The invention provides a method for forming alignment marks, including forming a plurality of first metal connecting columns and at least one second metal connecting column on a substrate, forming a patterned oxide layer in the first alignment zone and a patterned oxide layer and a first oxide connecting column in the second alignment zone, forming a third metal connecting column on the first oxide connecting column and a third metal connecting column located on the first oxide connecting column. The ratio of the distance between the upper surface of the third metal connecting column and the patterned oxide layer of the first alignment zone and the distance between the adjacent third metal connecting columns is more than 1:1; the second oxide layer is formed on the patterned oxide layer, the third metal connecting column and the fourth connecting column, and the second oxide layer surface is formed on the patterned oxide layer, the third metal connecting column and the fourth connecting column. Form grooves as alignment marks. Compared with the prior art, the present application directly forms alignment marks while forming the interconnection layers of the MEMS and CMOS, thus saving material and time.
【技术实现步骤摘要】
形成对准标记的方法
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种形成对准标记的方法。
技术介绍
CMOS是组成数字电路的一部分,微机电系统(MEMS)是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术,它的操作范围在微米范围内,现如今,利用FeNi的各向异性磁阻(AMR)效应制造的微机电系统(AMRMEMS)有灵敏度高,热稳定性好,材料成本低,制备工艺简单,已经得到了广泛的应用,现如今可能MEMS和CMOS会结合,因此涉及到MEMS和CMOS的互连,而互连就需要有对准标记作为辅助。现有技术中,有两种方法形成MEMS和CMOS互连的对准标记,第一种方法是,CMOS自身分为多层,每一层都有对准标记,如果在CMOS的平面上形成MEMS器件,且MEMS器件需要和CMOS对准,就需要额外新增一层通孔和一层金属与自身的对准标记相连,并同时在新增金属层形成MEMS对准标记。第二种方法是,直接打开CMOS表面,露出CMOS原有的自身的对准标记,MEMS将以这个对准标记作为参照实现自身的器件与CMOS顶层金属的互连。但是,现有技术的第一种方法中,需要额外新增一层通孔和一层金属,并同时形成后续层次的对准标记,第二种方法中需要新增一不刻蚀层次,打开CMOS的对准标记,而这种两种方法都需要额外的工艺形成MEMS和CMOS互连对准标记,浪费成本和时间。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种形成对准标记的方法,不需要额外的工艺形成MEMS和CMOS互连对准标记,节省成本和时间。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种形成对准标记的方法,包括:提供一衬底;在所述衬底上形成第一金属层,刻 ...
【技术保护点】
1.一种形成对准标记的方法,其特征在于,包括:提供一衬底;在所述衬底上形成第一金属层,刻蚀所述第一金属层形成图案化的第一金属层,所述图案化的第一金属层包括第一对准区和第二对准区,所述第一对准区包括多个第一金属连接柱,所述第二对准区包括至少一个第二金属连接柱;在所述图案化的第一金属层上形成第一氧化物层,刻蚀所述第一氧化物层形成图案化的氧化物层,所述图案化的氧化层包括去除第一对准区内所述第一金属连接柱间隔的第一氧化物层,在所述第一金属连接柱上的第一氧化物连接柱,以及覆盖第二对准区第一氧化物层,刻蚀覆盖第二对准区的第一氧化物层暴露出第二金属连接柱,形成多个第一通孔;在所述图案化的氧化物层上形成第二金属层,刻蚀所述第二金属层形成图案化的第二金属层,所述图案化的第二金属层包括去除第一氧化物连接柱间隔的第二金属层,在第一氧化物连接柱上形成的第三金属连接柱,以及去除覆盖第二对准区第一氧化物层之上的部分第二金属层,保留与第二对准区的第二金属连接柱对应位置的第四金属连接柱,所述第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的所述第三左金属连接柱之间的间距的比例大于1:1;在所述图 ...
【技术特征摘要】
1.一种形成对准标记的方法,其特征在于,包括:提供一衬底;在所述衬底上形成第一金属层,刻蚀所述第一金属层形成图案化的第一金属层,所述图案化的第一金属层包括第一对准区和第二对准区,所述第一对准区包括多个第一金属连接柱,所述第二对准区包括至少一个第二金属连接柱;在所述图案化的第一金属层上形成第一氧化物层,刻蚀所述第一氧化物层形成图案化的氧化物层,所述图案化的氧化层包括去除第一对准区内所述第一金属连接柱间隔的第一氧化物层,在所述第一金属连接柱上的第一氧化物连接柱,以及覆盖第二对准区第一氧化物层,刻蚀覆盖第二对准区的第一氧化物层暴露出第二金属连接柱,形成多个第一通孔;在所述图案化的氧化物层上形成第二金属层,刻蚀所述第二金属层形成图案化的第二金属层,所述图案化的第二金属层包括去除第一氧化物连接柱间隔的第二金属层,在第一氧化物连接柱上形成的第三金属连接柱,以及去除覆盖第二对准区第一氧化物层之上的部分第二金属层,保留与第二对准区的第二金属连接柱对应位置的第四金属连接柱,所述第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的所述第三左金属连接柱之间的间距的比例大于1:1;在所述图案化的第二金属层、第三金属连接柱和第四金属连接柱上形成第二氧化物层,在与第三金属连接柱间隔区对应位置的第二氧化物层上形成凹槽作为器件对准标记;刻蚀所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:王俊杰,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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