具有被部分涂覆的电源端子的功率半导体模块制造技术

本申请涉及具有被部分涂覆的电源端子的功率半导体模块。功率半导体模块包括：一个或多个功率半导体裸片，被附接到衬底的第一主面；塑料壳体，被附接到衬底，塑料壳体和衬底一起包封一个或多个功率半导体裸片；多个电源端子，在第一端处被附接到衬底的第一主面，并且在第二端处延伸穿过塑料壳体，以为一个或多个功率半导体裸片提供外部电连接点；灌封化合物，包埋一个或多个功率半导体裸片、衬底的第一主面和多个电源端子的第一端的至少一部分；和绝缘涂层，仅施加到多个电源端子的安置在塑料壳体内且只与空气接触的部分。还提供相应的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
具有被部分涂覆的电源端子的功率半导体模块
本申请涉及功率半导体模块，尤其涉及具有被部分涂覆的电源端子的功率半导体模块。
技术介绍
功率半导体模块为若干功率半导体器件提供物理容纳，功率半导体器件诸如一个或多个功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、BJT(双极结型晶体管)、晶闸管、JFET(结型场效应晶体管)、二极管等。功率半导体器件通常被制造在一个或多个半导体裸片中，所述半导体裸片被附接到功率电子衬底。塑料壳体与衬底一起包封功率半导体器件。在功率半导体模块内，必须实现电势之间的足够隔离距离以确保适当的性能、安全性和可靠性。由于功率半导体模块的内部体积中的有限空间，自由空气在电压下没有提供部件之间的足够隔离。通常使用软灌封隔离化合物来电绝缘所有需要电绝缘的暴露区域。功率半导体模块内的灌封化合物的填充高度直接取决于模块的内部构造。在制造功率半导体模块期间满足如塑料壳体的可制造性、可加工性和与现有生产工艺的兼容性的所有其他要求的需要通常导致灌封化合物的更高填充高度，这不利地影响模块的寿命性能。例如，灌封材料的热膨胀会在具有不同热膨胀系数的部件之间引起显著的机械相互作用，并且甚至在灌封材料自身中引起显著的热机械应力。在基于IGBT的功率半导体模块的应用条件下，灌封材料中的裂缝的传播是会导致模块的绝缘失效的真正问题。因此，需要一种具有更可靠的电绝缘的功率半导体模块。
技术实现思路
根据功率半导体模块的实施例，所述功率半导体模块包括：一个或多个功率半导体裸片，被附接到衬底的第一主面；塑料壳体，被附接到衬底，所述塑料壳体和所述衬底一起包封所述一个或多个功率半导体裸片；多个电源端子，在第一端处被附接到所述衬底的第一主面，并且在第二端处延伸穿过所述塑料壳体，以为所述一个或多个功率半导体裸片提供外部电连接点；灌封化合物，包埋所述一个或多个功率半导体裸片、所述衬底的第一主面和所述多个电源端子的第一端的至少一部分；和绝缘涂层，仅施加到多个电源端子的安置在塑料壳体内且只与空气接触的部分。根据一种制造功率半导体模块的方法的实施例，所述方法包括：将一个或多个功率半导体裸片附接到衬底的第一主面；将塑料壳体附接到所述衬底，所述塑料壳体和所述衬底一起包封所述一个或多个功率半导体裸片；在第一端处将多个电源端子附接到所述衬底的第一主面，每个电源端子在第二端处延伸穿过所述塑料壳体，以为所述一个或多个功率半导体裸片提供外部电连接；将一个或多个功率半导体裸片、所述衬底的第一主面和所述多个电源端子的第一端的至少一部分包埋在灌封化合物中；和在将所述多个电源端子附接到衬底的第一主面之前，将绝缘涂层仅施加到多个电源端子的将安置在所述塑料壳体内且只与空气接触的部分。在阅读以下详细描述并查看附图之后，本领域技术人员将认识到附加的特征和优点。附图说明附图的元素不一定相对于彼此按比例绘制。相同的附图标记表示相应的类似部分。可以组合各种所图示的实施例的特征，除非它们彼此排斥。在附图中描绘实施例，并且在后续的描述中详述实施例。图1图示了具有被部分地涂覆有绝缘材料的电源端子的功率半导体模块的实施例的透视图。图2图示了沿着图1中标记为A-A'的线的功率半导体模块的横截面视图。图3图示了图1中的功率半导体模块的透视图，其中为了便于图示而未示出壳体、内部灌封化合物和一些内部电连接。图4图示了具有被部分地涂覆有绝缘材料的电源端子的功率半导体模块的另一实施例的横截面视图。图5图示了制造功率半导体模块的方法的实施例。具体实施方式本文描述的实施例提供具有被部分地涂覆有绝缘材料的电源端子的功率半导体模块，以及相应的制造方法。为了实现模块内和到外部母线的电气接触，从电源端子的那些区域省略绝缘涂层。附加地，直接接触模块中包括的灌封化合物或者由模块壳体的塑料部件电隔离的电源端子的区域也没有被涂覆有绝缘材料。这样，可以相对于模块的层厚度和物理条件来选择性地优化绝缘材料到电源端子的施加。此外，可以减小模块内部的灌封化合物的高度，降低模块内的灌封化合物的热机械损坏的可能性。图1图示了具有被部分地涂覆有绝缘材料的电源端子的功率半导体模块的实施例的透视图。图2图示了沿着图1中标记为A-A'的线的功率半导体模块的横截面视图。图3图示了功率半导体模块的透视图，其中为了便于图示而未示出壳体、内部灌封化合物和一些内部电连接。功率半导体模块包括基板100和多个衬底102，每个衬底102具有例如经由焊接、钎焊材料等附接到基板100的底部金属化侧(视图外)。基板100是导热的，并且可以是导电的或绝缘的。例如，基板100可以是金属块或陶瓷，诸如Al2O3或AlN。每个衬底102具有相对的顶部金属化侧104，顶部金属化侧104可以包括与底部金属化侧相同或不同的材料。例如，每个衬底102可以是标准DCB(直接铜键合)、DAB(直接铝键合)、AMB(活性金属钎焊)或IMS(绝缘金属衬底)衬底。标准的DCB衬底包括施加到诸如Al2O3或AlN陶瓷材料之类的隔离材料的顶部和底部区域的铜表面。标准的DAB衬底包括施加到陶瓷材料的顶部和底部区域的铝表面。标准的AMB衬底包括钎焊到诸如AlN陶瓷材料之类的隔离材料的相对侧的金属箔。标准的IMS衬底包括直接连接到基板100的诸如聚合物之类的隔离材料。在每种情况下，每个衬底102的顶部金属化侧104可以被图案化，使得多于一个的功率半导体裸片106可以附接到顶部金属化侧104。代替多个衬底，可以将所有的功率半导体裸片106附接到单个衬底的顶部金属化侧104。功率半导体裸片106中的至少一些裸片包括一个或多个功率半导体器件，诸如功率MOSFET、IGBT、BJT、晶闸管、JFET、二极管等。功率半导体裸片106中的其他裸片可以是无源器件，诸如电容器裸片和/或电感器裸片。功率半导体裸片106可以从任何类型的半导体材料制造，诸如单元素半导体(例如，Si、Ge等)、绝缘体上硅半导体、二元半导体(例如，SiC、GaN、GaAs等)、具有或不具有(一个或多个)外延层的三元半导体等。功率半导体器件在模块内电连接以形成功率电路，诸如降压转换器、升压转换器、半桥、全桥、三相桥、开关模式电源、双向功率转换器、同步整流器等。形成所需功率电路的内部电连接可以由模块内部的电连接件107提供，电连接件107诸如引线键合、金属夹、金属带等。为了便于说明，大多数内部电连接未在图中示出。功率半导体模块还包括塑料壳体108，塑料壳体108被附接到每个衬底102和/或基板100。塑料壳体108可以通过注塑或其他合适的工艺形成，并且被胶合到每个衬底102和/或基板100的外围。在一个实施例中，塑料壳体108是聚合物盖件。塑料壳体108和衬底102一起包封功率半导体裸片106。功率半导体模块还包括多个电源端子110，多个电源端子110在第一端112处附接到至少一些衬底102的顶部主面104。电源端子110在第二端114处延伸穿过塑料壳体108，以为利用模块包封的功率半导体裸片106提供外部电连接点。电源端子110在图中被图示为金属板，但是可以被成形为类似销、柱等的形状。在金属板的情况下，每个金属板116安置在相应的电源端子110的第一端112和第二端114之间，并且在大致垂直于(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块，包括：一个或多个功率半导体裸片，被附接到衬底的第一主面；塑料壳体，被附接到所述衬底，所述塑料壳体和所述衬底一起包封所述一个或多个功率半导体裸片；多个电源端子，在第一端处被附接到所述衬底的第一主面，并且在第二端处延伸穿过所述塑料壳体，以为所述一个或多个功率半导体裸片提供外部电连接点；灌封化合物，包埋所述一个或多个功率半导体裸片、所述衬底的第一主面和所述多个电源端子的第一端的至少一部分；和绝缘涂层，仅被施加到所述多个电源端子的安置在所述塑料壳体内且只与空气接触的部分。

【技术特征摘要】
2017.10.26 US 15/795,0771.一种功率半导体模块，包括：一个或多个功率半导体裸片，被附接到衬底的第一主面；塑料壳体，被附接到所述衬底，所述塑料壳体和所述衬底一起包封所述一个或多个功率半导体裸片；多个电源端子，在第一端处被附接到所述衬底的第一主面，并且在第二端处延伸穿过所述塑料壳体，以为所述一个或多个功率半导体裸片提供外部电连接点；灌封化合物，包埋所述一个或多个功率半导体裸片、所述衬底的第一主面和所述多个电源端子的第一端的至少一部分；和绝缘涂层，仅被施加到所述多个电源端子的安置在所述塑料壳体内且只与空气接触的部分。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述灌封化合物包括热固性塑料或硅凝胶。3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述绝缘涂层包括聚酰亚胺。4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述绝缘涂层包括干涂料、塑料材料或干漆。5.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述绝缘涂层包括粘合带或膜。6.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述绝缘涂层包括粉末涂层。7.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述多个电源端子中的每个电源端子包括在所述电源端子的所述第一端和所述第二端之间的金属板，所述金属板沿大致垂直于所述衬底的第一主面的方向延伸。8.根据权利要求7所述的功率半导体模块，其中，所述灌封化合物在到达所述多个电源端子中的每个电源端子的所述金属板之前终止，使得每个金属板完全未被所述灌封化合物覆盖。9.根据权利要求8所述的功率半导体模块，其中，所述绝缘涂层被施加到每个金属板的最靠近所述灌封化合物的第一部分，但不施加到每个金属板的在所述第一部分之上且与所述塑料壳体接触的第二部分。10.根据权利要求7所述的功率半导体模块，其中，所述绝缘涂层被施加到每个金属板的最靠近所述灌封化合物的第一部分，但不施加到每个金属板的在所述第一部分之上且与所述塑料壳体接触的第二部分。11.一种制造功率半导体模块的方法，该方法包括：将一个或多个功率半导体裸片附接到衬底的第一主面；将塑料壳体附接到所述衬底，所述塑料壳体和所述衬底一起包封所述一个或多个功率半导体裸片；将多个电源端子在第一端处附接到所述衬底的第一主面，每个电源端子在第二端处延伸穿过所述塑料壳体，以为所述一个或多个功率半导体裸片提供外部电连接点；将所述一个或多个功率半导体裸片、所述衬底的第一主面和所述多个电源端子的第一端的至少一部分包埋在灌封化合物中；以及在将所述多个电源端子附接到所述衬底的第一主面之前，将绝缘涂层仅施加到所述多个电源端子的将安置在所述塑料壳体内且只与空气接触的部分。12.根据权利要求11所述的方法，其中将绝缘涂层仅施加到所述多个电源端子的将安置在所述塑料壳体内且只与空气接触的部分包括：将聚酰亚胺仅施加到所述多个电源端子的将安置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·施潘克，T·格勒宁，T·尼贝尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE