The glass substrates are reused. Improve the productivity of semiconductor devices. One way of the invention is a glass substrate with a first material and a second material on the surface. The first material has one or two metals and metal oxides. The second material has one or two resins and resin decomposition products. In addition, a method of cleaning a glass substrate according to the present invention includes the steps of preparing a glass substrate with a first material and a second material on its surface and removing at least part of the second material to expose the first material.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】玻璃衬底的清洗方法、半导体装置的制造方法及玻璃衬底
本专利技术的一个方式涉及一种衬底的清洗方法。本专利技术的一个方式涉及一种玻璃衬底及玻璃衬底的清洗方法。本专利技术的一个方式涉及一种剥离方法、半导体装置的制造方法及显示装置的制造方法。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本专利技术的一个方式的
的一个例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如,触摸传感器等)、输入输出装置(例如,触摸面板等)以及上述装置的驱动方法或制造方法。注意,本说明书等中的半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路、显示装置、发光装置、输入装置、输入输出装置、运算装置及存储装置等都是半导体装置的一个方式。此外,摄像装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池或有机薄膜太阳能电池等)及电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
已知应用有机EL(ElectroLuminescence:电致发光)元件或液晶元件的显示装置。作为显示装置的一个例子,还可以举出具备发光二极管(LED:LightEmittingDiode)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。有机EL元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光性有机化合物的层的结构。通过对该元件施加电压,可以得到来自发光性有机化合物的发光。通过应用这种有机EL元件,可以实现薄型、轻量、高对比度且低功耗的显示装置。通过在柔性衬底(薄膜)上形成晶体管等半导体元件或有机EL元件等显示元件,可以实现柔性显示装置。在专利文献1中公开了对隔 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在玻璃衬底上形成第一材料层;在所述第一材料层上形成第二材料层;在所述第二材料层上形成第一被剥离层;使用所述第一材料层及所述第二材料层分离所述玻璃衬底和所述第一被剥离层;以及去除残留在所述玻璃衬底上的所述第一材料层的至少一部分,其中,所述第一材料层具有金属和金属氧化物中的一个或两个,并且,所述第二材料层具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.07 JP 2016-1989251.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在玻璃衬底上形成第一材料层;在所述第一材料层上形成第二材料层;在所述第二材料层上形成第一被剥离层;使用所述第一材料层及所述第二材料层分离所述玻璃衬底和所述第一被剥离层;以及去除残留在所述玻璃衬底上的所述第一材料层的至少一部分,其中,所述第一材料层具有金属和金属氧化物中的一个或两个,并且,所述第二材料层具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,在去除所述第一材料层的至少一部分的步骤之后,还包括如下步骤:在所述玻璃衬底上形成第三材料层;在所述第三材料层上形成第四材料层;在所述第四材料层上形成第二被剥离层;以及使用所述第三材料层及所述第四材料层分离所述玻璃衬底和所述第二被剥离层,其中所述第三材料层具有金属和金属氧化物中的一个或两个,并且所述第四材料层具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中在去除所述第一材料层的至少一部分的步骤中,进行湿蚀刻、干蚀刻、灰化、清洗以及抛光中的一个以上。4.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在玻璃衬底上形成第一材料层;在所述第一材料层上形成第二材料层;在所述第二材料层上形成第一被剥离层;使用所述第一材料层及所述第二材料层分离所述玻璃衬底和所述第一被剥离层;以及去除残留在所述玻璃衬底上的所述第二材料层的至少一部分以暴露所述第一材料层,其中,所述第一材料层具有金属和金属氧化物中的一个或两个,并且,所述第二材料层具有树脂。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法,在暴露所述第一材料层的步骤之后,还有如下步骤:在所述第一材料层上形成第三材料层;在所述第三材料层上形成第二被剥离层;以及使用所述第一材料层及所述第三材料层分离所述玻璃衬底和所述第二被剥离层,其中所述第三材料层具有树脂。6.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法,其中在暴露所述第一材料层的步骤中,进行湿蚀刻、干蚀刻、灰化、清洗以及抛...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,佐藤将孝,井户尻悟,高濑奈津子,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。