探针组件及其榫接式电容探针制造技术

技术编号:21114062 阅读:25 留言:0更新日期:2019-05-16 08:23
本发明专利技术公开一种探针组件及其榫接式电容探针。榫接式电容探针包括一探针结构、一导电结构以及一介电结构。探针结构具有一探针本体以及一设置在探针本体上的第一卡接部。导电结构设置在探针结构的一侧,导电结构具有一对应于第一卡接部的第二卡接部,且导电结构通过第二卡接部而设置在探针结构的第一卡接部上。介电结构设置在探针结构与导电结构之间。

【技术实现步骤摘要】
探针组件及其榫接式电容探针
本专利技术涉及一种探针组件及其榫接式电容探针,特别是涉及一种应用于晶圆探针卡的探针组件及其榫接式电容探针。
技术介绍
首先,现有技术中系统单芯片(SystemonChip,SoC)于高速信号测试时,常会面临核心电源于使用频率点的目标阻抗值过高的问题,而导致阻抗值过高的原因有探针卡(ProbeCard)、转接基板(substrate)、探针座及晶圆探针等因素。因此,在现行的解决方式下,大多是聚焦于转接基板的优化,也就是通过适量的去耦合电容来改善供电网路(powerdeliverynetwork,PDN)的目标阻抗值。然而,此种优化方式虽然能够使得转接基板的阻抗值达到标准,但仍然会因为转接基板距离待测端较远的因素,而无法有效掌控整体供电网路。因此,如何提出一种能根据移动装置所需高速信号系统单芯片应用测试时,有效降低谐振频率点的电源阻抗且提升供电网路的效能的探针组件及其空间转换界面板,以克服上述的缺陷,已然成为本领域
人士所欲解决的重要课题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种探针组件及其空间转换界面板,以有效降低谐振频率点的电源阻抗且提升供电网路的效能。为了解决上述的技术问题,本专利技术所采用的其中一技术方案是,提供一种榫接式电容探针,其包括一探针结构、一导电结构以及一介电结构。所述探针结构具有一探针本体以及一设置在所述探针本体上的第一卡接部。所述导电结构设置在所述探针结构的一侧,所述导电结构具有一对应于所述第一卡接部的第二卡接部,且所述导电结构通过所述第二卡接部而设置在所述探针结构的所述第一卡接部上。所述介电结构设置在所述探针结构与所述导电结构之间。本专利技术所采用的另外一技术方案是,提供一种探针组件,其包括一转接载板、一探针承载座以及多个榫接式电容探针。所述转接载板具有多个容置槽。所述探针承载座设置在所述转接载板上。多个所述榫接式电容探针设置在所述承载座上,且多个所述榫接式电容探针分别设置在多个所述容置槽之中,其中,每一个所述榫接式电容探针包括一探针结构、一导电结构以及一介电结构。其中,所述探针结构具有一探针本体以及一设置在所述探针本体上的第一卡接部,所述导电结构设置在所述探针结构的一侧,所述导电结构具有一对应于所述第一卡接部的第二卡接部,且所述导电结构通过所述第二卡接部而设置在所述探针结构的所述第一卡接部上,所述介电结构设置在所述探针结构的所述第一卡接部与所述导电结构的所述第二卡接部之间。本专利技术的其中一有益效果在于,本专利技术实施例所提供的探针组件及其榫接式电容探针,其能利用“所述介电结构设置在所述探针结构的所述第一卡接部与所述导电结构的所述第二卡接部之间”的技术方案,而能而能优化目标阻抗值,且提升供电网路的效能。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
,请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图,然而所提供的附图仅用于提供参考与说明用,并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为本专利技术第一实施例的榫接式电容探针的立体分解示意图。图2为本专利技术第一实施例的榫接式电容探针的立体组合示意图。图3为图1的III-III剖面线的侧视剖面示意图。图4为图2的IV-IV剖面线的侧视剖面示意图。图5为本专利技术第二实施例的榫接式电容探针的立体分解示意图。图6为本专利技术第二实施例的榫接式电容探针的立体组合示意图。图7为图6的VII-VII剖面线的侧视剖面示意图。图8为图7的VIII-VIII剖面线的侧视剖面示意图。图9为本专利技术第三实施例的榫接式电容探针的立体分解示意图。图10为本专利技术第四实施例的榫接式电容探针的立体分解示意图。图11为本专利技术第五实施例的榫接式电容探针的立体分解示意图。图12为本专利技术第六实施例的榫接式电容探针的立体分解示意图。图13为本专利技术第七实施例的探针组件的分解示意图。图14为本专利技术第七实施例的探针组件的组合示意图。附图标记如下:M榫接式电容探针1探针结构11探针本体111第一端部112第二端部113连接部2导电结构21导电本体22第二卡接部3介电结构具体实施方式以下是通过特定的具体实例来说明本专利技术所公开有关“探针组件及其榫接式电容探针”的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用,在不背离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。另外,本专利技术的附图仅为简单示意说明,并非依实际尺寸的描绘,事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
,但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。应理解,虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件或信号等,但这些元件或信号不应受这些术语限制。这些术语乃用以区分一元件与另一元件,或者一信号与另一信号。另外,如本文中所使用,术语“或”视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的所有组合。[第一实施例]首先,请参阅图1至图4所示,并同时参阅图13及图14所示,图1及图2分别为本专利技术第一实施例榫接式电容探针M的立体示意图,图3及图4分别为第一实施例榫接式电容探针M的侧视剖面示意图,图13及图14为本专利技术实施例探针组件U的示意图。本专利技术提供一种探针组件U及其榫接式电容探针M,以下实施例将先介绍本专利技术榫接式电容探针M的主要技术特征,后续实施例再行介绍探针组件U。另外,值得说明的是,虽然附图中的榫接式电容探针M是以矩形柱状体作为说明,但本专利技术不以此为限制,在其他实施方式中,榫接式电容探针M也可以为圆形柱状体或其他外型,以下将以榫接式电容探针M为矩形柱状体的实施方式作为举例说明。另外,值得说明的是,虽然图1至图12的榫接式电容探针M是以直条状的外型呈现,但是,在其他实施方式中,也可以具有如图13及图14所示的弯曲状外形,本专利技术不以此为限。接着,请复参阅图1至图4所示,榫接式电容探针M可包括一探针结构1、一导电结构2以及一介电结构3。探针结构1与导电结构2两者可相邻设置,以本专利技术实施例而言,导电结构2可设置在探针结构1的一侧。此外,探针结构1具有一探针本体11以及一设置在探针本体11上的第一卡接部12。而导电结构2可具有一导电本体21以及一设置在导电本体21上且对应于第一卡接部12的第二卡接部22,且导电结构2可通过第二卡接部22而设置在探针结构1的第一卡接部12上。此外,介电结构3可设置在探针结构1与导电结构2之间。以第一实施例而言,介电结构3可设置在导电结构2的第二卡接部22上,由此,介电结构3可设置在探针结构1的第一卡接部12与导电结构2的第二卡接部22之间,以使得探针结构1与导电结构2彼此电性绝缘。然而,须说明的是,在其他实施方式中,介电结构3也可以是设置在探针结构1的第一卡接部12上或者是设置在探针本体11上,以使得介电结构3位于探针结构1与导电结构2之间。承上述,换句话说,以第一实施例而言,探针结构1的第一卡接部12可以为一槽体状的结构,而导电结构2的第二卡接部22可以为一凸起状的结构,且第一卡接部12的形状可对应于第二卡接部22的形状。须说明的是,虽然本专利技术第一实施例是以第一卡接部12可以为槽体状的结构,第二卡接部22可以为凸起状的结构作为说明,但是,在其他实施方式中,第一卡接部本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种榫接式电容探针,其特征在于,所述榫接式电容探针包括:一探针结构,所述探针结构具有一探针本体以及一设置在所述探针本体上的第一卡接部;一导电结构,所述导电结构设置在所述探针结构的一侧,所述导电结构具有一对应于所述第一卡接部的第二卡接部,且所述导电结构通过所述第二卡接部而设置在所述探针结构的所述第一卡接部上;以及一介电结构,所述介电结构设置在所述探针结构与所述导电结构之间。

【技术特征摘要】
1.一种榫接式电容探针,其特征在于,所述榫接式电容探针包括:一探针结构,所述探针结构具有一探针本体以及一设置在所述探针本体上的第一卡接部;一导电结构,所述导电结构设置在所述探针结构的一侧,所述导电结构具有一对应于所述第一卡接部的第二卡接部,且所述导电结构通过所述第二卡接部而设置在所述探针结构的所述第一卡接部上;以及一介电结构,所述介电结构设置在所述探针结构与所述导电结构之间。2.如权利要求1所述的榫接式电容探针,其特征在于,所述探针结构具有一对应于所述介电结构的裸露部,且所述探针结构通过所述裸露部而电性连接于所述导电结构,其中,所述介电结构具有一与所述探针结构相互接触的第一表面以及一与所述导电结构相互接触的第二表面。3.如权利要求1所述的榫接式电容探针,其特征在于,所述探针结构与所述导电结构彼此电性绝缘,且所述介电结构具有一与所述探针结构相互接触的第一表面以及一与所述导电结构相互接触的第二表面。4.如权利要求1所述的榫接式电容探针,其特征在于,所述介电结构设置在所述探针结构的所述第一卡接部与所述导电结构的所述第二卡接部之间。5.如权利要求1所述的榫接式电容探针,其特征在于,所述探针结构的电阻率小于5x102Ωm。6.如权利要求1所述的榫接式电容探针,其特征在于,所述导电结构的电阻率小于5x102Ωm。7.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢智鹏苏伟志
申请(专利权)人:中华精测科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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