【技术实现步骤摘要】
一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法。
技术介绍
Cu2O是最早被发现的纳米半导体材料之一，其禁带宽度约为2.1eV，比TiO2(Eg=3.2eV)的禁带宽度低很多，具有价格低廉、易操作生产、无毒、热稳定性好、方便储存等诸多优点。Cu2O理论光电转换效率可以达到20%，是一种高效的光伏材料。但是目前Cu2O的光电转换率仅为2%左右，为了提高Cu2O的光电性能，人们在Cu2O的制备方法、掺杂、改性等方面作了较多研究，获得了一定的成果。但总体来说对Cu2O光电性能的提高幅度不高。本专利技术拟在Cu2O晶格中引入Cd的金属离子，在禁带中引入杂质能级。价带电子在受到光激发后，会先跃迁到杂质能级，通过再次激发，跃迁到导带，这样就降低了激发所需的能量，从而能较好地提高Cu2O的光电性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法。具体步骤为：(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入8.00mL浓度为0.05~0.40mol/L的CuSO4•5H2O溶液和4.00mL浓度为0.000mol/L~0.005mol/L的CdSO4溶液并搅拌混合均匀，再加入2.00mL浓度为0.10~0.50mol/L的NaOH溶液。(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50℃~120℃的烘箱中反应5~10小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2473~0.4602V的Cd/Cu2O纳米薄膜。本专利技术与其他相关技术相比，最显著的特点是通过一步水热法，工艺简单，周期较短，对原料以...
【技术保护点】
1.一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为： (1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入8.00 mL浓度为0.05 ~ 0.40 mol/L 的CuSO4•5H2O溶液和4.00 mL浓度为0.000 mol/L ~ 0.005 mol/L 的CdSO4溶液并搅拌混合均匀，再加入2.00 mL浓度为0.10 ~ 0.50 mol/L的 NaOH溶液；(2)将Cu片放入步骤(1) 反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50 ℃ ~ 120 ℃的烘箱中反应5 ~ 10 小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2473 ~ 0.4602 V的Cd/Cu2O纳米薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入8.00mL浓度为0.05~0.40mol/L的CuSO4•5H2O溶液和4.00mL浓度为0.000mol/L~0.005mol/L的CdSO4溶液并搅拌混合均匀，再...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵英杰，钟福新，王晓娟，伍泳斌，莫德清，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45
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