一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法技术

本发明专利技术公开了一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法，包括以下步骤：(1)前处理；(2)水洗；(3)镍处理；(4)水洗：将镀镍后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗，每一个水洗槽中的清洗时间为120秒，在水洗槽中水洗时，连续不断地向水洗槽中加入去离子水，所述去离子水的流量不低于10L/分钟；(5)酸活化；(6)锡铅处理；(7)水洗；(8)中和：将步骤(7)水洗之后的电阻器放入中和液中中和处理；(9)水洗：将中和处理之后的电阻器水洗180秒；(10)烘干。本发明专利技术降低军品可焊性不良率到1％左右，减少军品返工率，节约电镀成本；而且提高电镀电阻器质量，减少电阻器质量隐患，减少客户对电阻器可焊性的投诉。

A Method to Reduce the Bad Weldability Rate of Military Thick Film and Thin Film Chip Resistors

The invention discloses a method for reducing the bad weldability rate of military thick film and thin film chip resistors, which includes the following steps: (1) pretreatment; (2) water washing; (3) nickel treatment; (4) water washing: the resistors after nickel plating are sequentially put into three water washing tanks for cleaning, and the cleaning time in each tank is 120 seconds. When washing in the water washing tank, the resistors are continuously added to the water washing tank. When deionized water is added, the flow rate of the deionized water is not less than 10L/min; (5) acid activation; (6) tin-lead treatment; (7) water washing; (8) neutralization: the resistor after water washing is put into Neutralization Solution for neutralization; (9) water washing: the resistor after neutralization treatment is washed for 180 seconds; (10) drying. The invention reduces the bad weldability rate of military products to about 1%, reduces the rework rate of military products and saves the cost of electroplating, improves the quality of electroplating resistors, reduces the hidden danger of resistor quality, and reduces customer complaints about the weldability of resistors.

【技术实现步骤摘要】
一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法
本专利技术属于电子器件生产
，具体涉及一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法。
技术介绍
厚膜、薄膜片式电阻器在电镀后，做可焊性时，有3％左右的批次可焊性不良，在显微镜下观察不合格样品，发现不合格样品局部上锡不好。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法，提高电阻器可焊性的合格率。本专利技术的技术方案为：一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法，包括以下步骤：(1)前处理：对电阻器进行前处理；(2)水洗：将进行前处理后的电阻器水洗；(3)镍处理：根据产品规格、型号选择相应的电镀电流，对水洗之后的电阻器镀镍；(4)水洗：将镀镍后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗，每一个水洗槽中的清洗时间为120秒，在水洗槽中水洗时，连续不断地向水洗槽中加入去离子水，所述去离子水的流量不低于10L/分钟；(5)酸活化：将经由步骤(4)水洗之后的电阻器进行酸活化；(6)锡铅处理：根据产品规格、型号选择相应的电镀电流，镀锡铅时间120分钟；(7)水洗：将锡铅处理后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗，每一个水洗槽中的清洗时间为180秒；(8)中和：将步骤(7)水洗之后的电阻器放入中和液中中和处理；(9)水洗：将中和处理之后的电阻器水洗180秒；(10)烘干：将步骤(9)水洗之后的电阻器在温度90℃下，烘干16min。作为优选，所述前处理液的质量浓度为30％，处理时间为180秒。作为优选，所述步骤(2)中水洗时间为180秒。作为优选，所述步骤(3)中镀镍时间180分钟。作为优选，所述步骤(5)中酸活化液的质量浓度为30～35％，酸活化时间为120～180秒。作为优选，所述步骤(5)中酸活化液的质量浓度为35％，酸活化时间为180秒。作为优选，所述步骤(8)中中和液的质量浓度为30％，中和时间为180秒。本专利技术在现有工艺上作优选改进，其中所使用的试剂溶液均采用现有方法中所使用的试剂溶液。为了增强电镀镍层钝化膜的去除，本专利技术将通过试验，提高酸活化液的配比浓度为35％；而且现有处理方法中酸活化液每月更换一次，通过试验，本专利技术酸活化液目前是15天更换1次；而且现有酸活化时间是120秒，本专利技术中军品酸活化时间为180秒。为了使得军品电阻器电镀镍后清洗彻底，减少镍层钝化膜的产生：(1)现有产品在镀镍后清洗水的流量没有规定，清洗水的流量时大时小，通过试验，本专利技术中将清洗水的流量设定为不低于10L/分钟，有流量计控制，当清洗水流量低于10L/分钟时，不得对镀镍产品进行清洗。(2)现有产品镀镍后清洗槽中水的纯度没有规定，清洗槽中水的纯度时高时低。通过试验，目前清洗槽中水的纯度有电导率仪控制，低于规定值，电镀员工需对清洗槽中的水进行更换，(3)现有军品的镍后水洗只有2次，时间是120秒/次。通过试验，本专利技术军品电阻器镀镍后水洗为3次，清洗时间未变。为了缩短军品镍处理后的停顿时间，减少镍层钝化膜的产生，本专利技术通过试验，产品镀镍处理完毕，清洗干净后由现有工艺中30分钟内进行锡铅处理改为20分钟内必须进行锡铅处理，并且不允许长时间停放。与现有技术相比，本专利技术的有益效果体现在：本专利技术降低军品可焊性不良率到1％左右，减少军品返工率，节约电镀成本；而且提高电镀电阻器质量，减少电阻器质量隐患，减少客户对电阻器可焊性的投诉。附图说明图1为现有工艺处理之后的产品情况。图2为采用本专利技术处理之后的产品情况。具体实施方式实施例1一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法，包括以下步骤：(1)前处理：对电阻器进行前处理；(2)水洗：将进行前处理后的电阻器水洗；(3)镍处理：根据产品规格、型号选择相应的电镀电流，对水洗之后的电阻器镀镍；(4)水洗：将镀镍后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗，每一个水洗槽中的清洗时间为120秒，在水洗槽中水洗时，连续不断地向水洗槽中加入去离子水，所述去离子水的流量不低于10L/分钟；(5)酸活化：将经由步骤(4)水洗之后的电阻器进行酸活化；(6)锡铅处理：根据产品规格、型号选择相应的电镀电流，镀锡铅时间120分钟；(7)水洗：将锡铅处理后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗，每一个水洗槽中的清洗时间为180秒；(8)中和：将步骤(7)水洗之后的电阻器放入中和液中中和处理；(9)水洗：将中和处理之后的电阻器水洗180秒；(10)烘干：将步骤(9)水洗之后的电阻器在温度90℃下，烘干16min。其中前处理液的质量浓度为30％，处理时间为180秒。步骤(2)中水洗时间为180秒。步骤(3)中镀镍时间180分钟。步骤(5)中酸活化液的质量浓度为30～35％，酸活化时间为120～180秒。步骤(5)中酸活化液的质量浓度为35％，酸活化时间为180秒。步骤(8)中中和液的质量浓度为30％，中和时间为180秒。为了增强电镀镍层钝化膜的去除，本专利技术将通过试验，提高酸活化液的配比浓度为35％；而且现有处理方法中酸活化液每月更换一次，通过试验，本专利技术酸活化液目前是15天更换1次；而且现有酸活化时间是120秒，本专利技术中军品酸活化时间为180秒。为了使得军品电阻器电镀镍后清洗彻底，减少镍层钝化膜的产生：(1)现有产品在镀镍后清洗水的流量没有规定，清洗水的流量时大时小，通过试验，本专利技术中将清洗水的流量设定为不低于10L/分钟，有流量计控制，当清洗水流量低于10L/分钟时，不得对镀镍产品进行清洗。(2)现有产品镀镍后清洗槽中水的纯度没有规定，清洗槽中水的纯度时高时低。通过试验，目前清洗槽中水的纯度有电导率仪控制，低于规定值，电镀员工需对清洗槽中的水进行更换，(3)现有军品的镍后水洗只有2次，时间是120秒/次。通过试验，本专利技术军品电阻器镀镍后水洗为3次，清洗时间未变。为了缩短军品镍处理后的停顿时间，减少镍层钝化膜的产生，本专利技术通过试验，产品镀镍处理完毕，清洗干净后由现有工艺中30分钟内进行锡铅处理改为20分钟内必须进行锡铅处理，并且不允许长时间停放。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)前处理：对电阻器进行前处理；(2)水洗：将进行前处理后的电阻器水洗；(3)镍处理：根据产品规格、型号选择相应的电镀电流，对水洗之后的电阻器镀镍；(4)水洗：将镀镍后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗，每一个水洗槽中的清洗时间为120秒，在水洗槽中水洗时，连续不断地向水洗槽中加入去离子水，所述去离子水的流量不低于10L/分钟；(5)酸活化：将经由步骤(4)水洗之后的电阻器进行酸活化；(6)锡铅处理：根据产品规格、型号选择相应的电镀电流，镀锡铅时间120分钟；(7)水洗：将锡铅处理后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗，每一个水洗槽中的清洗时间为180秒；(8)中和：将步骤(7)水洗之后的电阻器放入中和液中中和处理；(9)水洗：将中和处理之后的电阻器水洗180秒；(10)烘干：将步骤(9)水洗之后的电阻器在温度90℃下，烘干16min。

【技术特征摘要】
1.一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)前处理：对电阻器进行前处理；(2)水洗：将进行前处理后的电阻器水洗；(3)镍处理：根据产品规格、型号选择相应的电镀电流，对水洗之后的电阻器镀镍；(4)水洗：将镀镍后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗，每一个水洗槽中的清洗时间为120秒，在水洗槽中水洗时，连续不断地向水洗槽中加入去离子水，所述去离子水的流量不低于10L/分钟；(5)酸活化：将经由步骤(4)水洗之后的电阻器进行酸活化；(6)锡铅处理：根据产品规格、型号选择相应的电镀电流，镀锡铅时间120分钟；(7)水洗：将锡铅处理后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗，每一个水洗槽中的清洗时间为180秒；(8)中和：将步骤(7)水洗之后的电阻器放入中和液中中和处理；(9)水洗：将中和处理之后的电阻器水洗180秒；(10)烘干：将步骤(9)水洗之后的电阻器在温度90℃下，烘干16mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：简佩，韩玉成，王家学，鲁廷祥，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52