像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件技术

本发明专利技术提供了一种像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件。该像素隔离结构包括：基板；导电层，设置于基板的第一表面上，导电层包括多个间隔设置的导电结构，相邻导电结构之间具有间隔区域，且各导电结构具有导电侧壁和导电上壁；第一绝缘侧壁，位于间隔区域中并完全覆盖于导电侧壁的表面，间隔区域中除第一绝缘侧壁之外的区域构成像素隔离结构的像素区域。在利用上述像素隔离结构形成顶发射显示器件后，上述导电上壁通过与顶部电极连接，能够作为辅助电极起到均匀电流的目的，避免了由于顶部透明电极较薄而产生的中心像素与边缘像素的电压差降，实现了电流的均匀分布，从而实现了顶发射显示器件的均匀发光。

Pixel isolation structure, preparation method and top-emitting display device with the same

【技术实现步骤摘要】
像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件
本专利技术涉及光电
，具体而言，涉及一种像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件。
技术介绍
在OLED/QLED屏幕制作中，由于底部发光结构受到开口率的影响，难以实现较高的分辨率，因此通过顶部发光结构实现高分辨率，目前常用的大尺寸OLED/QLED面板结构(即顶发射显示器件)采用2T1C的TFT顶发射结构，其结构如图1所示，通常包括一个TFT基板10＇以及设置于该TFT基板10＇上的像素隔离结构20＇，像素隔离结构20＇具有多个相互隔离的像素区域210＇，反射电极30＇和OLED/QLED功能层结构40＇顺序设置于各像素区域中，像素隔离结构与OLED/QLED结构的表面上设置有透明电极50＇，反射电极与透明电极共同控制OLED/QLED结构电致发光。在制作顶发射OLED/QLED器件时，为了最大程度提高透过率，减少吸收率，往往使用Ag作为透明金属阴极，与屏幕的边缘电路连接，作为Vcom电极，但是较薄的金属电阻较大，当屏幕尺寸较大时，易造成屏幕中心像素与边缘像素有电压差降，俗称IRdrop问题，从而使电流分布不均匀，导致屏幕发光不均匀，屏幕越大，这种现象就越明显。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件，以解决现有技术中电致发光屏幕由于压降引起的大尺寸发光不均匀的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种像素隔离结构，包括：基板；导电层，设置于基板的第一表面上，导电层包括多个间隔设置的导电结构，相邻导电结构之间具有间隔区域，且各导电结构具有导电侧壁和导电上壁；第一绝缘侧壁，位于间隔区域中并完全覆盖导电侧壁的表面，间隔区域中除第一绝缘侧壁之外的区域构成像素隔离结构的像素区域。进一步地，导电层为网格结构。进一步地，导电层为金属层或合金层，优选形成导电层的材料选自Cu、Al、Ag、Mo和Au中的任一种或多种；或导电层为非金属导电层，优选形成导电层的材料为石墨烯和/或碳纳米管。进一步地，形成第一绝缘侧壁的材料为透明高分子材料，优选形成第一绝缘侧壁的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚氨酯和聚氯乙烯中的任一种或多种。进一步地，像素隔离结构还包括第二绝缘侧壁，第二绝缘侧壁位于导电侧壁与第一绝缘侧壁之间，形成第二绝缘侧壁的材料为无机材料，优选形成第二绝缘侧壁的材料包括SiO2、Al2O3、Si3N4和BN中的任一种或多种，更优选为SiO2。进一步地，第一绝缘侧壁和/或第二绝缘侧壁覆盖部分导电上壁。根据本专利技术的另一方面，提供了一种像素隔离结构的制备方法，包括以下步骤：S1，在基板的第一表面上形成导电层，导电层包括多个间隔设置的导电结构，相邻导电结构之间具有间隔区域，且各导电结构于靠近间隔区域处具有导电侧壁；S2，在第一表面上的间隔区域中形成完全覆盖于导电侧壁表面的第一绝缘侧壁，间隔区域中除第一绝缘侧壁之外的区域构成像素隔离结构的像素区域。进一步地，步骤S1包括以下步骤：在第一表面上沉积导电材料，形成第一导电预备层；对第一导电预备层进行第一图案化处理，以使基板的部分表面裸露，形成多个导电结构，各导电结构之间具有间隔区域，从而在第一表面上形成网格结构的导电层。进一步地，步骤S2还包括形成第二绝缘侧壁的步骤，第二绝缘侧壁位于导电侧壁与第一绝缘侧壁之间。进一步地，步骤S2包括以下步骤：在第一表面上沉积无机绝缘材料，以覆盖间隔区域和导电层；对无机绝缘材料进行第二图案化处理，以使基板与间隔区域对应的表面的部分裸露，得到完全覆盖导电侧壁的第二侧壁预备层，间隔区域中未被第二侧壁预备层覆盖的区域构成第一裸露区域；在基板上沉积有机绝缘材料，以覆盖第一裸露区域和第二侧壁预备层；对有机绝缘材料进行第三图案化处理，以使基板与第一裸露区域对应的表面的部分裸露，得到完全覆盖第二侧壁预备层的第一侧壁预备层；对第一侧壁预备层和第二侧壁预备层进行第四图案化处理，以使导电层的与第一表面平行的第二表面中的至少部分裸露，从而在基板上形成第一绝缘侧壁和第二绝缘侧壁。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种顶发射显示器件，包括：上述的像素隔离结构；反射电极，设置于像素隔离结构的像素区域中；电致发光结构，设置于像素区域中且位于反射电极表面上；透明电极，设置于像素隔离结构和电致发光结构的表面上。应用本专利技术的技术方案，提供了一种像素隔离结构，包括导电层和第一绝缘侧壁，导电层为具有多个网孔的网格结构，且网孔具有与其一一对应地多个侧壁，第一绝缘侧壁位于网孔中并覆盖于侧壁上，且沿垂直于导电层的方向上，绝缘侧壁的高度大于等于导电层的高度。在利用上述像素隔离结构形成顶发射显示器件后，上述导电上壁通过与顶部透明电极连接，能够作为辅助电极起到均匀电流的目的，避免了由于顶部透明电极较薄而产生的中心像素与边缘像素的电压差降，实现了电流的均匀分布，从而实现了顶发射显示器件的均匀发光。附图说明构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1示出了现有技术中所提供的一种像素隔离结构的剖面结构示意图；图2示出了本专利技术实施方式所提供的一种像素隔离结构的剖面结构示意图；图3示出了在本申请实施方式所提供的像素隔离结构的制备方法中，在第一表面上沉积形成第一导电预备层和光刻胶层后的基体剖面结构示意图；图4示出了对图3所示的第一导电预备层进行第一图案化处理以形成导电结构后的基体剖面结构示意图；图5示出了对图3所示的第一导电预备层进行第一图案化处理以形成导电结构后的基体俯视结构示意图；图6示出了在图4所示的基板上形成第二侧壁预备层后的基体剖面结构示意图；图7示出了在图6所示的基板上形成第一侧壁预备层后的基体剖面结构示意图；图8示出了对图7所示的第一侧壁预备层和第二侧壁预备层进行第四图案化处理以形成第一绝缘侧壁和第二绝缘侧壁后的基体剖面结构示意图；图9示出了本专利技术实施方式所提供的一种顶发射显示器件的剖面结构示意图；以及图10示出了本专利技术实施方式中进行9点亮度测试的测量点分布图，其中，图中的1至9分别是指第一测量点至第九测量点。其中，上述附图包括以下附图标记：10＇、TFT基板；20＇、像素隔离结构；210＇、像素区域；30＇、反射电极；40＇、OLED/QLED功能层结构；50＇、透明电极；20、像素隔离结构；200、基板；201、导电结构；202、间隔区域；210、导电层；211、第一导电预备层；220、第一绝缘侧壁；221、第一侧壁预备层；230、第二绝缘侧壁；231、第二侧壁预备层；30、反射电极；40、电致发光结构；50、透明电极；60、光刻胶层。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素隔离结构，其特征在于，包括：基板(200)；导电层(210)，设置于所述基板(200)的第一表面上，所述导电层(210)包括多个间隔设置的导电结构(201)，相邻所述导电结构(201)之间具有间隔区域(202)，且各所述导电结构(201)具有导电侧壁和导电上壁；第一绝缘侧壁(220)，位于所述间隔区域(202)中并完全覆盖所述导电侧壁的表面，所述间隔区域(202)中除所述第一绝缘侧壁(220)之外的区域构成所述像素隔离结构的像素区域。

【技术特征摘要】
1.一种像素隔离结构，其特征在于，包括：基板(200)；导电层(210)，设置于所述基板(200)的第一表面上，所述导电层(210)包括多个间隔设置的导电结构(201)，相邻所述导电结构(201)之间具有间隔区域(202)，且各所述导电结构(201)具有导电侧壁和导电上壁；第一绝缘侧壁(220)，位于所述间隔区域(202)中并完全覆盖所述导电侧壁的表面，所述间隔区域(202)中除所述第一绝缘侧壁(220)之外的区域构成所述像素隔离结构的像素区域。2.根据权利要求1所述的像素隔离结构，其特征在于，所述导电层(210)为网格结构。3.根据权利要求1或2所述的像素隔离结构，其特征在于，所述导电层(210)为金属层或合金层，优选形成所述导电层(210)的材料选自Cu、Al、Ag、Mo和Au中的任一种或多种；或所述导电层(210)为非金属导电层，优选形成所述导电层(210)的材料为石墨烯和/或碳纳米管。4.根据权利要求1或2所述的像素隔离结构，其特征在于，形成所述第一绝缘侧壁(220)的材料为透明高分子材料，优选形成所述第一绝缘侧壁(220)的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚氨酯和聚氯乙烯中的任一种或多种。5.根据权利要求1或2所述的像素隔离结构，其特征在于，所述像素隔离结构还包括第二绝缘侧壁(230)，所述第二绝缘侧壁(230)位于所述导电侧壁与所述第一绝缘侧壁(220)之间，形成所述第二绝缘侧壁(230)的材料为无机材料，优选形成所述第二绝缘侧壁(230)的材料包括SiO2、Al2O3、Si3N4和BN中的任一种或多种，更优选为SiO2。6.根据权利要求5所述的像素隔离结构，其特征在于，所述第一绝缘侧壁(220)和/或所述第二绝缘侧壁(230)覆盖部分所述导电上壁。7.一种像素隔离结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在基板(200)的第一表面上形成导电层(210)，所述导电层(210)包括多个间隔设置的导电结构(201)，相邻所述导电结构(201)之间具有间隔区域(202)，且各所述导电结构(201)具有导电侧壁和导电上壁；S2，在所述第一表面上的所述间隔区域(202)中形成完全覆盖于所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜勇，甄常刮，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33