浮置的封装加强肋制造技术

在此的实施例可以涉及具有一个或多个层的封装。硅管芯可以经由粘合剂与所述一个或多个层耦合。封装加强肋也可以与邻近于管芯的粘合剂耦合。磁性薄膜可以与封装加强肋耦合。可以描述和/或要求保护其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】浮置的封装加强肋相关申请。本申请要求2016年10月27日提交的题为“FLOATINGPACKAGESTIFFENER”的美国申请15/335,999的优先权。
本公开一般地涉及半导体封装的领域，并且更具体地涉及与封装结合的加强肋的使用。
技术介绍
一般地，半导体封装（在此被称为“封装”）可以包括诸如安装在该封装顶部上的薄金属环的加强肋。该加强肋可以帮助防止封装的翘曲。在一些情况下，当加强肋在WiFi波段频率处共振时，浮置的（也就是，非接地的）加强肋可能成为射频干扰（RFI）的源。共振的加强肋可以充当与信号耦合的天线并且进一步将噪声传播到附近的WiFi无线电，这可能造成最终的无线电灵敏度下降。在传统封装中，可以通过一个或多个阻焊开口（SolderResistOpening，SRO）来将加强肋接地，该一个或多个阻焊开口可以包括接地点以使加强肋的共振频率偏移远离WiFi波段。然而，SRO的实现可能使封装的设计和组装复杂化。附加地，SRO的接地方案可能限制迹线布设中的灵活性，因为SRO之间的空间可能需要是少于8毫米（mm）的，以便有效地降低加强肋的RFI水平。更进一步地，可能需要通过将诸如片状银粉的导电材料与非导电的环氧树脂进行混合而使封装和加强肋之间的粘合剂为导电的，由此增加了封装的制造成本。片状银粉还可能降低粘合剂的接合强度，并且引起经一段时间之后加强肋剥离。附图说明通过以下与随附附图结合的详细描述将容易理解实施例。为了便于这种描述，同样的参考标号指定同样的结构要素。在随附附图的各图中，通过示例的方式而不是通过限制的方式图示实施例。图1可以描绘依照各种实施例的具有加强肋的封装的示例自顶向下视图。图2可以描绘依照各种实施例的图1的封装的示例侧视图。图3可以描绘依照各种实施例的图1的封装的替换示例侧视图。图4可以描绘依照各种实施例的制作图1的封装的示例处理。图5描绘依照各种实施例的可以包括一个或多个锚定引脚的示例计算设备。具体实施方式在此的实施例涉及通过在浮置的封装加强肋顶部上放置有损磁性薄膜来减轻上面描述的加强肋RFI。在一些实施例中，磁性薄膜可以具有大于或者等于近似20的磁导率。在一些实施例中，磁性薄膜可以具有大于或者等于近似0.1的磁损耗正切。在一些实施例中，磁性薄膜可以具有大于或者等于近似0.5微米（μm）的厚度。可以描述和/或要求保护其它实施例。更一般地，在此的实施例可以使用与加强肋耦合的有损磁性薄膜以减弱由共振的加强肋辐射的噪声。在一些实施例中该加强肋可以是浮置的。这种膜的使用可以减小或者消除由共振的加强肋引起的噪声以免传播到天线并且引起性能的下降。在以下的详细描述中，参考构成本文的一部分的随附附图，其中贯穿于附图同样的标号指定同样的部分，并且在随附附图中通过图解示出的方式示出其中可以实践本公开的主题的实施例。要理解的是可以利用其它实施例并且在不脱离本公开的范围的情况下可以作出结构上或者逻辑上的改变。因此，以下的详细描述不应被当作限制的意义，并且实施例的范围是由所附权利要求及其等同物限定的。出于本公开的目的，表述“A和/或B”意味着（A）、（B）、或者（A和B）。出于本公开的目的，表述“A，B，和/或C”意味着（A）、（B）、（C）、（A和B）、（A和C）、（B和C）、或者（A、B和C）。本描述可以使用表述“在一个实施例中”或者“在实施例中”，其每个都可以指代相同的或者不同的实施例中的一个或多个。更进一步地，如关于本公开的实施例使用的术语“包括”“包括有”和“具有”等是同义词。在此可以使用术语“与…耦合”及它的派生词。“耦合的”可以意味着以下中的一个或多个。“耦合的”可以意味着两个或更多个元件直接地物理或者电接触。然而，“耦合的”也可以意味着两个或更多个元件间接地彼此接触，但是仍然还彼此合作或者相互作用，并且可以意味着一个或多个其它元件被耦合或者连接在所说的彼此耦合的元件之间。在各种实施例中，表述“在第二层上形成的第一层”可以意味着第一层是在第二层上面形成的，并且第一层的至少一部分可以与第二层的至少一部分直接接触（例如，直接物理和/或电接触）或者间接接触（例如，在第一层和第二层之间具有一个或多个其它层）。在各种实施例中，表述“在第二特征上形成、沉积或者另外部署的第一特征”可以意味着第一特征是在第二特征上面形成、沉积或者部署的，并且第一特征的至少一部分可以与第二特征的至少一部分直接接触（例如，直接物理和/或电接触）或者间接接触（例如，在第一特征和第二特征之间具有一个或多个其它特征）。图1描绘依照各种实施例的具有加强肋的封装100的示例自顶向下视图。在一些实施例中，封装100可以包括与封装100的一个或多个层中的一层耦合的一个或多个硅切块105。例如，硅切块105可以与粘合剂层110耦合。在一些情况下粘合剂层110可以是诸如包括树脂和硬化剂的非导电环氧树脂的非导电粘合剂层，和/或一些其它类型的非导电粘合剂层。封装100还可以包括加强肋（未示出），其可以是浮置的或者非接地的加强肋。如将在下面进一步详细描述那样，该加强肋可以具有部署在其上的一层有损磁性材料115。硅管芯105例如可以是诸如处理器、存储器（诸如易失性或者非易失性存储器）的管芯，或者一些其它类型的管芯。虽然在图1中描绘了两个切块，但是在其它实施例中封装100可以具有与所描绘的相比更多或者更少的切块。一般地，将理解的是意图将图1中描绘的示例作为示例配置并且其它实施例可以具有不同的配置。例如，虽然加强肋和有损磁性材料115被描绘成实质上在封装100的周界处围绕切块105，但是在其它的实施例中加强肋和有损磁性材料115可以仅被定位在比封装100的所有侧更少的侧上。在一些实施例中，加强肋和有损磁性材料115可以不在封装100的周界处，而是相反定位在封装100的周界内部，使得粘合剂层110的一部分被暴露在加强肋周界的外部。在一些实施例中，封装100的一个或多个层可以被进一步暴露在加强肋和/或粘合剂层110的周界之外。在一些实施例中，有损磁性材料115可以不完全覆盖加强肋，而是相反可以只覆盖加强肋的一部分。在一些实施例中，有损磁性材料115可以具有与加强肋的横向区域相比更大的横向区域，使得有损磁性材料115通常在加强肋的一个或多个部分处突出于加强肋。图2描绘依照各种实施例的图1的封装100的示例侧视图。例如，封装200可以是封装100的沿着如图1中示出的线A-A的横截面视图。图2的元件可以与图1的元件相似地编号。具体地，封装200可以包括有损磁性材料215、粘合剂层210以及管芯205，其可以分别地相似于有损磁性材料115、粘合剂层110以及管芯105。如图2中示出那样，有损磁性材料215可以与诸如加强肋220的加强肋耦合。在实施例中，加强肋220可以由钢和/或一些其它导电材料、金属和/或合金组成。可以通过诸如层压、溅射和/或一些其它沉积或者放置技术的一种或多种技术将有损磁性材料215部署在加强肋220上。在一些实施例中，可以将有损磁性材料215直接部署在加强肋220上，而在其它实施例中有损磁性材料215和加强肋220可以经由粘合剂与彼此耦合。材料（例如有损磁性材料215）具有由被称为“磁导率”的特性的实部和虚部典型地表示的取决于频率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装，包括：一个或多个层；硅管芯，经由粘合剂与所述一个或多个层耦合；封装加强肋，邻近于管芯并且与在封装加强肋的第一侧上的粘合剂耦合；以及磁性薄膜，在封装加强肋的与第一侧相对的第二侧上与封装加强肋耦合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.27 US 15/3359991.一种封装，包括：一个或多个层；硅管芯，经由粘合剂与所述一个或多个层耦合；封装加强肋，邻近于管芯并且与在封装加强肋的第一侧上的粘合剂耦合；以及磁性薄膜，在封装加强肋的与第一侧相对的第二侧上与封装加强肋耦合。2.如权利要求1所述的封装，其中粘合剂是非导电的。3.如权利要求1所述的封装，其中粘合剂是导电的。4.如权利要求3所述的封装，其中硅管芯与所述一个或多个层中的一个电耦合。5.如权利要求1至权利要求3中的任何一个所述的封装，其中磁性薄膜具有大于或者等于20的磁导率。6.如权利要求1至权利要求3中的任何一个所述的封装，其中磁性薄膜具有大于或者等于0.1的磁损耗正切。7.如权利要求1至权利要求3中的任何一个所述的封装，其中磁性薄膜具有如在垂直于封装加强肋的第二侧的方向上测量的大于或者等于0.5微米（μm）的厚度。8.如权利要求1至权利要求3中的任何一个所述的封装，其中封装加强肋在平行于封装加强肋的第一侧的平面中围绕硅管芯。9.如权利要求1至权利要求3中的任何一个所述的封装，其中磁性薄膜包括钴铌锆（CoNbZr）。10.一种电子设备封装，包括：母板；以及在封装的第一侧处与母板耦合的封装，其中该封装进一步包括：经由粘合剂层在封装的与第一侧相对的第二侧上与封装耦合的管芯；其中第一侧与邻近于管芯的粘合剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：HH徐，YE何，J李，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US