一种光学邻近修正方法技术

本发明专利技术提供一种光学邻近修正方法，包括：提供原始图案，所述原始图案包括多个线条图案；在所述原始图案中的至少部分所述线条图案的端部之内放置参考图案；对所述原始图案进行尺寸调整，以获得测试图案，其中，所述测试图案为在所述尺寸调整后所述参考图案仍然位于其所在的线条图案内的图案。由此通过参考图案的设置形成的测试图案的包容性更好，测试图形包容了更多的图形的情况，进而使得一些未被常规的测试图案所包容的图形区域也能得到有效的修正方案，提高了修正的精度。

An Optical Proximity Correction Method

The invention provides an optical proximity correction method, which includes: providing an original pattern, the original pattern includes a plurality of line patterns; placing a reference pattern inside the end of the line pattern in at least part of the original pattern; adjusting the size of the original pattern to obtain a test pattern, in which the test pattern is referred to after the adjustment of the size. The pattern is still in its line pattern. Thus, the test pattern formed by setting the reference pattern is more inclusive, and the test pattern contains more graphics, so that some graphics areas not covered by the conventional test pattern can be effectively corrected, and the accuracy of the correction is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种光学邻近修正方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种光学邻近修正方法。
技术介绍
随着集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。其中，光学邻近修正(即OPC)已成为最重要的技术。在半导体的后端制程中，为了形成金属互连线，需要在相邻两侧金属层之间形成通孔以实现金属互连。对于金属层的光学邻近修正模型取样通常包括线与间隔(Line/Space，简称L/S)、头对头(HeadtoHead，简称HTH)、头对线(HeadtoLine，简称HTL)和手动绘制二维(2D)图案。取样图案和实际图案之间在几何上存在差异，为了解决该问题，通常采用光学邻近修正方法对掩膜板上的图案进行修正，主要包括：将掩模板的最终尺寸相比于其原始的尺寸做简单的放大或者缩小，以及对线条的末端进行修改形成锤状(hammer)线端，对拐角变圆的情形可以加入衬线(serif)等。然而基于规则的光学邻近效应修正会需要大量的经验数据来建立规则库，有限的规则难以覆盖所有的情况，尤其是一些复杂图形，进而使得一些复杂图形区域往往得不到有效的修正方案，影响修正的精度。鉴于上述问题的存在，有必要提出一种新的光学邻近修正方法。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对目前存在的问题，本专利技术一方面提供一种光学邻近修正方法，包括：提供原始图案，所述原始图案包括多个线条图案；在所述原始图案中的至少部分所述线条图案的端部之内放置参考图案；对所述原始图案进行尺寸调整，以获得测试图案，其中，所述测试图案为在所述尺寸调整后所述参考图案仍然位于其所在的线条图案内的图案。示例性地，选择在相邻所述线条图案之间的间距小于原始图案的最小间距的1.5倍的线条图案的端部上放置所述参考图案。示例性地，放置所述参考图案的规则如下：在预定放置所述参考图案的所述线条图案的端部选择一个参考区域，依据目标节点的设计规则选择所述参考区域，或者，根据先前节点的设计规则对目标节点的参考区域的位置进行预估；在所述参考区域的中心区域放置所述参考图案。示例性地，所述参考图案的外端边缘与其所在的线条图案的外端边缘之间的距离大于或等于所述线条图案的最小宽度。示例性地，所述参考图案的两侧边缘与其外侧的所述线条图案的侧边之间的距离y均大于或等于0。示例性地，依据设计规则限制和修改所述参考图案的放置。示例性地，使用与所述原始图案的目标节点相邻近的节点的偏移量表来对所述原始图案进行尺寸调整。示例性地，对所述原始图案进行尺寸调整包括：在预进行尺寸调整的原始图案的边添加偏移量。示例性地，对所述原始图案进行尺寸调整还包括：对线条图案的末端进行修改形成锤状线端，以及在线条图案的拐角处添加衬线。示例性地，所述方法适用于对金属互连线中的金属层图案的修正。根据本专利技术的光学邻近修正方法，在尺寸调整前在目标图案中添加参考图案，在尺寸调整时以此参考图案作为参考，使参考图案始终位于其所在的线条图案内，参考图案在测试图案中作为套刻参考层，进而通过尺寸调整获得目标测试图案，由此通过参考图案的设置形成的测试图案的包容性更好，测试图形包容了更多的图形(尤其是复杂图形)的情况，进而使得一些未被常规的测试图案所包容的图形区域也能得到有效的修正方案，提高了修正的精度。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1A示出了常规的测试图案中的取样图案的示意图；图1B示出了由掩模板上的图案转印至衬底上形成的实际图案；图1C示出了具有锤状图案的测试图案的示意图；图2A至2D示出了本专利技术一个具体实施方式的光学邻近修正方法依次实施所获得图案的示意图；图3A至图3C示出了本专利技术一个具体实施方式的参考图案设置规则依次实施所获得图案的局部示意图；图4A至图4B示出了本专利技术一个具体实施方式的对所述原始图案进行尺寸调整时所获得图案的示意图；图4C示出了本专利技术一个具体实施方式的参考图案部分偏移到测试图案的外侧时的示意图；图5示出了根据本专利技术的一个具体实施方式所获得的测试图案的示意图，其中，左侧为添加参考图案后的图案，右侧为最终获得的测试图案；图6A示出了常规的光学邻近修正方法的测试图案和实际图案的最大光强(I-max)和最小光强(I-min)的分布图；图6B示出了本专利技术一个具体实施方式的光学邻近修正方法的测试图案和实际图案的光强(I-max)和最小光强(I-min)的分布图；图7示出了本专利技术一个具体实施方式的光学邻近修正方法的流程图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供原始图案，所述原始图案包括多个线条图案；在所述原始图案中的至少部分所述线条图案的端部之内放置参考图案；对所述原始图案进行尺寸调整，以获得测试图案，其中，所述测试图案为在所述尺寸调整后所述参考图案仍然位于其所在的线条图案内的图案。

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供原始图案，所述原始图案包括多个线条图案；在所述原始图案中的至少部分所述线条图案的端部之内放置参考图案；对所述原始图案进行尺寸调整，以获得测试图案，其中，所述测试图案为在所述尺寸调整后所述参考图案仍然位于其所在的线条图案内的图案。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择在相邻所述线条图案之间的间距小于原始图案的最小间距的1.5倍的线条图案的端部上放置所述参考图案。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，放置所述参考图案的规则如下：在预定放置所述参考图案的所述线条图案的端部选择一个参考区域，依据目标节点的设计规则选择所述参考区域，或者，根据先前节点的设计规则对目标节点的参考区域的位置进行预估；在所述参考区域的中心区域放置所述参考图案。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述参考图案的...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪昶，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31