The invention provides a substrate thinning method, which comprises: placing a substrate (302) on the substrate simulation pattern (305) on the placing platform (303); nesting the supporting frame (301) fixed with a single mask to the placing platform (303), so that the substrate (302) is pasted on the single face film, wherein the sticky surface of the single mask contacts with the epitaxial layer of the substrate (302); and the supporting frame with the substrate (302) is 30 (30). 1) Fixed on the microporous sucker of the cutting machine tool; the cutting machine tool is used to cut the substrate along the cleavage edge grain direction of the substrate (302) in order to thin the substrate (302). This method has the advantages of simple operation, less consumables, less pollution and convenient treatment. It can improve the performance and yield of device products. It can process multiple substrates at the same time. It can be applied to all kinds of abnormal substrates. The processing efficiency is greatly improved. The surface of processed substrates has the smallest surface damage and ideal surface roughness, so as to ensure the performance of device and the yield of chip.
【技术实现步骤摘要】
半导体光电器件衬底减薄方法
本专利技术涉及半导体光电器件制造
,尤其涉及一种半导体光电器件衬底减薄方法。
技术介绍
半导体光电器件在激光测距、激光雷达、空间激光通信等民用及国防安全领域具有重要的应用。半导体光电器件芯片制备过程中,芯片减薄工艺非常关键,减薄后样品的表面状态、厚度均匀性、完整性直接决定器件的性能、芯片质量及产品良率。制备半导体光电器件的衬底通常为GaAs、InP、GaSb、GaN等晶体圆片,机械强度较低,而目前半导体光电器件衬底的减薄通常采用垂直加压化学机械磨抛的方式,采用熔化后的固体蜡将外延片粘附在工件表面,再放到磨抛设备上进行芯片减薄。采用表面加压的磨抛减薄工艺时,磨抛料、样品、抛光垫之间状态无法精确控制,加工过程中易发生产生表面划痕或碎裂,极大的影响半导体光电器件的器件性能和产品良率;此外,磨抛减薄工艺所用耗材较多,包含固体蜡、玻璃片、减薄片托等,且操作工序较为复杂,使得加工效率相对较低。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题针对于现有的技术问题,本专利技术提出一种半导体光电器件衬底减薄方法,用于至少部分解决传统磨抛工艺中技术工艺繁琐、厚度均匀性差、机械损伤严重导致裂片率高、器件性能变差等技术问题。(二)技术方案本专利技术提出一种半导体光电器件衬底减薄方法,包括:S1,将衬底302置于摆放平台303上的衬底模拟图形305中;S2,将固定有单面膜的支撑框架301与摆放平台303嵌套重合,使得衬底302粘贴在单面膜上,其中,单面膜的粘性面与衬底的外延层面接触;S3,将粘贴有衬底302的支撑框架301固定在切削机床的微孔吸盘上;S4,利用切 ...
【技术保护点】
1.一种衬底减薄方法,其特征在于,包括:S1,将衬底(302)置于摆放平台(303)上的衬底模拟图形(305)中;S2,将固定有单面膜的支撑框架(301)与所述摆放平台(303)嵌套重合,使得所述衬底(302)粘贴在所述单面膜上,其中,所述单面膜的粘性面与所述衬底(302)的外延层面接触;S3,将粘贴有衬底(302)的支撑框架(301)固定在切削机床的微孔吸盘上;S4,利用所述切削机床沿所述衬底(302)的解理边晶向对所述衬底(302)进行切削,以减薄所述衬底(302)。
【技术特征摘要】
1.一种衬底减薄方法,其特征在于,包括:S1,将衬底(302)置于摆放平台(303)上的衬底模拟图形(305)中;S2,将固定有单面膜的支撑框架(301)与所述摆放平台(303)嵌套重合,使得所述衬底(302)粘贴在所述单面膜上,其中,所述单面膜的粘性面与所述衬底(302)的外延层面接触;S3,将粘贴有衬底(302)的支撑框架(301)固定在切削机床的微孔吸盘上;S4,利用所述切削机床沿所述衬底(302)的解理边晶向对所述衬底(302)进行切削,以减薄所述衬底(302)。2.根据权利要求1所述的衬底减薄方法,其特征在于,对所述衬底(302)进行切削包括第一切削和第二切削;以进给量为15~20mm/min,单次切削深度为10~20μm的切削方式对所述衬底(302)进行第一切削;对所述切削机床及衬底(302)表面进行清洗;以进给量由10mm/min递减至2mm/min,单次切削深度由5μm递减至0.5μm的切削方式对所述衬底(302)进行第二切削。3.根据权利要求1所述的衬底减薄方法,其特征在于,所述摆放平台(303)标有参考晶向(202),将衬底(302)置于摆放平台(303)的衬底模拟图形(305)中包括:将所述衬底(302)的解理面晶向与所述参考晶向(202)对齐。4.根据权利要求1所述的衬底减薄方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:李伟,刘素平,马骁宇,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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