电容器、包含电容器的设备及用于形成电容器的方法技术

本发明专利技术涉及电容器、包含电容器的设备及用于形成电容器的方法。一个此种电容器可包含第一导体、在所述第一导体上面的第二导体及在所述第一导体与所述第二导体之间的电介质。所述电介质不覆盖所述第一导体的一部分；且所述第二导体不覆盖所述第一导体的未被所述电介质覆盖的所述部分。

Capacitors, equipment containing capacitors and methods for forming capacitors

【技术实现步骤摘要】
电容器、包含电容器的设备及用于形成电容器的方法分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2012年8月21日、申请号为201280048397.0、专利技术名称为“电容器、包含电容器的设备及用于形成电容器的方法”的专利技术专利申请案。优先权申请本申请案主张2011年8月22日申请的第13/214,902号美国申请案的优先权权益，所述美国申请案以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术大体来说涉及电容器，且在特定实施例中，涉及一种用于存储电能并向多种装置(包含半导体装置)提供电能的平行板电容器。
技术介绍
电容器为用于存储电能并向其它电元件提供电能的基本电元件。其用于当今大多数的电装置及/或电子装置中且随着技术快速演进不断地将其应用范围扩展到新型高科技装置(例如半导体装置)中。尽管存在大量可供在此些半导体装置中使用的电容器(例如，金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)电容器)，但随着多年以来半导体装置的密度已迅猛且稳定地增加，对在大小上更小且在存储容量上更大的电容器的需求一直不断且日益增加。
技术实现思路
本申请的一实施例提供一种存储器装置，其包括：第一导电层，第二导电层，其在所述第一导电层上面，及第三导电层，其在所述第二导电层上面，所述导电层的每一者从所述导电层中的剩余层中的下伏的一者的上表面端部后退；第一电介质层和第二电介质层，每一电介质层安置在相应相邻的导电层之间，所述电介质层中的每一者不覆盖下伏导电层的所述上表面端部的至少一部分；第一接触电极和第二接触电极，其中所述第一接触电极和所述第二接触电极彼此电隔离；及电耦合到所述第一导电层和所述第三导电层的触点，所述触点中的第一个安置在所述第一导电层的相应部分的第一横向侧上，第二触点安置在所述第二导电层的相应部分，其中所述第一触点耦合到所述第一接触电极，且所述第二触点耦合到所述第二接触电极。本申请的又一实施例提供一种存储器装置，其包括：三维存储器单元区；及外围区，其邻近于所述存储器单元区以向所述三维存储器单元区供应至少一个电压，所述外围区包含：多个导电层，所述多个导电层至少包含第一导电层，位于在所述第一导电层上面的第二导电层及位于所述第二导电层上面的第三导电层，所述导电层中的每一者从所述导电层中的剩余层中的下伏的一者的上表面端部后退；以及多个电介质层，所述多个电介质层包含至少第一电介质层和第二电介质层，每一电介质层安置在相应相邻的导电层之间，所述电介质层中的每一者不覆盖下伏导电层的所述上表面端部的至少一部分；及第一接触电极和第二接触电极，其中所述第一接触电极和所述第二接触电极彼此电隔离。本申请的再一实施例提供一种存储器结构，其包含：三维存储器单元区，其包括多个导电字线；及电荷泵，所述电荷泵邻近所述存储器单元区，所述电荷泵通过耦合到所述三维存储器单元区的一个或多个接触电极供应至少一个电压到所述三维存储器单元区，所述电荷泵包含多个电容器；及开关电路，其从电压源提供电压到所述电荷泵；其中所述多个电容器通过第一导电层、第二导电层和第三导电层彼此上下布置形成，且通过第一电介质层和第二电介质层彼此隔离；且其中所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层也形成所述三维存储器单元区的相应导电字线。附图说明图1A展示电容器的一个说明性实施例的透视图。图1B展示图1A中所展示的电容器沿着线A-A'截取的横截面图。图1C展示图1A中所展示的电容器的平面图。图2A展示电容器的另一说明性实施例的透视图。图2B展示图2A中所展示的电容器沿着线B-B'截取的横截面图。图2C展示图2A中所展示的电容器的平面图。图2D展示图2A中所展示的电容器的示意性电路图。图3A展示电容器的又一说明性实施例的透视图。图3B展示图3A中所展示的电容器沿着线C-C'截取的横截面图。图3C展示图3A中所展示的电容器沿着线D-D'截取的横截面图。图3D展示图3A中所展示的电容器的平面图。图4A及4B展示包含四个接触电极的电容器的说明性实施例的平面图。图5展示包含电容器的快闪存储器装置的说明性实施例的横截面图。图6展示包含多个电容器的电荷泵的说明性实施例。图7展示用于制作电容器的方法的说明性实施例的实例流程图。图8A-8G是图解说明图7中所展示的实例方法及通过所述实例方法制作的结构的一系列图式。图9展示包含非易失性存储器装置的系统的说明性实施例的示意图。具体实施方式本专利技术提供与电容器相关的技术。在一个实施例中，所述电容器可包含第一导体、在所述第一导体上面的第二导体及在所述第一导体与所述第二导体之间的电介质。所述电介质不覆盖所述第一导体的一部分；且所述第二导体不覆盖所述第一导体的未被所述电介质覆盖的所述部分。在另一实施例中，一种电容器可包含彼此上下安置的N个平面导体，所述平面导体中的每一者包含未被安置于其上面的平面导体覆盖的至少一个第一部分，其中N为等于或大于2的自然数。前述实施例仅为说明性且决不打算为限制性。除上述说明性方面、实施例及特征之外，参考图式及以下详细描述，其它方面、实施例及特征也将变得显而易见。在以下详细描述中，参考形成本文的一部分的附图。在图式中，除非上下文另有规定，否则类似符号通常识别类似组件。在详细描述、图式及权利要求书中所描述的说明性实施例并非意在为限制性。在不背离本文中所呈现的标的物的精神或范围的情况下可利用其它实施例且可做出其它改变。将容易理解，可以各种各样的不同配置来布置、替代、组合、分离及设计如本文中大体描述且在图中图解说明的本专利技术方面，所有所述配置均明确地涵盖于本文中。图1A展示电容器的一个说明性实施例的透视图。图1B展示图1A中所展示的电容器沿着线A-A'截取的横截面图。图1C展示图1A中所展示的电容器的平面图。参考图1A-1C，电容器100可包含衬底110及提供于衬底110上的堆叠式主体120。尽管为简单起见图1A-1C中未明确图解说明，但电介质材料(例如氧化硅)可插置于衬底110与堆叠式主体120之间。堆叠式主体120可包含彼此上下安置且彼此实质上平行的第一及第二平面导体(例如，第一平面导电层121a及第二平面导电层121b；下文中可统称为平面导电层121)以及插置于其之间的电介质(例如，电介质层122)。在一个实施例中，第二平面导电层121b及电介质层122可安置于第一导电层121a上以分别仅覆盖下伏第一导电层121a的上表面的一(若干)部分，使得第一导电层121a可包含未被上覆第二平面导电层121b及电介质层122覆盖的一个或一个以上上表面部分(例如，第一上表面部分12a及第二上表面部分12b)。以非限制性实例的方式，一个或一个以上上表面部分12a及12b可为第一平面导电层121a的端部，使得其可与第二平面导电层121b及第一电介质层122一起形成在电容器100的一个或一个以上侧处的一个或一个以上阶梯。在一个实施例中，如图1A-1C中所展示，第二平面导电层121b可在其两个延伸维度中的至少一者上小于其下伏第一平面导电层121a。为方便描述，图1A中展示了xyz坐标系统。此坐标系统中的x及z轴分别指示平面导电层121可沿着其延伸的两个正交方向，且z轴指示正交于x及y轴的方向。在以上坐标系统中，第二平面导电层121b可在沿图1A中所展示的x及y轴的方向的两个维度中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：第一导电层，第二导电层，其在所述第一导电层上面，及第三导电层，其在所述第二导电层上面，所述导电层的每一者从所述导电层中的剩余层中的下伏的一者的上表面端部后退；第一电介质层和第二电介质层，每一电介质层安置在相应相邻的导电层之间，所述电介质层中的每一者不覆盖下伏导电层的所述上表面端部的至少一部分；第一接触电极和第二接触电极，其中所述第一接触电极和所述第二接触电极彼此电隔离；及电耦合到所述第一导电层和所述第三导电层的触点，所述触点中的第一个安置在所述第一导电层的相应部分的第一横向侧上，第二触点安置在所述第二导电层的相应部分，其中所述第一触点耦合到所述第一接触电极，且所述第二触点耦合到所述第二接触电极。

【技术特征摘要】
2011.08.22 US 13/214,9021.一种存储器装置，其包括：第一导电层，第二导电层，其在所述第一导电层上面，及第三导电层，其在所述第二导电层上面，所述导电层的每一者从所述导电层中的剩余层中的下伏的一者的上表面端部后退；第一电介质层和第二电介质层，每一电介质层安置在相应相邻的导电层之间，所述电介质层中的每一者不覆盖下伏导电层的所述上表面端部的至少一部分；第一接触电极和第二接触电极，其中所述第一接触电极和所述第二接触电极彼此电隔离；及电耦合到所述第一导电层和所述第三导电层的触点，所述触点中的第一个安置在所述第一导电层的相应部分的第一横向侧上，第二触点安置在所述第二导电层的相应部分，其中所述第一触点耦合到所述第一接触电极，且所述第二触点耦合到所述第二接触电极。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述相应上表面部分位于所述导电层的至少每个相对端上。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一接触电极与所述第二接触电极共面。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述导电层中的至少一者不与触点耦合且允许浮动。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述层共同形成堆叠式主体，且其中所述相应上表面部分在所述堆叠式主体的相对端的第一端处共同形成第一阶梯。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述相应上表面部分在所述堆叠式主体的所述相对端的第二端处进一步共同形成第二阶梯。7.一种存储器装置，其包括：三维存储器单元区；及外围区，其邻近于所述存储器单元区以向所述三维存储器单元区供应至少一个电压，所述外围区包含：多个导电层，所述多个导电层至少包含第一导电层，位于在所述第一导电层上面的第二导电层及位于所述第二导电层上面的第三导电层，所述导电层中的每一者从所述导电层中的剩余层中的下伏的一者的上表面端部后退；以及多个电介质层，所述多个电介质层包含至少第一电介质层和第二电介质层，每一电介质层安置在相应相邻的导电层之间，所述电介质层中的每一者不覆盖下伏导电层的所述上表面端部的至少一部分；及第一接触电极和第二接触电极，其中所述第一接触电极和所述第二接触电极彼此电隔离。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其进一步包括：第一接触电极；及第二接触电极，其中所述第一接触电极和所述第二接触电极彼此电隔离。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述第一接触电极仅耦合到所述导电层的偶数层，且所述第二接触电极仅耦合到所述导电层的奇数层。10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述导电层中的至少一者不与触点耦合且允许浮动。11.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述第一导电层、所述第二导电层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：权兑辉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US