【技术实现步骤摘要】
芯片堆叠封装结构及其形成方法
本专利技术涉及集成电路制造
,尤其涉及一种芯片堆叠封装结构及其形成方法。
技术介绍
堆叠式封装技术,也称为3D或三维封装技术,是目前主流的多芯片封装技术之一,能够将至少两个半导体晶片(Die,也称为裸片,即从晶圆上切割出来的一块具有完整功能的块)或封装体在垂直方向叠加起来,常用来制造存储器芯片、逻辑芯片、处理器芯片等电子元件。随着电子产业的发展,日益需要电子元件的高容量、高功能、高速和小尺寸,为了满足该需求,需要在在单个封装中并入更多晶片,同时还要保持低封装高度,此时堆叠式封装结构中堆叠的每个晶片一般会做的更薄,然而,较薄的晶片容易出现裂纹或翘曲等问题,影响封装结构的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种芯片堆叠封装结构及其形成方法,能够降低封装结构的整体高度和成本。为了实现上述目的,本专利技术提供一种芯片堆叠封装结构,包括:具有上表面和下表面的基板,所述基板的上表面设有晶片堆叠区,所述晶片堆叠区的至少一端设置有基板连接端子;多个一端具有晶片连接端子的晶片,依次错位层叠在所述晶片堆叠区上,且相邻两层晶片中的上层晶片暴露出下层晶片的晶片连接端子的部分表面或者全部表面;多条引线,连接所述基板连接端子和相应的晶片连接端子,或者连接两个所述晶片连接端子。可选的,所述芯片堆叠封装结构还包括第一粘合剂和第二粘合剂,所述第一粘合剂位于所述晶片堆叠区和最下层的晶片之间并将所述晶片堆叠区和最下层的晶片粘合固定,所述第二粘合剂位于相邻两层晶片之间并将所述相邻两层晶片粘合固定。可选的,所述第一粘合剂和第二粘合剂的材质相同,厚度均小于1 ...
【技术保护点】
1.一种芯片堆叠封装结构,其特征在于,包括:具有上表面和下表面的基板,所述基板的上表面设有晶片堆叠区,所述晶片堆叠区的至少一端设置有基板连接端子;多个一端具有晶片连接端子的晶片,依次错位层叠在所述晶片堆叠区上,且相邻两层晶片中的上层晶片暴露出下层晶片的晶片连接端子的部分表面或者全部表面;多条引线,连接所述基板连接端子和相应的晶片连接端子,或者连接两个所述晶片连接端子。
【技术特征摘要】
1.一种芯片堆叠封装结构,其特征在于,包括:具有上表面和下表面的基板,所述基板的上表面设有晶片堆叠区,所述晶片堆叠区的至少一端设置有基板连接端子;多个一端具有晶片连接端子的晶片,依次错位层叠在所述晶片堆叠区上,且相邻两层晶片中的上层晶片暴露出下层晶片的晶片连接端子的部分表面或者全部表面;多条引线,连接所述基板连接端子和相应的晶片连接端子,或者连接两个所述晶片连接端子。2.如权利要求1所述的芯片堆叠封装结构,其特征在于,所述芯片堆叠封装结构还包括第一粘合剂和第二粘合剂,所述第一粘合剂位于所述晶片堆叠区和最下层的晶片之间并将所述晶片堆叠区和最下层的晶片粘合固定,所述第二粘合剂位于相邻两层晶片之间并将所述相邻两层晶片粘合固定。3.如权利要求2所述的芯片堆叠封装结构,其特征在于,所述第一粘合剂和第二粘合剂的材质相同,厚度均小于10μm。4.如权利要求1所述的芯片堆叠封装结构,其特征在于,所述芯片堆叠封装结构还包括封装胶体和焊球,所述封装胶体位于所述基板的上表面上并覆盖所有晶片和所有引线,所述焊球位于所述基板的下表面上。5.如权利要求1所述的芯片堆叠封装结构,其特征在于,所述晶片堆叠区的两端分别设置有一个基板连接端子,所述晶片堆叠区上堆叠的所有晶片中,至少有两层相邻晶片的晶片连接端子在所述晶片堆叠区的投影分居所述晶片堆叠区的两个基板连接端子所在端。6.如权利要求1至5中任一项所述的芯片堆叠封装结构,其特征在于,所述晶片堆叠区上堆叠的所有晶片中,有连续多层晶片的晶片连接端子在所述晶片堆叠区的投影均位于所述晶片堆叠区的基板连接端子所在端,所述连续多层晶片设有晶片连接端子的一端构成台阶结构。7.如权利要求6所述的芯片堆叠封装结构,其特征在于,所述晶片堆叠区上堆叠的所有晶片的晶片连接端子在所述晶片堆叠区的投影均位于所述晶片堆叠区的基板连接端子所在端,所述晶片堆叠区上堆叠的所有晶片设有晶片连接端子的一端构成台阶结构。8.如权利要求1至5中任一项所述的芯片堆叠封装结构,其特征在于,所述晶片堆叠区的两端分别设置有一个基板连接端子,所述晶片堆叠区上堆叠的所有晶片中,至少有一段堆叠高度中的连续多层晶片的晶片连接端子在所述晶片堆叠区的投影均位于所述晶片堆叠区的一个基板连接端子所在端,至少还有另一段堆叠高度中的连续多层晶片的连接端子在所述晶片堆叠区的投影均位于所述晶片堆叠区的另一个基板连接端子所在端,每段所述连续多层晶片设有晶片连接端子的一端构成一个台阶结构。9.一种权利要求1至8中任一项所述的芯片堆叠封装结构的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:提供具有上表面和下表面的基板,所述基板的上表面设有晶片堆叠区...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈彧,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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