一种发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管，包括：载体，用于承载发光二极体；至少一个第一发光二极体，固定于所述载体上，用于发出第一颜色光；至少一个第二发光二极体，固定于所述载体上，用于发出第二颜色光；第一光转换体，包覆于所述至少一个第一发光二极体上，用于将所述第一颜色光转换为红光；第二光转换体，包覆于所述至少一个第二发光二极体上，用于转换所述第二颜色光；所述第一颜色光、所述红光、所述第二颜色光和所述第二光转换体转换后的光混合成类太阳光。本发明专利技术还公开了一种发光二极管的制作方法。采用本发明专利技术的发光二极管及其制作方法，能够有效增强红光的发光强度，避免类太阳光中的红光强度不足或缺失。

A Light Emitting Diode and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种发光二极管及其制作方法。
技术介绍
太阳光是最重要的自然光源，其可见光谱段能量分布均匀，故太阳光为白色。太阳光除了能够满足人们日常生产、工作、生活的需求之外，其可见光区中长波长红光部分具有最强的穿透力，对皮肤和粘膜有温热作用，可强烈刺激血液的流程，进而改善血液循环、增强人体细胞活力、促进人体的新陈代谢以及促进蛋白合成。为了满足人类在夜间或室内仍然可享受到太阳光的照耀，目前已经出现类太阳光发光二极管。现有的类太阳光发光二极管普遍采用红光LED芯片、蓝蓝光LED芯片和荧光粉制成，其中，红光LED芯片发出的红光、蓝紫光LED芯片发出的蓝紫光、以及经荧光粉转换后得到光混合成白光。但是，由于红光LED芯片和蓝紫光LED芯片之间的热漂移性能和热态光衰差异较大，在相同的热态条件下，红光LED芯片会发生较严重的热漂移，使得红光LED芯片发出红光的颜色随之漂移，进而由红光、蓝紫光和荧光粉转换后得到光混合成的白光发生偏移，因此现有的类太阳光发光二极管存在红光强度不足或缺失的问题。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的一种发光二极管及其制作方法，能够有效增强红光的发光强度，避免类太阳光中的红光强度不足或缺失。为解决上述技术问题，本专利技术的一种发光二极管，包括：载体，用于承载发光二极体；至少一个第一发光二极体，固定于所述载体上，用于发出第一颜色光；至少一个第二发光二极体，固定于所述载体上，用于发出第二颜色光；第一光转换体，包覆于所述至少一个第一发光二极体上，用于将所述第一颜色光转换为红光；第二光转换体，包覆于所述至少一个第二发光二极体上，用于转换所述第二颜色光；所述第一颜色光、所述红光、所述第二颜色光和所述第二光转换体转换后的光混合成类太阳光。作为上述方案的改进，所述第一发光二极体包括蓝光LED芯片，所述第二发光二极体包括紫光LED芯片。作为上述方案的改进，所述第一光转换体包括深红色荧光粉、以及所述橙色荧光粉和所述红色荧光粉中的任一种；所述第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉和黄绿荧光粉，以及所述橙色荧光粉和所述红色荧光粉中的另一种。作为上述方案的改进，所述第一光转换体包括深红色荧光粉、橙色荧光粉和红色荧光粉；所述第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉和黄绿荧光粉。作为上述方案的改进，所述第一光转换体中荧光粉的比例为所述第一光转换体中荧光粉及所述第二光转换体中荧光粉总量的5％-20％。作为上述方案的改进，所述蓝光LED芯片和所述紫光LED芯片的半导体材料包括Ⅲ-Ⅵ族元素。作为上述方案的改进，所述第一发光二极体和所述第二发光二极体间隔设置，以均匀混光。作为上述方案的改进，所述发光二极管，还包括：反光杯，套设于所述载体的侧壁，用于反射杯腔内的光。作为上述方案的改进，所述第一光转换体和所述第二光转换体均包括透明密封体和基质；所述第一光转换体的基质中掺入有稀土金属离子或过渡金属元素离子；所述第二光转换体的基质中掺入有Ce3+和Eu2+中的一种或两种组合。作为上述方案的改进，所述基质分布于所述透明密封体内，所述基质包括Y3Al5O12、Lu3Al5O12、Sr5(PO4)3Cl、SiAlON、氮化物、镓氧化物和硅酸盐中的一种或多种组合。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种发光二极管的制作方法，包括如下步骤：在载体上固定至少一个第一发光二极体和至少一个第二发光二极体；所述第一发光二极体用于发出第一颜色光，所述第二发光二极体用于发出第二颜色光；采用引线键合方式将所述至少一个第一发光二极体和所述至少一个第二发光二极体与所述载体进行电连接；在所述至少一个第一发光二极体上点涂第一光转换体；所述第一光转换体用于将所述第一颜色光转换为红光；在所述至少一个第二发光二极体上点涂第二光转换体；烘烤固化，得到发光二极管。本专利技术的发光二极管及其制作方法具有以下有益效果：由于该发光二极管采用在第一发光二极体上包覆第一光转换体的方式来激发红光，可避免出现红光颜色漂移的问题，并增加红光的发光强度；且利用在第二发光二极体上包裹第二光转换体的方式来激发类太阳光中其他波段的光，进而使得第一颜色光、红光、第二颜色光以及第二光转换体转换得到的光混合成类太阳光，能够有效提升红光的强度，使得该发光二极管混合成的类太阳光与自然太阳光的发光光谱高度重合，显著提高发光二极管的显色性能。附图说明图1是现有类太阳光发光二极管发出的类太阳光的光谱图。图2是本专利技术实施例1的一种发光二极管的结构示意图。图3是本专利技术实施例2的一种发光二极管的结构示意图。图4是本专利技术实施例3的一种发光二极管的结构示意图。图5是本专利技术实施例4的一种发光二极管的结构示意图。图6是本专利技术实施例5的一种发光二极管的结构示意图。图7是本专利技术发光二极管发出的类太阳光光谱图与现有类太阳光光谱图的对比图。具体实施方式在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。如图1所示，在现有的类太阳光发光二极管中，由于红光LED芯片和蓝紫光LED芯片之间的热漂移性能和热态光衰差异较大，则在相同的热态条件下，红光LED芯片会发生较严重的热漂移，使得红光LED芯片发出红光的颜色随之漂移，进而导致现有的类太阳光中的红光的发光强度不足。而本专利技术通过在第一发光体上包覆第一光转换体，由第一光转换体激发出红光来增强红光的发光强度，可有效解决现有的类太阳光中的红光的发光强度不足或缺失的问题。下面结合具体实施例和附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的描述。实施例1请参见图2，是本专利技术实施例1的一种发光二极管的结构示意图。如图2所示，该发光二极管，包括：载体1，用于承载发光二极体；至少一个第一发光二极体11，固定于所述载体1上，用于发出第一颜色光；至少一个第二发光二极体12，固定于所述载体1上，用于发出第二颜色光；第一光转换体13，包覆于所述至少一个第一发光二极体11上，用于将所述第一颜色光转换为红光；第二光转换体14，包覆于所述至少一个第二发光二极体12和所述第一光转换体13上，用于转换所述第二颜色光；所述第一颜色光、所述红光、所述第二颜色光和所述第二光转换体14转换后的光混合成类太阳光。其中，第一发光二极体11和第二发光二极体12采用引线键合方式与载体1连接，实现与载体1的电连接。在该发光二极管中，第一发光二极体11发出第一颜色光，其中，部分第一颜色光透射出第一光转换体13，其余第一颜色光经第一光转换体13转换为红光；第二发光二极体12发出第二颜色光，其中，部分第二颜色光透射出第二光转换体14，其余第二颜色光经第二光转换体14进行转换，进而该发光二极管中的第一颜色光、红光、第二颜色光以及第二光转换体14转换得到的光混合成类太阳光。其中，如图2所示，该发光二极管中通过设置第一发光二极体11及包覆于其上的第一光转换体13，可有效增强红光的发光强度，使得该发光二极管发出白光的光谱与太阳光的光谱重合度更高，其发出的白光更接近太阳光。与现有技术相比，由于该发光二极管采用在第一发光二极体11上包覆第一光转换体13的方式来激发红光，可避免本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：载体，用于承载发光二极体；至少一个第一发光二极体，固定于所述载体上，用于发出第一颜色光；至少一个第二发光二极体，固定于所述载体上，用于发出第二颜色光；第一光转换体，包覆于所述至少一个第一发光二极体上，用于将所述第一颜色光转换为红光；第二光转换体，包覆于所述至少一个第二发光二极体上，用于转换所述第二颜色光；所述第一颜色光、所述红光、所述第二颜色光和所述第二光转换体转换后的光混合成类太阳光。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：载体，用于承载发光二极体；至少一个第一发光二极体，固定于所述载体上，用于发出第一颜色光；至少一个第二发光二极体，固定于所述载体上，用于发出第二颜色光；第一光转换体，包覆于所述至少一个第一发光二极体上，用于将所述第一颜色光转换为红光；第二光转换体，包覆于所述至少一个第二发光二极体上，用于转换所述第二颜色光；所述第一颜色光、所述红光、所述第二颜色光和所述第二光转换体转换后的光混合成类太阳光。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一发光二极体包括蓝光LED芯片，所述第二发光二极体包括紫光LED芯片。3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光转换体包括深红色荧光粉，所述第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉、橙色荧光粉和红色荧光粉；或者，所述第一光转换体包括深红色荧光粉、以及橙色荧光粉和红色荧光粉中的任一种，第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉和黄绿荧光粉、以及橙色荧光粉和红色荧光粉中的另一种。4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光转换体包括深红色荧光粉、橙色荧光粉和红色荧光粉；所述第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉和黄绿荧光粉。5.如权利要求3或4所述的发光二极管，所述第一光转换体中荧光粉的比例为所述第一光转换体中荧光粉及所述第二光转换体...

【专利技术属性】
技术研发人员：万垂铭，曾照明，姚述光，姜志荣，肖国伟，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44