薄膜及其制备方法与QLED器件技术

本发明专利技术公开薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括叠层设置的第一介质组成的第一介质层、第一金属组成的第一金属层、第二金属与第二介质形成的渐变层；自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高。本发明专利技术所述薄膜中，所述第一金属层的下表面与所述第一介质层形成突变的界面，所述第二金属与所述第二介质形成渐变的界面，金属两侧可以发生双SPE，通过调节金属和介质，两个SPE可以耦合到一起，从而起到增强的效果。本发明专利技术在QLED器件中引入薄膜，可以达到增强QLED器件发光的效果。

Thin Film and Its Preparation Method and QLED Devices

【技术实现步骤摘要】
薄膜及其制备方法与QLED器件
本专利技术涉及QLED器件领域，尤其涉及薄膜及其制备方法与QLED器件。
技术介绍
表面等离子增强效应（surfaceplasmaenhancementSPE）是无机纳米材料的另一令人着迷的性质。如对于币族金属，如银、金、铜，其纳米尺寸下的单体会对特定波长的外界电磁波的激发产生共振，达到增强信号的效果。这同样可以用于光电转换器件。例如，对发光显示二极管，纳米金粒子带来的表面增强效应可用于放大半导体材料发出的光，从而提升发光效率。同时，纳米金粒子也可以分散在溶剂体系中，以便于进行后续旋涂、喷涂、喷墨打印等加工工艺。之前的表面等离子增强效应主要通过真空方法制备特殊结构获得，通过单独沉积纳米金属层获得。这些工艺对于大面积、溶液加工法制备光电子器件来说成本较高、制备工艺复杂、重复性差、无法量产等。氧化锌(ZnO)是一种宽禁带材料，其禁带带隙在室温下约为3.37eV，且激子结合能高，属于n型导体，透光率高，电阻小，在光电转换和光电子器件中，如薄膜太阳能电池、有机薄膜发光二极管和量子点薄膜发光二极管，作为电子传输层，有着广泛且深入的应用。类似的，氧化镍(NiO)同样作为宽禁带材料，有着出色化学稳定性和优良的光、电、磁学性能，属于p型的NiO半导体，因此同样受到半导体行业的青睐。而纳米氧化锌兼具纳米材料和氧化锌的双重特性，尺寸的缩小伴随着表面电子结构和晶体结构的变化，产生了宏观氧化锌所不具有的表面效应、体积效应、量子尺寸效应和宏观隧道效应，还具有高分散性的特点，可分散到有机溶剂中，为基于溶液进行的后期加工工艺，如喷涂、刮涂、喷墨打印创造了可能性。近年来，国内外已有诸多研究致力于将纳米金属粒子负载在纳米氧化锌或氧化镍结构上，以构造纳米复合材料兼顾两种材料的优点，用于制造电子传输层，同时提高光电器件效率。然而，当中所采用的工艺都是气相沉积、蒸镀或蚀刻等方法，制造成本高，能耗高，材料利用率低，不符合工业化规模化的生产需求。同时不能够有效利用纳米颗粒材料易于溶剂化的特点。喷墨打印技术近年来在光电子器件制造吸引了广泛的关注，特别是在薄膜显示器件制造技术中被认为是解决成本问题和实现规模化的有效途径，这种技术可结合基于溶液的功能性材料和先进的喷墨打印设备来制作薄膜显示屏，可提高材料的利用率，降低成本，提高产能。但喷墨打印设备对墨水的物理性能要求较高，例如合适的沸点、粘度、表面张力、以及分散均匀稳定的溶质，给墨水配制带来较大的困难。同时必须考虑墨水是否会对器件的其他结构造成物理或化学性质的改变和损毁。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供薄膜及其制备方法与QLED器件，旨在解决现有的QLED器件的发光效率仍有待于提高的问题。本专利技术的技术方案如下：一种薄膜，其中，包括叠层设置的第一介质组成的第一介质层、第一金属组成的第一金属层、第二金属与第二介质形成的渐变层；自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高。所述的薄膜，其中，所述第一介质为N型金属氧化物和P型金属氧化物中的一种，和/或所述第二介质为N型金属氧化物和P型金属氧化物中的一种。所述的薄膜，其中，所述N型金属氧化物为氧化钛、氧化锌和掺杂氧化锌中的一种或多种，和/或所述P型金属氧化物为氧化镍、掺杂氧化镍、WO、MoOx中的一种或多种。所述的薄膜，其中，所述第一金属为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种。所述的薄膜，其中，所述第二金属为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种。一种薄膜，其中，包括叠层设置的第一金属与第一介质形成的第一渐变层、第二金属与第二介质形成的第二渐变层；所述第一渐变层中，自靠近第二渐变层的位置向远离第二渐变层的方向上，所述第一介质的质量浓度由低到高；所述第二渐变层中，自靠近第一渐变层的位置向远离第一渐变层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高。所述的薄膜，其中，所述第一介质为N型金属氧化物和P型金属氧化物中的一种，和/或所述第二介质为N型金属氧化物和P型金属氧化物中的一种。所述的薄膜，其中，所述N型金属氧化物为氧化钛、氧化锌和掺杂氧化锌中的一种或多种；和/或所述P型金属氧化物为氧化镍、掺杂氧化镍、WOx、MoOx中的一种或多种。所述的薄膜，其中，所述第一金属为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种，和/或所述第二金属为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种。一种QLED器件，其中，所述QLED器件包括叠层设置的阳极、如上所述薄膜、量子点发光层及阴极，所述薄膜中的第一介质和第二介质均为P型金属氧化物；所述薄膜中的渐变层与所述量子点发光层叠合。一种QLED器件，其中，所述QLED器件包括叠层设置的阳极、如上所述薄膜、量子点发光层及阴极，所述薄膜中的第一介质和第二介质均为P型金属氧化物；所述薄膜中的第二渐变层与所述量子点发光层叠合。一种QLED器件，其中，所述QLED器件包括叠层设置的阳极、量子点发光层、如上所述薄膜及阴极，所述薄膜中的第一介质和第二介质均为N型金属氧化物；所述薄膜中的渐变层与所述量子点发光层叠合。一种QLED器件，其中，所述QLED器件包括叠层设置的阳极、量子点发光层、如上所述薄膜及阴极，所述薄膜中的第一介质和第二介质均为N型金属氧化物；所述薄膜中的第二渐变层与所述量子点发光层叠合。一种薄膜的制备方法，其中，包括步骤：制备第一介质层；在第一介质层上制备第一金属层；在第一金属层上涂覆第二介质和第二金属的共混液，加热条件下在第一金属层上制备得到第二金属和第二介质形成的渐变层；自靠近第一金属层的位置向远离第一金属层的方向，所述渐变层中的第二介质的质量浓度由低到高。有益效果：本专利技术所述薄膜中，所述第一金属层的下表面与所述第一介质层形成突变的界面，所述第二金属与所述第二介质形成渐变的界面，金属两侧可以发生双SPE，通过调节金属和介质，两个SPE可以耦合到一起，从而起到增强的效果。本专利技术在QLED器件中引入薄膜，使得实现了更高效的QLED器件发光效率，同时也更能满足QLED器件及相应显示技术的综合性能要求。附图说明图1为本专利技术一种薄膜的结构示意图。图2为本专利技术QLED器件较佳实施例的结构示意图。图3为本专利技术QLED器件另一较佳实施例的结构示意图。图4为本专利技术实施例1、实施例2和对照例1的QLED器件的发光光谱图。具体实施方式本专利技术提供薄膜及其制备方法与QLED器件，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术提供一种薄膜，如图1所示，包括叠层设置的第一介质组成的第一介质层1、第一金属组成的第一金属层2、第二金属与第二介质形成的渐变层3；自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高。具体地，自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上，所述第二金属的质量浓度从100%渐变到0%，所述第二介质的质量浓度从0%渐变到100%。本专利技术还提供一种薄膜，其中，包括叠层设置的第一金属与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜，其特征在于，包括叠层设置的第一介质组成的第一介质层、第一金属组成的第一金属层、第二金属与第二介质形成的渐变层；自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜，其特征在于，包括叠层设置的第一介质组成的第一介质层、第一金属组成的第一金属层、第二金属与第二介质形成的渐变层；自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高。2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第一介质为N型金属氧化物和P型金属氧化物中的一种，和/或所述第二介质为N型金属氧化物和P型金属氧化物中的一种。3.根据权利要求2所述的薄膜，其特征在于，所述N型金属氧化物为氧化钛、氧化锌和掺杂氧化锌中的一种或多种，和/或所述P型金属氧化物为氧化镍、掺杂氧化镍、WOx、MoOx中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第一金属为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种，和/或所述第二金属为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种。5.一种薄膜，其特征在于，包括叠层设置的第一金属与第一介质形成的第一渐变层、第二金属与第二介质形成的第二渐变层；所述第一渐变层中，自靠近第二渐变层的位置向远离第二渐变层的方向上，所述第一介质的质量浓度由低到高；所述第二渐变层中，自靠近第一渐变层的位置向远离第一渐变层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高。6.根据权利要求5所述的薄膜，其特征在于，所述第一介质为N型金属氧化物和P型金属氧化物中的一种，和/或所述第二介质为N型金属氧化物和P型金属氧化物中的一种。7.根据权利要求6所述的薄膜，其特征在于，所述N型金属氧化物为氧化钛、氧化锌和掺杂氧化锌中的一种或多种；和/或所述P型金属氧化物为氧化镍、掺杂氧化镍、WOx、MoOx中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：向超宇，邓天旸，李乐，张滔，辛征航，张东华，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44