【技术实现步骤摘要】
BCD器件深沟槽隔离方法
本专利技术涉及半导体器件设计及制造领域,特别是指一种BCD器件深沟槽隔离方法。
技术介绍
BCD工艺是一种单片集成工艺技术,1986年由意法半导体(ST)公司研制成功。这种技术能够在同一芯片上制作双极型晶体管(BipolarJunctionTransistor)、CMOS和DMOS器件。BCD工艺不仅综合了双极型器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点,而且集成了开关速度很快的DMOS功率器件。由于DMOS同时具有高速和大电流能力的特性,耐压通常也较高,因而用BCD工艺制造的电源管理芯片能工作在是高频、高压和大电流下,是制造高性能电源芯片的理想工艺。采用BCD工艺制造的单片集成芯片还可以提高系统性能,节省电路的封装费用,并具有更好的可靠性。BCD工艺的主要应用领域为电源管理(电源和电池控制)、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域。由于BCD工艺的应用领域的不断扩大,对BCD工艺的要求越来越高。近来,BCD工艺主要朝着高压、高功率、高密度方向分化发展。在BCD工艺里,随着更高的耐压要求(60V以上,尤其是80V以上),若仍旧采用结隔离的工艺,则需要迅速增加的隔离环(IsolationRing)尺寸,因此势必严重增大了器件的尺寸。而采用DTI:DeepTrenchIsolation,深沟槽隔离,则能有效降低了器件的尺寸,并且隔离的效果更好,漏电更小。同时DTI工艺能更有效防止寄生晶体管latch-up效应的产生。但是,按照现有的版图设计,如图1所示,都是需要将保护环(由深N阱DNW/N阱NW)围成一个圈,最外侧具有深沟 ...
【技术保护点】
1.一种BCD器件深沟槽隔离方法,在有源区外围是由N阱、深N阱以及深沟槽形成的隔离结构,将器件隔离在内;所述的深沟槽是在最外围呈封闭环形,作为最外围的隔离结构;其特征在于:所述的N阱、深N阱是在有源区与深沟槽之间,N阱位于深N阱中且N阱的宽度、深度均小于深N阱,所述N阱、深N阱位于有源区长度方向的两端,且N阱、深N阱的两端与深沟槽接触。
【技术特征摘要】
1.一种BCD器件深沟槽隔离方法,在有源区外围是由N阱、深N阱以及深沟槽形成的隔离结构,将器件隔离在内;所述的深沟槽是在最外围呈封闭环形,作为最外围的隔离结构;其特征在于:所述的N阱、深N阱是在有源区与深沟槽之间,N阱位于深N阱中且N阱的宽度、深度均小于深N阱,所述N阱、深N阱位于有源区长度方向的两端,且N阱、深N阱的两端与深沟槽接触。2.如权利要求1所述的BCD器件深沟槽隔离方法,其特征在于:所述有源区中形成BCD器件,包含所有适用于BCD工艺的器件。3.如权利要求1所述的BCD器件深沟槽隔离方法,其特征在于:所述的深沟槽是呈封闭的矩形或者多边形,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李娜,杨新杰,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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