【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往,公知具备MOS栅极(由金属-氧化膜-半导体的三层结构构成的绝缘栅极)的MOS型半导体装置具有有源区、以及包围有源区的周围的边缘终端区。在MOS型半导体装置中,在边缘终端区的与有源区的边界附近,设置用于将在MOS型半导体装置关断时在边缘终端区产生的作为少数载流子的空穴向正面电极抽出的接触(电接触部)(例如,参照下述专利文献1~4)。在下述专利文献1~4中,由接触区和金属电极形成包围有源区的周围的一个接触部。对于以往的半导体装置的结构,以沟槽栅型IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor:绝缘栅型双极晶体管)为例进行说明。图10是表示以往的半导体装置的结构的截面图。图11是放大图10的载流子抽出区而示出的截面图。图12是示出从半导体基板(半导体芯片)的正面侧观察图10的一部分而得到的布局的俯视图。图10中示出图12的切割线AA-AA'处的截面结构。图10中将有源区101的MOS栅极120以及载流子抽出区105简化而示出。图11中示出有源区101的MOS栅极120的接触部127以及载流子抽出区105的接触部150的截面结构。图12中示出呈大致矩形(未图示)地包围有源区101的周围的边缘终端区102的一部分。另外,图12中示出在栅极流道部104以及载流子抽出区105的层间绝缘膜121(阴影部分)、栅极流道部104的栅极流道142(纵虚线间的部分)、以及载流子抽出区105的接触部150的布局,图示省略有源区101以及耐压结构部103的各部分。图10~图12所示的以往的半导体装置是在半 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:有源区,其设置于第一导电型的半导体基板,并有主电流流通;终端区,其包围所述有源区的周围;第二导电型的第一半导体区,其在所述有源区设置于所述半导体基板的第一主面侧的表面层;第一导电型的第二半导体区,其选择性地设置于所述第一半导体区的内部;第二导电型的第三半导体区,其选择性地设置于所述第一半导体区的内部,且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高;第二导电型的第四半导体区,其在所述终端区选择性地设置于所述半导体基板的第一主面侧的表面层;第一导电型的第五半导体区,其是所述半导体基板的除所述第一半导体区以及所述第四半导体区以外的区域;栅极绝缘膜,其以与所述第一半导体区的、所述第五半导体区和所述第二半导体区之间的区域接触的方式设置;栅电极,其隔着所述栅极绝缘膜而设置于所述第一半导体区的相反侧;层间绝缘膜,其设置在所述半导体基板的第一主面上,且覆盖所述第二半导体区、所述第三半导体区、所述第四半导体区以及所述栅电极;第一接触孔,其在所述层间绝缘膜开口,且使所述第二半导体区以及所述第三半导体区露出;多个第二接触孔,其在所述层间绝缘膜开口,分别使所述第四半导体区选择性 ...
【技术特征摘要】
2017.11.08 JP 2017-215990;2018.07.19 JP 2018-135621.一种半导体装置,其特征在于,具备:有源区,其设置于第一导电型的半导体基板,并有主电流流通;终端区,其包围所述有源区的周围;第二导电型的第一半导体区,其在所述有源区设置于所述半导体基板的第一主面侧的表面层;第一导电型的第二半导体区,其选择性地设置于所述第一半导体区的内部;第二导电型的第三半导体区,其选择性地设置于所述第一半导体区的内部,且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高;第二导电型的第四半导体区,其在所述终端区选择性地设置于所述半导体基板的第一主面侧的表面层;第一导电型的第五半导体区,其是所述半导体基板的除所述第一半导体区以及所述第四半导体区以外的区域;栅极绝缘膜,其以与所述第一半导体区的、所述第五半导体区和所述第二半导体区之间的区域接触的方式设置;栅电极,其隔着所述栅极绝缘膜而设置于所述第一半导体区的相反侧;层间绝缘膜,其设置在所述半导体基板的第一主面上,且覆盖所述第二半导体区、所述第三半导体区、所述第四半导体区以及所述栅电极;第一接触孔,其在所述层间绝缘膜开口,且使所述第二半导体区以及所述第三半导体区露出;多个第二接触孔,其在所述层间绝缘膜开口,分别使所述第四半导体区选择性地露出;第一金属膜,其沿着所述第二接触孔的内壁设置,且与所述半导体基板的密合性高,并且与所述半导体基板进行欧姆接触;第二金属膜,其在所述第二接触孔的内部埋入到所述第一金属膜上;第一电极,其设置在所述层间绝缘膜上,且在所述第一接触孔经由所述第二半导体区以及所述第三半导体区而与所述第一半导体区电连接,并且在所述第二接触孔经由所述第二金属膜以及所述第一金属膜而与所述第四半导体区电连接;以及第二电极,其设置在所述半导体基板的第二主面。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,还具备:第二导电型的第六半导体区,其选择性地设置于所述第四半导体区的内部,且杂质浓度比所述第三半导体区的杂质浓度高,所述第一电极在所述第二接触孔经由所述第二金属膜、所述第一金属膜以及所述第六半导体区而与所述第四半导体区电连接。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,还具备:第二导电型的第七半导体区,其选择性地设置于所述第三半导体区的内部,且杂质浓度比所述第三半导体区的杂质浓度高,所述第一电极在所述第一接触孔经由所述第七半导体区以及所述第三半导体区而与所述第一半导体区电连接。4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第四半导体区沿着所述有源区的外周而包围所述有源区的周围,多个所述第二接触孔配置成沿着所述有源区的外周而延伸的条纹状的布局,并包围所述有源区的周围。5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第二接触孔的宽度是0.3μm以上且1.0μm以下。6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:白川彻,加藤由晴,
申请(专利权)人:富士电机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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