The invention discloses a low loss miniaturized silicon-based numerical control attenuator, which belongs to the technical field of basic electronic circuits. The NC attenuator includes: input port, output port, common large-bit attenuation module and small-bit attenuation module. The level control circuit provides different level control to common large-bit attenuation module to realize different attenuation. The small attenuation bit is realized by traditional T-type or PI-type attenuation module, and the large-bit attenuation module and small-bit attenuation module are shared. Different attenuation values are selected by respective control terminals. The CNC attenuator disclosed in the invention realizes the functions of two or three large-bit attenuation units of the traditional attenuator by using a common large-bit attenuation module, and has the advantages of small insertion loss and small size.
【技术实现步骤摘要】
低损耗小型化硅基数控衰减器
本专利技术公开了低损耗小型化硅基数控衰减器,属于基本电子电路的
技术介绍
在电子通讯系统中,数控衰减器作为信号幅度的控制元件,主要用于具有增益设定和控制功能的微波通信系统,如相控阵系统、空间通信收发机系统。数控衰减器的技术指标主要有:工作频带、插入损耗、衰减量、衰减精度、电压驻波比、附加相移、功率容量等。传统数控衰减器一般根据衰减范围与步进决定衰减位数,不同的衰减量位采用T型、π型、桥T型、开关选择型等衰减结构的组合设计,最终的插损值为各个衰减位插损值的叠加,最终芯片的面积是各个衰减位面积的总和。一般地,大衰减位所使用的结构会占用更大的芯片面积,同时产生更大的插损。硅基工艺可以实现微波电路与数字电路的高度集成,使得较为复杂的电平控制电路可以与微波电路的设计相辅相成,有利于实现性能更优的微波电路。本专利技术旨在通过基于硅基的微波单片集成电路实现一款损耗低且尺寸小的数控衰减器。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的是针对上述
技术介绍
的不足,提供了低损耗小型化硅基数控衰减器,采用反射式衰减模块实现共用大位衰减模块电路,通过调节产生共用大位衰减模块控制电平的控制指令实现了多种衰减状态,减少了大位衰减模块的使用,同时保持了传统小位衰减模块尺寸小、插损小的优点,解决了现有数控衰减器尺寸大且插损大的技术问题。本专利技术为实现上述专利技术目的采用如下技术方案:低损耗小型化硅基数控衰减器,包括:输入端口、输出端口、共用大位衰减模块、小位衰减模块、共用大位衰减模块通过其控制端接收电平控制电路发送的控制电平,小位衰减模块通过其控制端接收其控制 ...
【技术保护点】
1.低损耗小型化硅基数控衰减器,其特征在于,包括:共用大位衰减模块,其输入端接输入端口,其控制端接n bit控制指令对应的控制电平,对输入信号进行步进衰减后输出n bit控制指令对应的衰减信号,小位衰减模块串,其首端接共用大位衰减模块的输出端,对共用大位衰减模块输出的信号进行小位衰减,其末端与输出端口连接,各小位衰减模块对其输入信号进行小位衰减,及,电平控制电路,其输入端接n bit控制指令,输出n bit控制指令对应的控制电平,n为共用大位衰减模块共用的大位个数。
【技术特征摘要】
1.低损耗小型化硅基数控衰减器,其特征在于,包括:共用大位衰减模块,其输入端接输入端口,其控制端接nbit控制指令对应的控制电平,对输入信号进行步进衰减后输出nbit控制指令对应的衰减信号,小位衰减模块串,其首端接共用大位衰减模块的输出端,对共用大位衰减模块输出的信号进行小位衰减,其末端与输出端口连接,各小位衰减模块对其输入信号进行小位衰减,及,电平控制电路,其输入端接nbit控制指令,输出nbit控制指令对应的控制电平,n为共用大位衰减模块共用的大位个数。2.根据权利要求1所述低损耗小型化硅基数控衰减器,其特征在于,该数控衰减器还包括接在小位衰减模块串末端和输出端口之间的另一共用大位衰减模块以及向另一共用大位衰减模块提供控制电平的电平控制电路,另一共用大位衰减模块按其接收的控制电平对小位衰减模块串输出的信号进行大位衰减。3.根据权利要求1或2所述低损耗小型化硅基数控衰减器,其特征在于,所述共用大位衰减模块包括:第一至第四微带线,耦合器、第一开关管、第二开关管、第一电抗、第二电抗、第一电阻、第二电阻,第一微带线的一端接输入信号,耦合器的输入端接第一微带...
【专利技术属性】
技术研发人员:何环环,沈宏昌,李健康,童伟,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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