用于形成电铸部件的成型歧管、组件及方法技术

本公开内容涉及用于电铸部件的成型歧管、组件和方法，该方法包括提供被置于包括具有第一金属离子浓度的溶液的第一浴槽内的电铸阴极、用具有壳体的成型歧管覆盖电铸阴极的至少一部分、以及在电铸阴极被置于第一浴槽内的同时将电压施加至电铸阴极。

Forming manifolds, components and methods for forming electroforming components

The present disclosure relates to forming manifolds, components and methods for electroforming components, including providing electroforming cathodes placed in a first bath containing a solution with a first metal ion concentration, covering at least a portion of the electroforming cathode with a shell-mounted forming manifold, and applying voltage to the electroforming cathode while the electroforming cathode is placed in the first bath.

【技术实现步骤摘要】
用于形成电铸部件的成型歧管、组件及方法
本主题大体上涉及用于电铸部件的装置和方法。更具体而言，涉及用于形成电铸部件的成型歧管、组件及方法。
技术介绍
电铸工艺可产生、生成或另外形成期望部件的金属层。在电铸工艺的一个实例中，用于期望部件的模具或基底可浸没在电解液中并带电。模具或基底的电荷可通过电解溶液吸引带相反电荷的电铸材料。电铸材料与模具或基底的吸引最终将电铸材料沉积在露出的表面模具或基底上，产生外部金属层。
技术实现思路
一方面，本公开内容涉及一种用于使用储液室中的电解流体在电铸阴极处电铸部件的成型歧管，包括：壳体；以及构造成朝电铸阴极供应电解流体的与储液室流体地连接的一组喷嘴。另一方面，本公开内容涉及一种电铸组件，包括：第一浴槽，第一浴槽承载：具有第一金属离子浓度的第一金属组分溶液；包括限定低电流密度区域的轮廓部分的电铸阴极；以及设置成邻近电铸阴极，具有壳体且具有方向朝电铸阴极的低电流密度区域的一组喷嘴的成型歧管；以及第二浴槽，第二浴槽承载具有第二金属离子浓度的第二金属组分溶液且与一组喷嘴流体地连接。又一方面，本公开内容涉及一种电铸部件的方法，包括：提供设置在具有带第一金属离子浓度的溶液的第一浴槽内的电铸阴极；用具有壳体和朝电铸阴极定向的一组喷嘴的成型歧管覆盖电铸阴极的至少一部分；在设置于第一浴槽内的同时将电压施加到电铸阴极上；以及将具有第二金属离子浓度的第二金属组分溶液从第二浴槽供应至一组喷嘴来形成朝电铸阴极的第二金属组分溶液的流动；其中第二金属离子浓度大于第一金属离子浓度。技术方案1.一种用储液室中的电解流体来在电铸阴极处电铸一部件的成型歧管，其包括：壳体；以及与所述储液室流体地连接的且构造成朝所述电铸阴极供应所述电解流体的一组喷嘴。技术方案2.根据技术方案1所述的成型歧管，其中所述电解流体包括金属离子供应源。技术方案3.根据技术方案1所述的成型歧管，其中所述一组喷嘴是冲击喷射喷嘴。技术方案4.根据技术方案1所述的成型歧管，其中所述壳体还包括屏蔽元件。技术方案5.根据技术方案4所述的成型歧管，其中所述屏蔽元件贴合所述电铸阴极的一部分。技术方案6.根据技术方案5所述的成型歧管，其中所述屏蔽元件的至少一部分覆盖所述电铸阴极的所述部分。技术方案7.根据技术方案6所述的成型歧管，其中所述屏蔽元件的所述部分覆盖所述电铸阴极的高电流密度部分。技术方案8.根据技术方案7所述的电铸歧管，其中所述屏蔽元件定位在所述电铸阴极附近，以减少所述电铸阴极暴露于金属离子供应源。技术方案9.根据技术方案8所述的成型歧管，其中形成在定位于所述屏蔽元件附近的所述电铸阴极的所述部分处的部件相比于没有所述屏蔽元件的所述电铸阴极的一部分具有减小的厚度。技术方案10.根据技术方案1所述的成型歧管，还包括设在所述壳体中的辅助阳极。技术方案11.根据技术方案10所述的成型歧管，其中所述辅助阳极包括定位在所述电铸阴极附近的尖端。技术方案12.根据技术方案11所述的成型歧管，其中所述一组喷嘴中的至少一个喷嘴延伸穿过所述辅助阳极。技术方案13.一种电铸组件，其包括：第一浴槽，所述第一浴槽承载有：具有第一金属离子浓度的第一金属组分溶液；电铸阴极，其包括限定了低电流密度区域的轮廓部分；以及成型歧管，所述成型歧管设置成邻近所述电铸阴极，所述成型歧管具有壳体，并且具有朝向所述电铸阴极的低电流密度区域的一组喷嘴；以及第二浴槽，所述第二浴槽承载了具有第二金属离子浓度的第二金属组分溶液，且与所述一组喷嘴流体地连接。技术方案14.根据技术方案13所述的电铸组件，其中所述第二金属离子浓度高于所述第一金属离子浓度。技术方案15.根据技术方案13所述的电铸组件，还包括连接到所述第二浴槽上来将所述第二金属组分溶液供应至所述第一浴槽的流体泵。技术方案16.根据技术方案15所述的电铸组件，其中所述流体泵将所述第二浴槽流体地连接到所述一组喷嘴上，并且所述流体泵将所述第二金属组分溶液从所述第二浴槽供应至所述一组喷嘴中的喷嘴的至少一个子集。技术方案17.根据技术方案16所述的电铸组件，还包括控制器模块，所述控制器模块可操作地联接到所述流体泵上，以控制所述第二金属组分溶液从所述第二浴槽到所述喷嘴的至少一个子集的供应。技术方案18.根据技术方案13所述的电铸组件，其中所述壳体还包括屏蔽元件。技术方案19.根据技术方案18所述的电铸组件，其中所述屏蔽元件贴合所述电铸阴极的一部分。技术方案20.根据技术方案13所述的电铸组件，其中所述壳体包括非消耗性辅助阳极。技术方案21.一种电铸部件的方法，其包括：提供电铸阴极，所述电铸阴极被置于包括具有第一金属离子浓度的溶液的第一浴槽内；用成型歧管覆盖所述电铸阴极的至少一部分，所述成型歧管具有壳体和朝所述电铸阴极定向的一组喷嘴；在所述电铸阴极被置于所述第一浴槽内的同时将电压施加到所述电铸阴极上；以及将具有第二金属离子浓度的第二金属组分溶液从第二浴槽供应至所述一组喷嘴，以形成朝所述电铸阴极的所述第二金属组分溶液的流动；其中所述第二金属离子浓度大于所述第一金属离子浓度。技术方案22.根据技术方案21所述的方法，其中所述施加电压和所述供应第二金属组分溶液实现在所述电铸阴极处电铸所述部件。技术方案23.根据技术方案22所述的方法，其中，通过所述一组喷嘴的所述第二金属组分溶液的流动增大了所述一组喷嘴附近的所述部件的电铸厚度。技术方案24.根据技术方案21的方法，其中所述覆盖还包括形成具有辅助阳极的所述壳体。附图说明在附图中：图1是根据现有技术电铸部件的示意图。图2是根据本描述的多个方面电铸部件的示意图。图3是根据本描述的多个方面的部件的电铸的示意性横截面视图。图4是根据本描述的多个方面的图3中的电铸部件的示例性尖端的示意性横截面视图。图5是根据本描述的多个方面的包括延伸至尖端的通路的图3中的电铸部件的另一个示例性尖端的示意性横截面视图。图6是根据本描述的多个方面的与图4相反的具有较薄宽度的图3的电铸部件的另一个示例性尖端的示意性横截面视图。图7是根据本描述的多个方面的具有与图5相反的较薄宽度和延伸至尖端的通路的图3中的电铸部件的又一个示例性尖端的示意性横截面视图。图8是展示根据本描述的多个方面的电铸部件的方法的流程图实例。具体实施方式在专门的环境或设备中，诸如用于飞行器、飞行器发动机或非限制性实例中的其它运载工具的部件、壁、导管、通路等可基于特定需要来构造、布置、定制或选择。具体要求的非限制性方面能够包括几何构造、空间或体积考虑因素、重量考虑因素、或者操作环境考虑因素。操作环境考虑因素的非限制性方面还能够包括温度、海拔、压力、振动、热循环等。尽管参照壁的电铸来描述本公开内容的方面，但本公开内容的方面可在任何部件、壁、导管、通路等中实施，与环境或设备位置无关。应理解，本公开内容可在任何应用中具有总体适用性，如，其它移动应用和非移动、工业、商业和住宅应用。术语“邻近”或“邻近地”本身或与另一部件结合使用指代在朝另一部件的方向移动，或者相对接近另一部件。另外，虽然可在本文中使用例如“电压”、“电流”和“电力”的术语，但对所属领域的技术人员将明显的，当描述电路的方面或电路操作时，这些术语可以是可互换的。如本文所使用的，“系统”或“控制器模块”可以包括至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用储液室中的电解流体来在电铸阴极处电铸一部件的成型歧管，其包括：壳体；以及与所述储液室流体地连接的且构造成朝所述电铸阴极供应所述电解流体的一组喷嘴。

【技术特征摘要】
2017.10.26 US 62/577,386;2018.06.22 US 16/015,2951.一种用储液室中的电解流体来在电铸阴极处电铸一部件的成型歧管，其包括：壳体；以及与所述储液室流体地连接的且构造成朝所述电铸阴极供应所述电解流体的一组喷嘴。2.根据权利要求1所述的成型歧管，其中所述壳体还包括屏蔽元件。3.根据权利要求2所述的成型歧管，其中所述屏蔽元件贴合所述电铸阴极的一部分。4.根据权利要求3所述的成型歧管，其中所述屏蔽元件的至少一部分覆盖所述电铸阴极的所述部分。5.根据权利要求4所述的成型歧管，其中所述屏蔽元件的所述部分覆盖所述电铸阴极的高电流密度部分。6.根据权利要求5所述的电铸歧管，其中所述屏蔽元件定位在所述电铸阴极附近，以减少所述电铸阴极暴露于金属离子供应源。7.根据权利要求6所述的成型歧管，其中形成在定位于所述屏蔽元件附近的所述电铸阴极的所述部分处的部件相比于没有所述屏蔽元件的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·塔吉里，E·M·菲尔普斯，D·G·乔纳拉加达，J·R·施密特，Y·杨，
申请(专利权)人：和谐工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US