电路和设备制造技术

本公开涉及电路和设备。例如一种电路包括：多个存储器位置，被配置为存储脉宽调制(PWM)信号生成数据，存储器位置被布置在存储器位置的N个集合中，每个集合均包括i个通道存储器位置，每个通道存储器位置均被配置为存储用于N个PWM调制模式中的相应一个的相应占空比值；选择电路，被配置为选择性地访问存储器位置的集合中的所选集合；缓冲器电路，被配置为存储来自所选集合的通道存储器位置的PWM信号生成数据；以及有限状态机，被配置为接收指示具有相应的多个占空比值的多个PWM调制模式的PWM信号生成输入数据，有限状态机被配置为激活选择电路，以将来自所选集合的通道存储器位置的PWM信号生成数据加载到缓冲器电路中。

Circuits and equipment

The present disclosure relates to circuits and equipment. For example, a circuit includes: multiple memory locations configured to store pulse width modulation (PWM) signal to generate data, and memory locations are arranged in N sets of memory locations, each set includes I channel memory locations, and each channel memory locations are configured to store corresponding duty cycles for one of the N PWM modulation modes; Configured to selectively access selected sets in a set of memory locations; buffer circuits configured to store PWM signal generation data from channel memory locations of selected sets; and finite state machines configured to generate input data for receiving PWM signals indicating multiple PWM modulation modes with corresponding multiple duty cycles; and finite state machines configured to be stimulated The active selection circuit loads the PWM signal generation data from the channel memory location of the selected set into the buffer circuit.

【技术实现步骤摘要】
电路和设备相关申请的交叉参考本申请要求2017年6月16日提交的意大利申请第102017000067192号的优先权，其内容通过引证结合在本文。
本技术总体上涉及电子电路，并且在具体实施例中，涉及脉宽调制(PWM)模式发生器的电路和设备。
技术介绍
PWM发生器电路(诸如用作LED驱动器单元(例如，在显示屏中)的集成电路)可以涉及外部控制电路(例如，微控制器)的连续干涉以能够连续且动态地改变PWM信号的参数。这例如可以是针对每个LED通道的占空比(其是信号为“on”的时间Ton与PWM信号的周期Ton+Toff的比率)的情况。连续干涉可以使得控制器资源和时间被贡献给各种行为，诸如中断服务程序执行、标记轮询、用于控制特定LED通道配置有特定占空比的时间的内部定时器使用以及多久可期望不同占空比等等。
技术实现思路
本公开提供了一种电路，包括：多个存储器位置，被配置为存储脉宽调制(PWM)信号生成数据，其中多个存储器位置被布置在存储器位置的N个集合中，其中存储器位置的N个集合中的每个集合均包括i个通道存储器位置，并且其中i个通道存储器位置中的每个位置均被配置为存储用于N个PWM调制模式中的相应一个的i个占空比值中的相应占空比值；选择电路，耦合至多个存储器位置，其中选择电路可致动以选择性地访问存储器位置的N个集合中的所选集合；缓冲器电路，耦合至选择电路的输出，其中缓冲器电路被配置为存储来自所选集合的i个通道存储器位置的PWM信号生成数据；以及有限状态机，被配置为接收指示具有相应的多个占空比值的多个PWM调制模式的PWM信号生成输入数据，其中有限状态机被耦合至选择电路并且被配置为根据PWM信号生成输入数据激活选择电路，以将来自所选集合的i个通道存储器位置的PWM信号生成数据加载到缓冲器电路中，PWM信号生成数据指示用于N个PWM调制模式中的PWM调制模式的i个占空比值。在某些实施例中，缓冲器电路中的PWM信号生成数据被布置为存储器位置矩阵，存储器位置矩阵具有第一数量的行和第二数量的列，其中第一数量的行和第二数量的列中的一个等于占空比值的数量i，并且第一数量的行和第二数量的列中的另一个等于数量j，其中j是每个占空比值的宽度。在某些实施例中，还包括：另外多个存储器位置，其中另外多个存储器位置中的每个位置均耦合至存储器位置的N个集合中的一个集合，并且被配置为存储指示N个PWM调制模式中的相应一个的持续时间的数据。在某些实施例中，有限状态机响应PWM信号生成输入数据，PWM信号生成输入数据包括指示N个PWM调制模式的相应持续时间的数据。在某些实施例中，还包括耦合至另外多个存储器位置和有限状态机的又一选择电路，其中有限状态机被配置为激活又一选择电路以针对缓冲器电路中的N个PWM调制模式的PWM信号生成数据选择相应持续时间。在某些实施例中，有限状态机通过跳过N个PWM调制模式中的特定一个来响应指示N个PWM调制模式中的特定一个被设置为零的持续时间的数据。在某些实施例中，还包括：模式重复存储位置，被配置为存储指示N个PWM调制模式中的至少一个的重复次数的重复数据，其中有限状态机通过作为达到上重复阈值的结果断开N个PWM调制模式中的至少一个的重复来响应重复数据。在某些实施例中，还包括：偏移存储位置，被配置为存储指示可应用于N个PWM调制模式中的后续通道之间的时间偏移值的偏移数据，其中有限状态机通过提供N个PWM调制模式中的后续PWM调制通道的PWM信号生成数据之间的时间偏移来响应时间偏移值。在某些实施例中，还包括多个PWM信号发生器，被配置为根据PWM信号生成数据生成PWM调制信号。此外，还提供了一种设备，包括：模式生成电路，包括：多个存储器位置，被配置为存储脉宽调制(PWM)信号生成数据，其中多个存储器位置被布置在存储器位置的N个集合中，其中存储器位置的N个集合中的每个集合均包括i个通道存储器位置，并且其中i个通道存储器位置中的每个位置均被配置为存储用于N个PWM调制模式中的相应一个的i个占空比值中的相应占空比值；选择电路，耦合至多个存储器位置，其中选择电路可致动以选择性地访问存储器位置的N个集合中的所选集合；缓冲器电路，耦合至选择电路的输出，其中缓冲器电路被配置为存储来自所选集合的i个通道存储器位置的PWM信号生成数据；有限状态机，被配置为接收指示具有相应的多个占空比值的多个PWM调制模式的PWM信号生成输入数据，其中有限状态机被耦合至选择电路并且被配置为根据PWM信号生成输入数据激活选择电路，以将来自所选集合的i个通道存储器位置的PWM信号生成数据加载到缓冲器电路中，PWM信号生成数据指示用于N个PWM调制模式中的PWM调制模式的i个占空比值；和多个PWM信号发生器，被配置为根据PWM信号生成数据来生成PWM调制信号；以及用户单元，包括耦合至多个PWM发生器的多个用户通道，其中通过由多个PWM信号发生器生成的PWM调制信号来驱动多个用户通道。在某些实施例中，用户单元包括布置在多个用户通道中的多个发光二极管。在某些实施例中，还包括：被配置为将PWM信号生成输入数据提供给有限状态机的控制器。在某些实施例中，模式生成电路还包括另外多个存储器位置，其中另外多个存储器位置中的每个位置均耦合至存储器位置的N个集合中的一个集合，并且被配置为存储指示N个PWM调制模式中的相应一个的持续时间的数据。在某些实施例中，模式生成电路还包括模式重复存储位置，被配置为存储指示N个PWM调制模式中的至少一个的重复次数的重复数据，其中有限状态机通过作为达到上重复阈值的结果断开N个PWM调制模式中的至少一个的重复来响应重复数据。在某些实施例中，模式生成电路还包括偏移存储位置，被配置为存储指示可应用于N个PWM调制模式中的后续通道之间的时间偏移值的偏移数据，其中有限状态机通过提供N个PWM调制模式中的后续PWM调制通道的PWM信号生成数据之间的时间偏移来响应时间偏移值。在某些实施例中，缓冲器电路中的PWM信号生成数据被布置为存储器位置矩阵，存储器位置矩阵具有第一数量的行和第二数量的列，其中第一数量的行和第二数量的列中的一个等于占空比值的数量i，并且第一数量的行和第二数量的列中的另一个等于数量j，其中j是每个占空比值的宽度。一些实施例提供了不涉及控制器干涉的电路。例如，一个或多个实施例可以应用于用作LED驱动器的集成电路(IC)。一个或多个实施例可以涉及对应的设备和对应的方法。一个或多个实施例可以提供例如用于用作能够在数量为i的输出通道上生成数量为N的PWM模式序列的LED驱动器的集成电路的架构。一个或多个实施例利于例如在LED驱动器布置中减少控制器单元的干涉，使得控制器资源可用于包括实时任务的其他任务。一个或多个实施例可以允许为多个输出通道中的每一个指定PWM占空比、对应模式持续时间以及期望重复特定序列的次数。一个或多个实施例使得可以指定特定通道和后续通道之间的可编程偏移。一个或多个实施例可以利于在特定通道和随后的一个通道之间的通道波形中得到平滑改变，由此利于避免PWM通道中的突变(transition)。一个或多个实施例可以应用于例如在控制器单元(诸如微控制器)可以例如经由串行接口编程LED驱动器寄存器的布置中用作LED驱动器的集成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路，其特征在于，包括：多个存储器位置，被配置为存储脉宽调制PWM信号生成数据，其中所述多个存储器位置被布置在存储器位置的N个集合中，其中所述存储器位置的N个集合中的每个集合均包括i个通道存储器位置，并且其中所述i个通道存储器位置中的每个位置均被配置为存储用于N个PWM调制模式中的相应一个的i个占空比值中的相应占空比值；选择电路，耦合至所述多个存储器位置，其中所述选择电路被配置为选择性地访问所述存储器位置的N个集合中的所选集合；缓冲器电路，耦合至所述选择电路的输出，其中所述缓冲器电路被配置为存储来自所选集合的所述i个通道存储器位置的所述PWM信号生成数据；以及有限状态机，被配置为接收指示具有相应的多个占空比值的多个PWM调制模式的PWM信号生成输入数据，其中所述有限状态机被耦合至所述选择电路并且被配置为根据所述PWM信号生成输入数据激活所述选择电路，以将来自所选集合的所述i个通道存储器位置的所述PWM信号生成数据加载到所述缓冲器电路中，所述PWM信号生成数据指示用于所述N个PWM调制模式中的PWM调制模式的i个占空比值。

【技术特征摘要】
2017.06.16 IT 1020170000671921.一种电路，其特征在于，包括：多个存储器位置，被配置为存储脉宽调制PWM信号生成数据，其中所述多个存储器位置被布置在存储器位置的N个集合中，其中所述存储器位置的N个集合中的每个集合均包括i个通道存储器位置，并且其中所述i个通道存储器位置中的每个位置均被配置为存储用于N个PWM调制模式中的相应一个的i个占空比值中的相应占空比值；选择电路，耦合至所述多个存储器位置，其中所述选择电路被配置为选择性地访问所述存储器位置的N个集合中的所选集合；缓冲器电路，耦合至所述选择电路的输出，其中所述缓冲器电路被配置为存储来自所选集合的所述i个通道存储器位置的所述PWM信号生成数据；以及有限状态机，被配置为接收指示具有相应的多个占空比值的多个PWM调制模式的PWM信号生成输入数据，其中所述有限状态机被耦合至所述选择电路并且被配置为根据所述PWM信号生成输入数据激活所述选择电路，以将来自所选集合的所述i个通道存储器位置的所述PWM信号生成数据加载到所述缓冲器电路中，所述PWM信号生成数据指示用于所述N个PWM调制模式中的PWM调制模式的i个占空比值。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述缓冲器电路中的所述PWM信号生成数据被布置为存储器位置矩阵，所述存储器位置矩阵具有第一数量的行和第二数量的列，其中所述第一数量的行和所述第二数量的列中的一个等于占空比值的数量i，并且所述第一数量的行和所述第二数量的列中的另一个等于数量j，其中j是每个所述占空比值的宽度。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：另外多个存储器位置，其中所述另外多个存储器位置中的每个位置均耦合至所述存储器位置的N个集合中的一个集合，并且被配置为存储指示所述N个PWM调制模式中的相应一个的持续时间的数据。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述有限状态机响应所述PWM信号生成输入数据，所述PWM信号生成输入数据包括指示所述N个PWM调制模式的相应持续时间的数据。5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，还包括耦合至所述另外多个存储器位置和所述有限状态机的又一选择电路，其中所述有限状态机被配置为激活所述又一选择电路以针对所述缓冲器电路中的所述N个PWM调制模式的PWM信号生成数据选择相应持续时间。6.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述有限状态机通过跳过所述N个PWM调制模式中的特定一个来响应指示所述N个PWM调制模式中的所述特定一个被设置为零的持续时间的数据。7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：模式重复存储位置，被配置为存储指示所述N个PWM调制模式中的至少一个的重复次数的重复数据，其中所述有限状态机通过作为达到上重复阈值的结果断开所述N个PWM调制模式中的至少一个的重复来响应所述重复数据。8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：偏移存储位置，被配置为存储指示可应用于所述N个PWM调制模式中的后续通道之间的时间偏移值的偏移数据，其中所述有限状态机通过提供所述N个PWM调制模式中的后续PWM调制通道的所述PWM信号生成数据之间的时间偏...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·卡拉，S·C·阿达莫，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利,IT