The invention discloses a thin three-dimensional integrated packaging method and structure, which includes: forming a conductive metal column on the first surface of the carrier plate and attaching the first chip to the first surface of the carrier plate; in which the solder joint of the first chip is oriented towards the first surface of the carrier plate; forming a first die sealing layer on the first surface of the carrier plate, and the first die sealing layer is coated. The first chip and the side wall of the conductive metal column are exposed, the first chip and the conductive metal column are formed in the first chip, the second chip is arranged in the groove, and the solder joints of the second chip are oriented away from the carrier plate. The thin three-dimensional integrated packaging method provided by the embodiment of the present invention can produce a lighter three-dimensional integrated packaging structure at a \lower\ cost.
【技术实现步骤摘要】
一种薄型三维集成封装方法及结构
本专利技术涉及集成封装
,具体涉及一种薄型三维集成封装方法及结构。
技术介绍
三维集成封装技术是将至少两层集成电路芯片(英文:IntegratedCircuit,简称:IC,本申请中将集成电路芯片简称为芯片)堆叠设置并予以封装,通过埋设在封装体内的导电结构实现各层芯片之间的电信号连接。三维集成封装技术可以降低芯片功耗、减小互连延时、提高数据传输带宽,为实现具有复杂功能的SoC(英文全称:SystemonChip,中文:系统级芯片或片上系统)芯片提供了可能。MEMS芯片封装时采用三维集成技术,可以大大缩小封装尺寸,并具有精度高、功耗低的特点。此外,三维集成封装技术还可以大大缩小封装结构的尺寸。现有技术中为进一步减小三维封装结构的尺寸,提供了一种薄型三维封装方法,通过该方法形成的薄型封装结构如图1所示,该方法包括:在第一芯片1上的预定位置形成贯通第一表面与第二表面的通孔,在通孔内填充导电金属,形成TSV结构2;在第一芯片1的第一表面上形成以凹槽3;将第二芯片4设置于凹槽3中,在第一芯片1的第一表面上形成焊球5,焊球5与TSV结构电连接;在第二芯片4的第一表面上形成焊球6。相比于传统堆叠型三维集成封装方法,该方法能够降低封装结构的厚度。然而,在实际生产实践中,专利技术人发下上述方法存在以下问题:由于设置TSV结构需要在第一芯片1的内部开设通孔,有可能破坏第一芯片1的内部电路,因而TSV结构必然是在第一芯片1上的预定位置设置,那么第一芯片1在设计时必须考虑预留该预定位置,加之TSV结构的孔径较小,对精度要求较高,因此增加了第一 ...
【技术保护点】
1.一种薄型三维集成封装方法,其特征在于,包括:在载板的第一表面形成导电金属柱,将第一芯片贴附在所述载板的第一表面;在所述载板的第一表面形成第一模封层,所述第一模封层包覆所述第一芯片和所述导电金属柱的侧壁,并露出所述第一芯片和所述导电金属柱;在所述第一芯片内部形成凹槽;将第二芯片设置在所述凹槽内,且所述第二芯片的焊点朝向远离所述载板的方向。
【技术特征摘要】
1.一种薄型三维集成封装方法,其特征在于,包括:在载板的第一表面形成导电金属柱,将第一芯片贴附在所述载板的第一表面;在所述载板的第一表面形成第一模封层,所述第一模封层包覆所述第一芯片和所述导电金属柱的侧壁,并露出所述第一芯片和所述导电金属柱;在所述第一芯片内部形成凹槽;将第二芯片设置在所述凹槽内,且所述第二芯片的焊点朝向远离所述载板的方向。2.根据权利要求1所述的薄型三维集成封装方法,其特征在于,所述在载板的第一表面形成导电金属柱,将第一芯片贴附在所述载板的第一表面的步骤包括:在载板的第一表面设置临时键合层;在载板的第一表面形成导电金属柱,将第一芯片贴附在所述载板的第一表面。3.根据权利要求1所述的薄型三维集成封装方法,其特征在于,所述在载板的第一表面形成导电金属柱,将第一芯片贴附在所述载板的第一表面步骤之前,还包括:在载板表面设置第一布线层。4.根据权利要求1所述的薄型三维集成封装方法,其特征在于,所述第一芯片的焊点朝向所述载板的第一表面;所述方法还包括:拆除所述载板,在原先贴附载板的一面形成第一布线层,所述第一布线层的导线中的至少部分与所述第一芯片的焊点和/或所述导电金属柱的端部电连接。5.根据权利要求1所述的薄型三维集成封装方法,其特征在于,所述在所述载板的第一表面形成第一模封层的步骤之后,还包括:在第一模封层上形成第二布线层,所述第二布线层的导线中的至少部分与所述导电金属柱的端部和/或所述第二芯片的焊点电连接。6.根据权利要求1或5所述的薄型三维集成封装方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈峰,
申请(专利权)人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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