一种半导体器件及其制作方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有第一芯片，在所述半导体衬底上对应每个所述第一芯片设置有第二芯片，并且在所述半导体衬底上还形成有覆盖所述半导体衬底和第二芯片的塑封材料；对所述塑封材料进行切割，以在相邻的所述第二芯片之间形成凹槽，从而使所述第二芯片两侧的所述塑封材料呈L型；沿所述凹槽切割所述塑封材料和所述半导体衬底，以使所述半导体衬底中的各个所述第一芯片彼此分离，从而形成半导体器件。该制作方法可以克服目前的模块封装工艺中粘结膏软化后所造成的引线键合空间小以及引线厚度的均一性很难控制的问题。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

A Semiconductor Device and Its Fabrication Method and Electronic Device

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。
技术介绍
模块封装(Module-in-Package，简称MiP)是一种周知的封装方法，其能够使不能功能的电子部件组合集成至单个单元内，以提供联系在一起的多种功能。目前的MiP工艺，一般使用粘结膏来堆叠整个模块而不是使用芯片连接薄膜(dieattachfilm)，这是因为粘结膏比芯片连接薄膜具有更强的粘附力，而芯片连接薄膜相对不易粘结在塑封材料上。然而，随着整个封装尺寸变高和变小，这种方法会出现一些问题，比如粘结膏容易软化，软化后导致模块倾斜/塌陷，进而导致引线厚度(Bondlinethickness)太小且没有连接空间，因此很难控制引线厚度的均一性。因此，有必要提出一种半导体器件及其制作方法、电子装置，以改善目前的模块封装工艺。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对现有技术的不足，本专利技术提出一种半导体器件及其制作方法，其可以克服目前的模块封装工艺中粘结膏软化后所造成的引线键合空间小以及引线厚度的均一性很难控制的问题。本专利技术一方面提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有第一芯片，在所述半导体衬底上对应每个所述第一芯片设置有第二芯片，并且在所述半导体衬底上还形成有覆盖所述半导体衬底和所述第二芯片的塑封材料；对所述塑封材料进行切割，以在相邻的所述第二芯片之间形成凹槽，从而使所述第二芯片两侧的所述塑封材料呈L型；沿所述凹槽切割所述塑封材料和所述半导体衬底，以使所述半导体衬底中的各个所述第一芯片彼此分离，从而形成半导体器件。示例性地，使用第一刀具对所述塑封材料进行切割，以在相邻的所述第二芯片之间形成凹槽，从而使所述第二芯片两侧的所述塑封材料呈L型。示例性地，所述使用第一刀具对所述塑封材料进行切割时，所述第一刀具未贯穿所述塑封材料。示例性地，使用第二刀具沿所述凹槽切割所述塑封材料和所述半导体衬底，以使所述半导体衬底中的各个所述第一芯片彼此分离。示例性地，所述第一刀具的厚度大于所述第二刀具的厚度。根据本专利技术的半导体器件的制作方法，通过将塑封材料位于两端/边缘的部分(也即位于第二芯片两侧的部分)设置为L型，从而在进行后续堆叠封装时为引线提供足够的空间，以克服目前的模块封装工艺中粘结膏软化后所造成的引线键合空间小以及引线厚度的均一性很难控制的问题。本专利技术另一方面提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供封装基板；在所述封装基板上堆叠设置多个半导体器件，相邻的所述半导体器件以及所述半导体器件和所述封装基板之间通过粘结膏固定连接，并且堆叠设置的多个所述半导体器件中非位于最底层的半导体器件根据本专利技术的上述的半导体器件的制作方法制作。示例性地，还包括：通过引线连接所述半导体器件和所述封装基板上的焊盘。根据本专利技术的半导体器件的制作方法，由于非最底层的半导体器件的塑封材料位于两端/边缘的部分(也即位于第二芯片两侧的部分)设置为L型，因此即使粘结膏软化也可以为引线提供足够的空间，从而克服了目前的模块封装工艺中粘结膏软化后所造成的引线键合空间小以及引线厚度的均一性很难控制的问题。本专利技术另一方面提供一种半导体器件，其包括：第一芯片、位于所述第一芯片之上的第二芯片，以及覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的塑封材料，所述塑封材料位于所述第二芯片两侧的部分呈L型。根据本专利技术的半导体器件，通过将塑封材料位于两端/边缘的部分(也即位于第二芯片两侧的部分)设置为L型，从而在进行后续堆叠封装时为引线提供足够的空间，以克服目前的模块封装工艺中粘结膏软化后所造成的引线键合空间小以及引线厚度的均一性很难控制的问题。本专利技术另一方面提供一种半导体器件，其包括：封装基板；在所述封装基板上堆叠设置多个半导体器件，相邻的所述半导体器件以及所述半导体器件和所述封装基板之间通过粘结膏固定连接，其中，堆叠设置的多个所述半导体器件中非位于最底层的半导体器件包括第一芯片、位于所述第一芯片之上的第二芯片，以及覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的塑封材料，所述塑封材料位于所述第二芯片两侧的部分呈L型。根据本专利技术的半导体器件，由于非最底层的半导体器件的塑封材料位于两端/边缘的部分(也即位于第二芯片两侧的部分)设置为L型，因此即使粘结膏软化也可以为引线提供足够的空间，从而克服了目前的模块封装工艺中粘结膏软化后所造成的引线键合空间小以及引线厚度的均一性很难控制的问题。本专利技术的又一方面提供一种电子装置，其包括如上所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。本专利技术提出的电子装置，由于具有上述半导体器件，因而具有类似的优点。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1A和图1B示出采用目前一种模块封装方法形成的半导体器件的示意性结构图；图2为根据本专利技术一实施方式的半导体器件的制作方法的步骤流程图；图3A～图3D示出根据本专利技术一实施方式的半导体器件的制作方法依次实施各步骤所形成的器件的示意性剖面图；图4为根据本专利技术一实施方式的半导体器件的示意性结构图；图5示出了根据本专利技术一实施方式的电子装置的结构示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有第一芯片，在所述半导体衬底上对应每个所述第一芯片设置有第二芯片，并且在所述半导体衬底上还形成有覆盖所述半导体衬底和所述第二芯片的塑封材料；对所述塑封材料进行切割，以在相邻的所述第二芯片之间形成凹槽，从而使所述第二芯片两侧的所述塑封材料呈L型；沿所述凹槽切割所述塑封材料和所述半导体衬底，以使所述半导体衬底中的各个所述第一芯片彼此分离，从而形成半导体器件。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有第一芯片，在所述半导体衬底上对应每个所述第一芯片设置有第二芯片，并且在所述半导体衬底上还形成有覆盖所述半导体衬底和所述第二芯片的塑封材料；对所述塑封材料进行切割，以在相邻的所述第二芯片之间形成凹槽，从而使所述第二芯片两侧的所述塑封材料呈L型；沿所述凹槽切割所述塑封材料和所述半导体衬底，以使所述半导体衬底中的各个所述第一芯片彼此分离，从而形成半导体器件。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，使用第一刀具对所述塑封材料进行切割，以在相邻的所述第二芯片之间形成凹槽，从而使所述第二芯片两侧的所述塑封材料呈L型。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述使用第一刀具对所述塑封材料进行切割时，所述第一刀具未贯穿所述塑封材料。4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，使用第二刀具沿所述凹槽切割所述塑封材料和所述半导体衬底，以使所述半导体衬底中的各个所述第一芯片彼此分离。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一刀具的厚度大于所述第二刀具的厚度。6.一种半导体器件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31