音叉型振荡器及封装体制造技术

本发明专利技术提供一种音叉型振荡器以及封装体，难以产生由频率调整所引起的绝缘电阻的恶化。音叉型振荡器包括：具有基部及两根振荡臂的音叉片、激发用电极、收容音叉片的封装体、作为将激发用电极与外部连接的配线的一部分的配线图案、以及设置在振荡臂的前端的频率调整部。配线图案的位于频率调整部附近的部分，设置在封装体的由频率调整部遮蔽的区域中。

Tuning Fork Oscillator and Package

【技术实现步骤摘要】
音叉型振荡器及封装体
本专利技术涉及一种在封装体内的配线图案的配置中具有特征的音叉型振荡器及其封装体。
技术介绍
作为音叉型振荡器的一种，有音叉型晶体振荡器，进而，作为音叉型振荡器的一种，有使用陶瓷封装体。例如，在专利文献1的图3中表示其一例。在此例的情况下，陶瓷封装体具有：收容音叉型晶体片的凹部。在此凹部的底面上，设置有电极垫或配线图案。另外，在此陶瓷封装体的底板上设置有贯穿配线，在外侧的底面上设置有外部连接端子。所述凹部内的电极垫与音叉型晶体片的激发用电极，通过导电性接着剂来连接。另外，外部连接端子与激发用电极，是经由贯穿配线、配线图案、电极垫及导电性接着剂来连接。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：日本专利特开2017-76910号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]然而，当制造音叉型晶体振荡器时，以此振荡器按规定的频率振荡的方式进行频率调整。作为其典型的方法，有如下的方法：事先在音叉的两根振荡臂的前端，设置包含金等的金属的锤膜(weightfilm)，对此锤膜照射例如氩的离子来将锤膜的一部分去除，而与目标频率一致。此方法是所谓的离子铣削(ionmilling)法。但是，伴随音叉型晶体振荡器的小型化，形成在陶瓷封装体中的所述配线图案间的距离也越来越变窄。同样地，作为配线图案的一部分的贯穿配线的露出至所述封装体表面上的部分，和与其相反极性的配线图案之间也越来越变窄。另外，在作为陶瓷封装体的一种的使用环缝焊接(seamringwelding)或金锡焊接等技术进行密封的类型的封装体中，在收纳晶体片的所述凹部的周围的堤部的顶面上设置接缝环或金锡环。在此种状况时，存在如下的情况：在所述离子铣削时被去除的频率调整用的锤膜，进而，封装体底面的配线图案的金属成分，再次附着在封装体底面的配线图案间。同样地，存在所述金属成分再次附着在封装体底面的配线图案与接缝环或金锡环之间的情况。若产生此种再次附着，则存在音叉型晶体振荡器的绝缘电阻恶化，并损害音叉型晶体振荡器的可靠性的情况。本申请是鉴于此种情况而成，因此，本申请的目的在于提供一种难以产生由频率调整所引起的绝缘电阻的恶化的音叉型振荡器、及适合用于制造此音叉型振荡器的封装体。[解决问题的技术手段]为了谋求达成此目的，根据本申请的音叉型振荡器，包括：音叉片，具有基部及从此基部延长的至少两根振荡臂；激发用电极，设置在此音叉片上；封装体，收容所述音叉片；配线图案，设置在此封装体的收容所述音叉片的面上，且为将所述激发用电极与外部连接的配线的一部分；以及频率调整部，设置在所述振荡臂的前端；其中，所述配线图案的位于所述频率调整部附近的部分，设置在所述封装体的由所述频率调整部遮蔽的区域中。即，所述部分设置在所述封装体的处于所述频率调整部的下方的区域中。或者，所述配线图案设置在所述封装体的比所述频率调整部更靠近基部的一侧的区域中。或者，所述配线图案设置在所述封装体的比所述频率调整部更靠近基部的一侧、且至少一部分由所述音叉片遮蔽的区域中，即音叉片的下方的区域中。另外，根据本申请的封装体的专利技术，收容了音叉片，所述音叉片具有基部及从此基部延长的至少两根振荡臂，并在所述振荡臂的前端具有频率调整部，且在收容所述音叉片的面上具有配线图案，其中，所述配线图案的位于所述频率调整部附近的部分，设置在所述封装体的由所述频率调整部遮蔽的区域中。或者，所述配线图案设置在所述封装体的比所述频率调整部更靠近基部的一侧的区域中。[专利技术的效果]根据本专利技术的音叉型振荡器及封装体，可获得在平面上观察，配线图案在封装体的频率调整部附近不露出的结构。因此，即便频率调整部的金属成分因离子铣削而抵达封装体的频率调整部附近的区域中，也不会产生金属成分堆积在激发用电极间的状况。因此，可防止激发用电极间的绝缘电阻下降。另外，虽然适合应用本专利技术的方式是通过离子铣削法来进行频率调整的形态，但即便在将金属成分附加至频率调整部中来进行频率调整的情况下，也可以应用本专利技术。附图说明图1A至图1C是说明第1实施方式的音叉型晶体振荡器10的图。图2A及图2B是特别说明音叉型晶体振荡器的激发用电极的图。图3A是说明实施例的音叉型晶体振荡器的主要部分的图，图3B是说明比较例的音叉型晶体振荡器的主要部分的图。图4A及图4B是说明第2实施方式的音叉型晶体振荡器40的图。[符号的说明]10：第1实施方式的音叉型晶体振荡器11：音叉型晶体片(音叉片)11a：基部11b：第1振荡臂11c：第2振荡臂11d：支撑臂11e：槽11f：频率调整部13a：第1激发用电极13b：第2激发用电极13ax、13bx：垫21：封装体21a：凹部21b：连接垫21c：配线图案21cx：配线图案的位于频率调整部附近的部分21cy：比较例中的配线图案的位于频率调整部附近的部分(配线图案21c的一部分)21d：贯穿配线21e：外部连接端子23：导电性接着剂25：盖构件30：比较例的音叉型晶体振荡器(音叉型晶体振荡器)31：比较例的封装体(封装体)31a：凹部40：第2实施方式的音叉型晶体振荡器41：第2实施方式的封装体41a：凹部41b：配线图案IB-IB、IIB-IIB、IVB-IVB：线Q：部位Z：区域具体实施方式以下，参照附图对本申请的音叉型晶体振荡器及封装体的各专利技术的实施方式进行说明。另外，用于说明的各图只不过以可理解这些专利技术的程度概略性地表示。另外，在用于说明的各图中，对相同的构成成分赋予同一个编号来表示，也存在省略其说明情况。另外，以下的说明中所述的形状、尺寸、材质等只不过是本专利技术的范围内的适宜例。因此，本申请的专利技术并不仅限定于以下的实施方式。1.第1实施方式的音叉型晶体振荡器及封装体1-1.结构的说明图1A至图1C是说明第1实施方式的音叉型晶体振荡器10的图。尤其图1A为其平面图，图1B为沿着图1A中的IB-IB线的剖面图，图1C为其底面图。此音叉型晶体振荡器10包括：音叉型晶体片11、及收容音叉型晶体片11的封装体21。另外，音叉型晶体振荡器10的本专利技术的效果变得显著的平面的外形尺寸是长边尺寸为1.6mm以下，短边尺寸为1.0mm以下的振荡器，即所谓的1610尺寸或1210尺寸以下。当然，也可以将本专利技术应用于比其大的尺寸的音叉型晶体振荡器。音叉型晶体片11包括：基部11a、第1振荡臂11b及第2振荡臂11c、支撑臂11d、槽11e、频率调整部11f、第1激发用电极13a、及第2激发用电极13b(参照图2A及图2B)。第1振荡臂11b及第2振荡臂11c从基部11a起相互平行地延长。另外，此情况下的第1振荡臂11b及第2振荡臂11c的前端部的宽度分别比其他部分宽。而且，此宽度变宽的部分成为频率调整部11f。即，金等的金属膜作为锤膜而形成在此宽度变宽的部分中，通过离子铣削法来去除此锤膜，由此进行频率调整。另外，槽11e以规定的深度设置在第1振荡臂11b、第2振荡臂11c各自的表背两面上。虽然省略详细说明，但此槽11e用于将驱动信号的电场有效率地施加至音叉型晶体振荡器中。另外，在以下的图2A中，省略槽11e的图示。另外，在第1振荡臂11b与第2振荡臂11c之间，支撑臂11d从基部11a起以与这些振荡臂平行的状态延长。此晶体片11可通过众所周知的光刻技术来形成。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种音叉型振荡器，其特征在于，包括：音叉片，具有基部及从所述基部延长的至少两根振荡臂；激发用电极，设置在所述音叉片上；封装体，收容所述音叉片；配线图案，设置在所述封装体的收容所述音叉片的面上，且为将所述激发用电极与外部连接的配线的一部分；以及频率调整部，设置在所述振荡臂的前端；其中，所述配线图案的位于所述频率调整部附近的部分，设置在所述封装体的由所述频率调整部遮蔽的区域中。

【技术特征摘要】
2017.10.20 JP 2017-2036781.一种音叉型振荡器，其特征在于，包括：音叉片，具有基部及从所述基部延长的至少两根振荡臂；激发用电极，设置在所述音叉片上；封装体，收容所述音叉片；配线图案，设置在所述封装体的收容所述音叉片的面上，且为将所述激发用电极与外部连接的配线的一部分；以及频率调整部，设置在所述振荡臂的前端；其中，所述配线图案的位于所述频率调整部附近的部分，设置在所述封装体的由所述频率调整部遮蔽的区域中。2.一种音叉型振荡器，其特征在于，包括：音叉片，具有基部及从所述基部延长的至少两根振荡臂；激发用电极，设置在所述音叉片上；封装体，收容所述音叉片；配线图案，设置在所述封装体的收容所述音叉片的面上，且为将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：莲池义和，川西信吾，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP