存储器控制器及其操作方法技术

本发明专利技术提供一种存储器控制器及其操作方法。存储器控制器控制包括多个页面的半导体存储器装置。存储器控制器可以包括处理单元和命令控制单元。处理单元从主机接收命令和对应于命令的逻辑地址，并且通过转换逻辑地址来生成命令物理地址。命令控制单元临时存储缓存物理地址，该缓存物理地址对应于缓存在半导体存储器装置的页面缓冲器中的缓存数据，并且通过将缓存物理地址与命令物理地址进行比较来转换命令。

【技术实现步骤摘要】
存储器控制器及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月8日提交的申请号为10-2017-0148125的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体并入本文。
本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置。特别地，实施例涉及一种存储器控制器以及存操作储器控制器的方法。
技术介绍
存储器装置可以具有二维(2D)结构，其中串水平地布置在半导体衬底上。可选地，存储器装置可以具有三维(3D)结构，其中串垂直地堆叠在半导体衬底上。随着2D结构正在达到其集成极限，半导体制造商正在生产包括垂直堆叠在半导体衬底上的多个存储器单元的3D存储器装置。
技术实现思路
本公开的各个实施例涉及一种具有改进的可靠性的存储器控制器。本公开的各个实施例涉及一种具有改进的可靠性的存储器控制器的操作方法。本公开的实施例可以提供一种存储器控制器。根据本公开的实施例的存储器控制器可以控制包括多个页面的半导体存储器装置。存储器控制器可以包括处理单元和命令控制单元。处理单元可以从主机接收命令和对应于命令的逻辑地址，并且可以通过转换逻辑地址来生成命令物理地址。命令控制单元可以临时存储缓存物理地址，该缓存物理地址对应于缓存在半导体存储器装置的页面缓冲器中的缓存数据，并且可以通过将缓存物理地址与命令物理地址进行比较来转换命令。在实施例中，命令控制单元可以包括命令队列、页面缓冲器记录单元和命令转换单元。命令队列可以临时存储命令和命令物理地址。页面缓冲器记录单元可以临时存储缓存物理地址。命令转换单元可以从页面缓冲器记录单元接收缓存物理地址，将缓存物理地址与命令物理地址进行比较，并且基于比较的结果转换命令。在实施例中，命令可以包括数据读取命令和数据输出命令。进一步地，当缓存物理地址与命令物理地址相同时，命令转换单元可以通过从命令删除数据读取命令来转换命令。本公开的实施例可以提供一种存储器系统。根据本公开的实施例的存储器控制器可以控制包括多个页面的半导体存储器装置。存储器控制器可以包括处理单元、页面缓冲器记录单元和命令控制单元。处理单元可以从主机接收命令和对应于命令的逻辑地址，并且可以通过转换逻辑地址来生成命令物理地址。页面缓冲器记录单元可以临时存储缓存物理地址，该缓存物理地址对应于缓存在半导体存储器装置的页面缓冲器中的缓存数据。命令控制单元可以通过将缓存物理地址与命令物理地址进行比较来转换命令。在实施例中，命令控制单元可以包括命令队列和命令转换单元。命令队列可以临时存储命令和命令物理地址。命令转换单元可以从页面缓冲器记录单元接收缓存物理地址，将缓存物理地址与命令物理地址进行比较，并且基于比较的结果转换命令。本公开的实施例可以提供一种操作存储器控制器的方法。通过根据本公开的实施例的存储器控制器的操作方法，可以控制半导体存储器装置。存储器控制器的操作方法可以包括：从主机接收命令和对应于命令的逻辑地址；接收缓存物理地址，该缓存物理地址对应于缓存在半导体存储器装置的页面缓冲器中的缓存数据；将对应于逻辑地址的命令物理地址与缓存物理地址进行比较；以及基于比较的结果转换命令。附图说明图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的框图。图2是示出图1的半导体存储器装置的框图。图3是示出图2的存储器单元阵列的实施例的示图。图4是示出图3的存储块BLK1至BLKz中的任意一个存储块BLKa的示例的电路图。图5是示出图3的存储块BLK1至BLKz中的任意一个存储块BLKb的示例的电路图。图6是示出包括在图2的存储器单元阵列110中的存储块BLK1至BLKz中的任意一个存储块BLKc的示例的电路图。图7是示出图2的读取和写入电路的操作的框图。图8是示出读取和写入电路的编程操作的示图。图9是示出读取和写入电路的读取操作的示图。图10是示出读取和写入电路的数据输出操作的示图。图11是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的框图。图12是示出图11中所示的命令控制单元的示例性实施例的框图。图13是详细示出命令控制单元的操作的示图。图14是说明命令转换操作的示图。图15是示出存储在页面缓冲器记录单元中的数据的示例的示图。图16是示出包括四个平面的半导体存储器装置的框图。图17是示出存储在页面缓冲器记录单元中的数据的示例的示图。图18是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的框图。图19是示出图18中所示的命令控制单元的示例性实施例的框图。图20是说明根据本公开的实施例的存储器控制器的操作方法的流程图。图21是详细说明图18的接收命令转换步骤的流程图。图22是示出包括根据本公开的控制器的存储装置的实施例的框图。图23是示出包括根据本公开的控制器的存储装置的实施例的框图。图24是示出图22或图23的存储装置的应用示例的框图。图25是示出包括以上参照图22或图23描述的存储装置的计算机系统的框图。具体实施方式以下参照附图更详细地描述本专利技术的各个实施例。然而，应注意的是，本专利技术可以以不同的其它形式和变化实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底且完整的，并且将向本专利技术所属领域的技术人员完全传达本专利技术。在整个公开中，相同的附图标记在整个本专利技术的各个附图和实施例中表示相同的部件。此外，对“实施例”的参考不一定意味着仅仅一个实施例，并且对“实施例”的不同参考不一定针对相同的实施例。将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文使用以描述各种元件，但是这些元件不受这些术语限制。这些术语被用于区分一个元件与另一元件。因此，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，以下描述的第一元件也可被称为第二元件或第三元件。当短语“......和......中的至少一个”在本文中与项目列表一起使用时，是指列表中的单个项目或列表中项目的任何组合。例如，“A、B和C中的至少一个”是指只有A、或只有B、或只有C、或A、B和C的任何组合。附图不一定按比例绘制，在一些情况下，为了清楚地示出实施例的特征，可能已经夸大了比例。将进一步理解的是，当一个元件被称为“连接至”或“联接至”另一元件时，它可以直接在其它元件上、连接至或联接至其它元件，或可存在一个或多个中间元件。另外，也将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，两个元件之间可以仅有一个元件或也可存在一个或多个中间元件。本文使用的术语的目的仅是描述特定实施例而不旨在限制本专利技术。如本文使用的，单数形式可以包括复数形式并且反之亦然，除非上下文另有清楚地说明。也注意的是，在一些情况下，对相关领域的技术人员显而易见的是，结合一个实施例描述的也可被称为特征的元件可单独使用或与另一实施例的其它元件结合使用，除非另有明确说明。将进一步理解的是，当在该说明书中使用术语“包括”、“包括有”、“包含”和“包含有”时，它们指定阐述的元件的存在而不排除一个或多个其它元件的存在或增加。如本文使用的，术语“和/或”可以包括一个或多个相关的所列项目的任何一个和所有组合。在以下描述中，为了提供本专利技术的彻底理解，阐述了许多具体细节。本专利技术可在没有一些或全部这些具体细节的情况下被实施。在其它情况下，为了不使本专利技术不必要模糊，未详细地描述公知的进程结构和/或进程。在下文中，将参照附图详细地描述本专利技术的各个实施例。图1是示出根据本公开的实施例的存储装置10的框图。参照本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器控制器，用于控制包括多个页面的半导体存储器装置，所述存储器控制器包括：处理单元，从主机接收命令和对应于所述命令的逻辑地址，并且通过转换所述逻辑地址来生成命令物理地址；以及命令控制单元，临时存储缓存物理地址，所述缓存物理地址对应于缓存在所述半导体存储器装置的页面缓冲器中的缓存数据，并且通过将所述缓存物理地址与所述命令物理地址进行比较来转换所述命令。

【技术特征摘要】
2017.11.08 KR 10-2017-01481251.一种存储器控制器，用于控制包括多个页面的半导体存储器装置，所述存储器控制器包括：处理单元，从主机接收命令和对应于所述命令的逻辑地址，并且通过转换所述逻辑地址来生成命令物理地址；以及命令控制单元，临时存储缓存物理地址，所述缓存物理地址对应于缓存在所述半导体存储器装置的页面缓冲器中的缓存数据，并且通过将所述缓存物理地址与所述命令物理地址进行比较来转换所述命令。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述命令是读取命令。3.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中所述命令控制单元包括：命令队列，临时存储所述命令和所述命令物理地址；页面缓冲器记录单元，临时存储所述缓存物理地址；以及命令转换单元，从所述页面缓冲器记录单元接收所述缓存物理地址，将所述缓存物理地址与所述命令物理地址进行比较，并且基于比较的结果转换所述命令。4.根据权利要求3所述的存储器控制器，其中：所述命令包括数据读取命令和数据输出命令，以及当所述缓存物理地址与所述命令物理地址相同时，所述命令转换单元通过从所述命令删除所述数据读取命令来转换所述命令。5.根据权利要求4所述的存储器控制器，其中所述命令转换单元将位于所述命令队列的前部的命令物理地址与所述缓存物理地址进行比较。6.根据权利要求3所述的存储器控制器，其中所述页面缓冲器记录单元在所述半导体存储器装置的读取操作完成时更新所述缓存物理地址。7.根据权利要求3所述的存储器控制器，其中所述命令物理地址是加载到所述页面缓冲器中的数据的行地址。8.根据权利要求6所述的存储器控制器，其中所述页面缓冲器记录单元包括：第一字段，存储指示最近对所述页面缓冲器执行的操作的类型的信息；以及第二字段，存储行地址或块地址。9.一种存储器控制器，用于控制包括多个页面的半导体存储器装置，所述存储器控制器包括：处理单元，从主机接收命令和对应于所述命令的逻辑地址，并且通过转换所述逻辑地址来生成命令物理地址；页面缓冲器记录单元，临...

【专利技术属性】
技术研发人员：申东才，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR