一种半导体器件及其制作方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于氧化层之上的第一导电层；形成覆盖所述第一导电层和氧化层的第一绝缘层；在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁，以覆盖所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域；在所述第一绝缘层之上形成第二导电层。该制作方法可以克服目前的高压器件中第二多晶硅层存在桥接的问题。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

A Semiconductor Device and Its Fabrication Method and Electronic Device

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。
技术介绍
在集成电路制造中不仅涉及常规低的MOS器件，还会涉及各种高压MOS器件，以应用于高压场景中。目前开发出的一种高压器件产品采用交叉状的双层多晶硅来实现耐高压，其原理为第一多晶硅层、中间氧化层和第二多晶硅层会产生感生电势，将空穴往下推(PMOS器件为例)，形成高阻区从而实现耐高压。在研发过程中发现第二多晶硅层有桥接(bridge)现象。晶圆失效分析显示在第一多晶硅层的侧壁区域，在氧化层底部有第二多晶硅层残留，从而导致第二多晶硅层桥接。因此有必要提出一种半导体器件及其制作方法、电子装置，以至少部分解决上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对现有技术的不足，本专利技术提出一种半导体器件及其制作方法，可以克服目前的高压器件中第二多晶硅层存在桥接的问题。为了克服目前存在的问题，本专利技术一方面提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于氧化层之上的第一导电层；形成覆盖所述第一导电层和氧化层的第一绝缘层；在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁，以覆盖所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域；在所述第一绝缘层之上形成第二导电层。可选地，所述在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁包括：形成覆盖所述第一绝缘层的第二绝缘层；去除所述第二绝缘层位于所述氧化层和所述第一导电层顶部的部分，保留位于所述第一导电层侧壁的部分。可选地，采用整面刻蚀方法去除所述第二绝缘层位于所述氧化层和所述第一导电层顶部的部分。可选地，所述第二绝缘层通过炉管工艺形成。可选地，所述在所述第一导电层的侧壁上形成位于所述第一绝缘层之上的间隙壁还包括：执行光刻胶去除工艺和湿法去除工艺，以去除聚合物。可选地，所述在所述第一绝缘层之上形成第二导电层包括：沉积覆盖所述第一绝缘层的第二导电材料层；对所述第二导电材料层进行图形化刻蚀，以形成所述第二导电层。可选地，所述第一导电层沿第一方向延伸，所述第二导电层沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直。根据本专利技术的半导体器件的制作方法，通过在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁，以覆盖所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域，使得后续形成第二导电层时不会在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域也沉积第二导电层，这样当第二导电层刻蚀完成之后在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域不再存在残留的第二导电层，从而避免了第二导电层的桥接。本专利技术另一方面提供一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于氧化层之上的第一导电层；在所述第一导电层和氧化层之上形成有第一绝缘层；在所述第一导电层的侧壁上形成位于所述第一绝缘层之上的间隙壁，以覆盖所述第一导电层侧壁下方的底切区域；在所述第一绝缘层之上形成有第二导电层。可选地，所述第一导电层沿第一方向延伸，所述第二导电层沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直。根据本专利技术的半导体器件，由于形成有覆盖所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层下方底切区域的间隙壁，使得该区域不会存在残留的第二导电层，从而避免了第二导电层的桥接。本专利技术再一方面提供一种电子装置，其包括如上所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。本专利技术提出的电子装置，由于具有上述半导体器件，因而具有类似的优点。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1A示出一种高压PMOS器件的示意性剖面图；图1B示出图1A所示高压PMOS器件中的第一多晶硅层(P1)和第二多晶硅层(P2)的示意性布图。图2示出根据本专利技术一实施方式的半导体器件的制作方法的步骤流程图；图3A～图3E示出了根据本专利技术一实施方式的半导体器件的制作方法依次实施各步骤所获得半导体器件的剖面示意图；图4示出了根据本专利技术一实施方式的电子装置的示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。图1A示出一种高压PMOS器件的示意性剖面图；图1B示出图1A所示高压PMOS器件中的第一多晶硅层P1和第二多晶硅层P2的示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于氧化层之上的第一导电层；形成覆盖所述第一导电层和氧化层的第一绝缘层；在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁，以覆盖所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域；在所述第一绝缘层之上形成第二导电层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于氧化层之上的第一导电层；形成覆盖所述第一导电层和氧化层的第一绝缘层；在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁，以覆盖所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域；在所述第一绝缘层之上形成第二导电层。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁包括：形成覆盖所述第一绝缘层的第二绝缘层；去除所述第二绝缘层位于所述氧化层和所述第一导电层顶部的部分，保留位于所述第一导电层侧壁的部分。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用整面刻蚀方法去除所述第二绝缘层位于所述氧化层和所述第一导电层顶部的部分。4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层通过炉管工艺形成。5.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一导电层的侧壁上形成位于所述第一绝缘层之上的间隙壁还包括：执行光刻胶去除工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：马莹，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31