The invention discloses a quantum dot display panel, a manufacturing method and a display device thereof. The fabrication method of a quantum dot display panel includes: forming a first functional layer on the substrate; processing the first functional layer to form a charged region on the first functional layer, which has a first electrode ion; and forming a second electrode quantum dot layer in the charged region, which has the opposite electrical properties of the second electrode and the first electrode. The fabrication method of the quantum dot display panel proposed in the embodiment of the present invention utilizes the mutual attraction of the first and second electrodes to form a second electrodeless quantum dot layer in the charged region, thus forming a pattern of the quantum dot luminescent structure layer. By precisely controlling the charged region, the shape and position of the pattern of the quantum dot luminescent structure layer can be accurately controlled. The patterning of the quantum dot luminescence structure layer ensures the accuracy of the pattern.
【技术实现步骤摘要】
一种量子点显示面板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,具体涉及一种量子点显示面板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
AMOLED(Active-matrixorganiclight-emittingdiode,有源矩阵有机发光二极体)曾被公认为有希望成为取代液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)的下一代显示器,但随着消费者消费水平的提升,高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向。然而,高分辨率的AMOLED产品很难同LCD竞争,主要原因有:有机发光显示的有机层结构通常采用掩膜蒸镀的方法制备,而掩膜蒸镀方法存在对位困难、良品率低、无法实现更小面积发光的缺陷;精确控制蒸镀区域能力不足,导致AMOLED无法满足高分辨率显示的要求;采用印刷或打印形成有机层的工艺,其获得的分辨力也是有限的。因此,高分辨率的AMOLED产品存在技术难度高、产品良率低、价格高的问题。随着量子点技术的深入发展,电致量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes,QLED)的研究日益深入,量子效率不断提升,已基本达到产业化水平,从而,通过采用新的工艺和技术来实现电致量子点发光二极管的产业化已成为未来发展的趋势。现有技术中,还没有记载形成电致量子点发光结构层图案的具体方法,因此,如何形成电致量子点发光结构层图案成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是,提供一种量子点显示面板及其制作方法、显示装置,以实现电致量子点发光结构层的图案化。为了解决上述技术问题,本专利技术实施例提供了一种量子点显示面板的制作方法, ...
【技术保护点】
1.一种量子点显示面板的制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成第一功能层;对所述第一功能层进行处理,在所述第一功能层上形成带电区域,所述带电区域中具有第一电极性离子;在所述带电区域形成第二电极性量子点层,所述第二电极性和所述第一电极性的电性相反。
【技术特征摘要】
1.一种量子点显示面板的制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成第一功能层;对所述第一功能层进行处理,在所述第一功能层上形成带电区域,所述带电区域中具有第一电极性离子;在所述带电区域形成第二电极性量子点层,所述第二电极性和所述第一电极性的电性相反。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,还包括:在所述第二电极性量子点层上形成位于所述带电区域的第一电极性量子点层。3.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述第一功能层的材料中包括光降解物质,还包括纳米粒子或体材料。4.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述对所述第一功能层进行处理,在所述第一功能层上形成带电区域,包括:采用UV光对所述第一功能层进行照射,在UV光照射区域形成带电区域。5.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述带电区域形成第二电极性量子点层,包括:在所述第一功能层上形成第二电极性量子点薄膜;对所述第二电极性量子点薄膜进行洗涤,除去位于所述带电区域外围的第二电极性量子点,形成位于所述带电区域的第二电极性量子点层。6.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第二电极性量子点层上形成位于所述带电区域的第一电极性量子点层,包括:在所述第二电极性量子点层上形成第一电极性量子点薄膜;对所述第一电极性量子点薄膜进行洗涤,除去位于所述带电区域外围的第一电极性量子点,形成位于所述带电区域的第一电...
【专利技术属性】
技术研发人员:梅文海,张晓远,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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