚度趋近于相同，从而提高配向膜的膜厚均一性。本专利技术的基板位于所述显示区的配向膜的厚度与所述虚拟区的配向膜的厚度趋近于相同，配向膜的膜厚均一性好。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的基板的制作方法的流程图；图2为本专利技术的基板的制作方法步骤S1的示意图；图3至图5为本专利技术的基板的制作方法步骤S2的示意图；图6至图7为本专利技术的基板的制作方法步骤S3的示意图；图8为本专利技术的基板的制作方法步骤S4的示意图暨本专利技术的基板的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1至图8，本专利技术提供一种基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、请参阅图2，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成一圈框胶20；所述衬底基板10包括显示区11以及位于所述显示区11与框胶20之间的虚拟区12；步骤S2、请参阅图3至图5，在所述衬底基板10上形成位于所述显示区11及虚拟区12中的黑色矩阵30；在黑色矩阵30上形成电极层40；步骤S3、请参阅图6至图7，对位于所述虚拟区12中的黑色矩阵30及电极层40进行蚀刻，形成至少一个贯穿黑色矩阵30及电极层40的凹槽41；步骤S4、请参阅图8，在所述电极层40及衬底基板10上涂布配向膜溶液，形成覆盖电极层40及凹槽41的配向膜50。需要说明的是，本专利技术将位于所述虚拟区12中的黑色矩阵30及电极层40进行蚀刻，形成至少一个贯穿黑色矩阵30及电极层40的凹槽41，后续在所述电极层40及衬底基板10上涂布配向膜溶液时，由于位于所述虚拟区12的膜层结构的地形与显示区12的膜层结构的地形相似，可以保证位于所述显示区11的配向膜50的厚度与所述虚拟区12的配向膜50的厚度趋近于相同，从而提高配向膜50的膜厚均一性。具体的，请参阅图3至图5，所述步骤S2的具体步骤为：在所述衬底基板10上形成位于所述显示区11及虚拟区12中的黑色矩阵材料层30’，通过光罩对位于所述显示区11中的黑色矩阵材料层30’进行图案化处理，得到黑色矩阵30。此时，位于所述虚拟区12中的黑色矩阵30的地形平坦。具体的，所述步骤S3中，由于激光不仅能对电极层40进行蚀刻，还能对黑色矩阵30进行蚀刻，因此采用激光对位于所述虚拟区12中的黑色矩阵30及电极层40进行蚀刻，改变虚拟区12中的黑色矩阵30的地形，使其变得复杂，与显示区12的黑色矩阵30的地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成一圈框胶(20)；所述衬底基板(10)包括显示区(11)以及位于所述显示区(11)与框胶(20)之间的虚拟区(12)；步骤S2、在所述衬底基板(10)上形成位于所述显示区(11)及虚拟区(12)中的黑色矩阵(30)；在黑色矩阵(30)上形成电极层(40)；步骤S3、对位于所述虚拟区(12)中的黑色矩阵(30)及电极层(40)进行蚀刻，形成至少一个贯穿黑色矩阵(30)及电极层(40)的凹槽(41)；步骤S4、在所述电极层(40)及衬底基板(10)上涂布配向膜溶液，形成覆盖电极层(40)及凹槽(41)的配向膜(50)。

【技术特征摘要】
1.一种基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成一圈框胶(20)；所述衬底基板(10)包括显示区(11)以及位于所述显示区(11)与框胶(20)之间的虚拟区(12)；步骤S2、在所述衬底基板(10)上形成位于所述显示区(11)及虚拟区(12)中的黑色矩阵(30)；在黑色矩阵(30)上形成电极层(40)；步骤S3、对位于所述虚拟区(12)中的黑色矩阵(30)及电极层(40)进行蚀刻，形成至少一个贯穿黑色矩阵(30)及电极层(40)的凹槽(41)；步骤S4、在所述电极层(40)及衬底基板(10)上涂布配向膜溶液，形成覆盖电极层(40)及凹槽(41)的配向膜(50)。2.如权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2的具体步骤为：在所述衬底基板(10)上形成位于所述显示区(11)及虚拟区(12)中的黑色矩阵材料层(30’)，通过光罩对位于所述显示区(11)中的黑色矩阵材料层(30’)进行图案化处理，得到黑色矩阵(30)。3.如权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用激光对位于所述虚拟区(12)中的黑色矩阵(30)及电极层(40)进行蚀刻，得到至少一个贯穿黑色矩阵(30)及电极层(40)的凹槽(41)。4.如权利要求3所述的基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，在激光进行蚀刻之前，在位于所述虚拟区(12)中的黑色矩阵(30)及电极层(40)上进行划线，形成至少一条蚀刻线(42)，所述激光沿着蚀刻线(42)对位于所述虚拟区(12)中的黑色矩阵(30)及电极层(40)进行蚀刻。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：任维，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44