磁性式探针制造技术

本实用新型专利技术公开了一种磁性式探针，包括针轴、具有收容腔的针管及位于收容腔内且二者磁性排斥的第一磁性结构和第二磁性结构，收容腔沿针轴的轴向向前贯穿针管以形成腔口，针轴滑动地套于收容腔内并相对针管至少具有一初始位置及压缩位置，第一磁性结构位于针轴的后方并呈沿针轴的轴向滑动布置，第二磁性结构位于第一磁性结构的后方，第一磁性结构与针轴中的一者具有相对针轴的轴心线倾斜的斜面，第一磁性结构与针轴中的另一者具有顶推结构，针轴于第一磁性结构与第二磁性结构的相互排斥作用下滑移至初始位置。本实用新型专利技术的磁性式探针采用第一磁性结构及第二磁性结构代替了传统的高工艺弹簧以提高使用寿命，还满足高频振动及高速传输的场合。

Magnetic probe

【技术实现步骤摘要】
磁性式探针
本技术涉及一种探针，尤其涉及一种磁性式探针。
技术介绍
探针是一种精密连接器，其广泛地应用于电子、军工、医疗、航天等领域中。随着科技的发展与人文的进步，为了满足人们日益增长的工艺需求，相应地，探针也要不断提高其结构工艺。目前，传统的探针包括针轴、针管及弹簧，针轴滑动地套于针管的收容腔内并相对针管具有一初始位置及一沿针轴的轴向向后滑移的压缩位置，弹簧位于收容腔内并弹性抵接于针轴与针管之间，使得针轴滑移至初始位置；故在探针与外部电子元件电性连接过程中，外部电子元件顶推针轴由初始位置滑移至压缩位置而实现两者电性连接；其中，在外部电子元件与针轴电性连接时，外部电子元件传入针轴内的电流分两路流向，大部分的电流由针轴传到针管，而小部分的电流由针轴传到弹簧再传到针管，最后由针管流出去。众所周知，由于针轴在弹簧作用下会相对针管滑移，故在针轴于初始位置与压缩位置之间切换过程中，针轴与针管的内侧壁之间存在瞬间不接触状态，此时的针轴的全部电流便顺着弹簧传至针管，而弹簧由于具有高阻抗性会使得弹簧自身发热造成烧毁，故而对弹簧的工艺要求非常高，使得制作成本高，同时，弹簧长时间使用会使得其自身弹性减弱，导致整个探针的工作不稳定，整体寿命短暂。除此之外，传统的连接器无法满足在高频率振动场合的需求。因此，急需要一种防止烧毁、寿命长并满足高频振动场合的磁性式探针来克服上述缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种防止烧毁、寿命长并满足高频振动场合的磁性式探针。为实现上述目的，本技术的磁性式探针包括针轴、具有收容腔的针管及位于所述收容腔内且二者磁性排斥的第一磁性结构和第二磁性结构，所述收容腔沿所述针轴的轴向向前贯穿所述针管以形成腔口，所述针轴滑动地套于所述收容腔内并相对所述针管至少具有一初始位置及一沿所述针轴的轴向向后滑移的压缩位置，所述针轴位于所述初始位置时从所述腔口伸出所述针管或露于所述腔口，所述第一磁性结构位于所述针轴的后方并呈沿所述针轴的轴向滑动布置，所述第一磁性结构与所述针轴中的一者具有相对所述针轴的轴心线倾斜的斜面，所述第一磁性结构与所述针轴中的另一者具有用于与所述斜面顶推配合的顶推结构，所述第二磁性结构位于所述第一磁性结构的后方，所述针轴于所述第一磁性结构与第二磁性结构的相互排斥作用下滑移至所述初始位置。较佳地，所述斜面与垂直于所述针轴之轴心线的平面的夹角范围为10至30度。较佳地，所述顶推结构与所述斜面之间的接触为点接触或线接触。较佳地，所述顶推结构具有用于与所述斜面顶推配合的曲面或球面。较佳地，所述第一磁性结构及所述第二磁性结构各为永磁铁。较佳地，所述针轴沿所述针轴的轴向向后依次包括针头部及配合部，所述针头部从所述腔口伸出所述针管或露于所述腔口，所述配合部与所述收容腔间隙配合，所述配合部的径向尺寸大于所述针头部的径向尺寸而使所述配合部与所述针头部的接合处形成一台肩，所述台肩于所述针轴处于所述初始位置时与所述针管相抵挡。较佳地，所述针头部的前端部呈半球状结构。较佳地，所述针管靠近所述腔口的部位设有限制所述针轴从所述腔口滑出的限位结构，所述限位结构在所述针轴处于所述初始位置时与所述台肩相抵挡。较佳地，所述限位结构为一缩颈结构。较佳地，所述第一磁性结构的外表镀有金属层。与现有技术相比，本技术的磁性式探针藉由第一磁性结构与第二磁性结构相互排斥，且第一磁性结构与针轴相互抵触，故针轴在第一磁性结构与第二磁性结构相互排斥的作用下恒使得针轴位于初始位置，并允许针轴相对针管滑移于初始位置与压缩位置之间切换，因此，本技术的磁性式探针采用第一磁性结构及第二磁性结构代替了传统的高工艺弹簧，从而节省制作成本，免除了弹簧烧毁的后顾之忧；又由于第一磁性结构及第二磁性结构之间磁性作用持久，并不存在弹簧烧毁的缺陷，故提高了本技术的磁性式探针的使用寿命；又由于第一磁性结构与针轴中的一者具有斜面，第一磁性结构与针轴中的另一者具有用于与斜面顶推配合的顶推结构，使得作用于针轴上的力产生侧向分力，该侧向分力使得针轴相对针管倾斜并于初始位置与压缩位置之间切换时与针管的内侧壁紧密接触以防止瞬断，从而增强了针轴与针管之间的接触稳定性，还减小电流的阻抗，因而使得本技术的磁性式探针适用于高速传输及高频振动的场合。附图说明图1是本技术的磁性式探针被过其针轴之轴心线的平面剖切后的剖视示意图。图2是图1所示的磁性式探针中的针轴与第一磁性结构顶推时的力分析的结构示意图。图3是图1所示的磁性式探针在与外界的电子元件刚接触时的状态示意图。图4是图3所示的磁性式探针中的针轴被外界的电子元件顶推至压缩位置时且显示电流流向的结构示意图。具体实施方式为了详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征，以下结合实施方式并配合附图作进一步说明。请参阅图1，本技术的磁性式探针100包括针轴2、具有收容腔11的针管1及位于收容腔11内且二者磁性排斥的第一磁性结构3和第二磁性结构4。收容腔11沿针轴2的轴向向前贯穿针管1以形成腔口12，针轴2滑动地套于收容腔11内并相对针管1至少具有一初始位置及一沿针轴2的轴向向后滑移的压缩位置；针轴2位于初始位置时从腔口12伸出针管1；当然，根据实际需要，位于初始位置时的针轴2也可以设计成露于腔口12，但不以此为限。第一磁性结构3位于针轴2的后方并呈沿针轴2的轴向滑动布置，第二磁性结构4位于第一磁性结构3的后方，针轴2于第一磁性结构3与第二磁性结构4的相互排斥作用下滑移至初始位置。针轴2具有相对针轴2的轴心线A倾斜的斜面6a，第一磁性结构3具有用于与斜面6a顶推配合的顶推结构6b，当然，根据实际需要，可将斜面6a设于第一磁性结构3上，对应地，将顶推结构6b设于针轴2上，故不以此为限。更具体地，如下：请参阅图1，第一磁性结构3及第二磁性结构4各为永磁铁，但不以此为限。具体地，第二磁性结构4在收容腔11内呈固定布置，但不以此为限。请参阅图1，斜面6a与垂直于针轴2之轴心线A的平面的夹角α范围为10至30度，举例而言，α为15度，当然，根据实际需要而选择为10度、20度、25度或30度，故不以此为限。具体地，顶推结构6b与斜面6a之间的接触为点接触，藉由顶推结构6b与斜面6a之间的点接触，使得针轴2在相对针管1滑移过程中倾斜，从而使得针轴2与针管1之间的接触为点接触，因而使得电流从针轴2流入针管1时稳定，且点接触的阻抗小，故电流传输快，从而使得本技术的磁性式探针100能够适用于高速传输及高频振动的场合。当然，根据实际需要，顶推结构6b与斜面6a之间的接触为线接触，同样也能达到以上的效果，故不以此为限。举例而言，顶推结构6b具有用于与斜面6a顶推配合的球面，藉由球面以实现顶推结构6b与斜面6a之间点接触，除此以外，还使得顶推结构6b抵触斜面6a时抵触力更加均匀，从而使得针轴2相对针管1的滑移过程稳定可靠；当然，根据实际需要，顶推结构6b具有用于与斜面6a顶推配合的曲面，藉由曲面以实现顶推结构6b与斜面6a之间线接触，故不以此为限。请参阅图1，针轴2沿针轴2的轴向向后依次包括针头部21及配合部22，针头部21从腔口12伸出针管1，当然，根据实际需要而使针头部21露于腔口12，故不限于此。配合部22与收容腔11间隙配合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性式探针，包括针轴及具有收容腔的针管，所述收容腔沿所述针轴的轴向向前贯穿所述针管以形成腔口，所述针轴滑动地套于所述收容腔内并相对所述针管至少具有一初始位置及一沿所述针轴的轴向向后滑移的压缩位置，所述针轴位于所述初始位置时从所述腔口伸出所述针管或露于所述腔口，其特征在于：所述磁性式探针还包括位于所述收容腔内且二者磁性排斥的第一磁性结构及第二磁性结构，所述第一磁性结构位于所述针轴的后方并呈沿所述针轴的轴向滑动布置，所述第一磁性结构与所述针轴中的一者具有相对所述针轴的轴心线倾斜的斜面，所述第一磁性结构与所述针轴中的另一者具有用于与所述斜面顶推配合的顶推结构，所述第二磁性结构位于所述第一磁性结构的后方，所述针轴于所述第一磁性结构与第二磁性结构的相互排斥作用下滑移至所述初始位置。

【技术特征摘要】
1.一种磁性式探针，包括针轴及具有收容腔的针管，所述收容腔沿所述针轴的轴向向前贯穿所述针管以形成腔口，所述针轴滑动地套于所述收容腔内并相对所述针管至少具有一初始位置及一沿所述针轴的轴向向后滑移的压缩位置，所述针轴位于所述初始位置时从所述腔口伸出所述针管或露于所述腔口，其特征在于：所述磁性式探针还包括位于所述收容腔内且二者磁性排斥的第一磁性结构及第二磁性结构，所述第一磁性结构位于所述针轴的后方并呈沿所述针轴的轴向滑动布置，所述第一磁性结构与所述针轴中的一者具有相对所述针轴的轴心线倾斜的斜面，所述第一磁性结构与所述针轴中的另一者具有用于与所述斜面顶推配合的顶推结构，所述第二磁性结构位于所述第一磁性结构的后方，所述针轴于所述第一磁性结构与第二磁性结构的相互排斥作用下滑移至所述初始位置。2.根据权利要求1所述的磁性式探针，其特征在于，所述斜面与垂直于所述针轴之轴心线的平面的夹角范围为10至30度。3.根据权利要求1所述的磁性式探针，其特征在于，所述顶推结构与所述斜面之间的接触为点接触或线接触。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗明，潘红，陈威戎，蔡伯晨，
申请(专利权)人：东莞中探探针有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44