阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。在阵列基板中，第一绝缘层(04)具有第一过孔(A1)；第二绝缘层(06)具有第二过孔(A2)，且第二过孔(A2)在衬底基板(01)上的正投影区域位于：第一过孔(A1)在衬底基板(01)上的正投影区域内；辅助电极(02)位于第一绝缘层(04)和第二绝缘层(06)之间，辅助电极(02)通过第一过孔(A1)与漏极(031)连接，以及通过第二过孔(A2)与像素电极(07)连接。本申请解决了显示面板的像素开口率较小的问题，提高了像素开口率，本申请用于显示面板。

Array Substrate and Its Manufacturing Method, Display Panel and Display Device

The application discloses an array substrate and its manufacturing method, a display panel and a display device, which belong to the display technology field. In the array substrate, the first insulating layer (04) has the first through hole (A1); the second insulating layer (06) has the second through hole (A2), and the positive projection area of the second through hole (A2) on the substrate (01) is located in the positive projection area of the first through hole (A1) on the substrate (01); the auxiliary electrode (02) is located between the first insulating layer (04) and the second insulating layer (06), and the auxiliary electrode (02) passes through the first through hole (A1). It is connected with a drain (031) and a pixel electrode (07) through a second through hole (A2). The application solves the problem that the pixel opening ratio of the display panel is small, and improves the pixel opening ratio. The application is used for the display panel.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
本申请涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
液晶显示面板是一种常见的显示面板，液晶显示面板中的阵列基板包括：衬底基板，以及沿远离衬底基板的方向依次排布的薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称：TFT)、第一绝缘层、公共电极、第二绝缘层和像素电极。相关技术中，像素电极通过第二绝缘层中的过孔、公共电极中的过孔以及第一绝缘层中的过孔与TFT的漏极连接。另外，为了使像素电极在通过这些过孔后能够与漏极连接，需要将漏极在衬底基板上的正投影面积设置的较大。由于漏极在衬底基板上的正投影面积较大，且漏极在衬底基板上的正投影面积与液晶显示面板的像素开口率负相关，因此，液晶显示面板的像素开口率较小。
技术实现思路
本申请提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，可以解决液晶显示面板的像素开口率较小的问题，所述技术方案如下：一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板和辅助电极，以及沿远离所述衬底基板的方向依次排布的薄膜晶体管、第一绝缘层、公共电极、第二绝缘层和像素电极，所述第一绝缘层具有第一过孔，且所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影区域与所述薄膜晶体管的漏极在所述衬底基板上的正投影区域存在重叠；所述第二绝缘层具有第二过孔，且所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影区域存在重叠；所述辅助电极位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，且与所述公共电极绝缘，所述辅助电极通过所述第一过孔与所述漏极连接，以及通过所述第二过孔与所述像素电极连接。可选地，所述第一绝缘层包括：沿远离所述薄膜晶体管的方向依次排布的无机绝缘层和有机绝缘层，所述有机绝缘层具有有机层过孔，所述无机绝缘层具有无机层过孔，所述有机层过孔与所述无机层过孔连通且组成所述第一过孔。可选地，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述有机绝缘层的厚度大于所述无机绝缘层的厚度。可选地，所述阵列基板包括：电极图案，所述电极图案包括所述公共电极和所述辅助电极。可选地，所述公共电极具有镂空区域，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影区域位于所述镂空区域在所述衬底基板上的正投影区域内。可选地，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影区域呈第一矩形，所述镂空区域在所述衬底基板上的正投影区域呈第二矩形，所述第一矩形与所述第二矩形为相似图形。可选地，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域包括：位于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影区域外的区域。可选地，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域还包括：位于目标侧壁在所述衬底基板上的正投影区域内的区域，所述目标侧壁为所述第一过孔中靠近所述第二过孔的侧壁；所述像素电极通过所述第二过孔还与所述辅助电极中位于所述目标侧壁上的部分连接。可选地，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域，位于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影区域外。可选地，所述无机绝缘层的材质为二氧化硅，所述有机绝缘层的材质为树脂，所述第二绝缘层的材质为氮化硅。另一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管；在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成具有第一过孔的第一绝缘层，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影区域与所述薄膜晶体管的漏极在所述衬底基板上的正投影区域存在重叠；在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成相互绝缘的公共电极和辅助电极，所述辅助电极通过所述第一过孔与所述漏极连接；在形成有所述公共电极和所述辅助电极的衬底基板上形成具有第二过孔的第二绝缘层，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影区域存在重叠；在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述辅助电极连接。可选地，在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成具有第一过孔的第一绝缘层，包括：在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上依次形成无机绝缘材质层和有机绝缘材质层；对所述有机绝缘材质层进行图案化处理，以得到具有有机层过孔的有机绝缘层；对所述无机绝缘材质层进行图案化处理，以得到具有无机层过孔的无机绝缘层，所述有机层过孔与所述无机层过孔连通且组成所述第一过孔。可选地，对所述无机绝缘材质层进行图案化处理，包括：以所述有机绝缘层为掩膜，对所述无机绝缘材质层进行图案化处理。可选地，在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成相互绝缘的公共电极和辅助电极，包括：在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成导电材质层；对所述导电材质层进行图案化处理，以得到电极图案，所述电极图案包括所述公共电极和所述辅助电极。又一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述阵列基板。再一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述显示面板。综上所述，本专利技术实施例提供的阵列基板中，与漏极连接的电极为辅助电极，且辅助电极通过第一绝缘层中的第一过孔连接，此时，辅助电极仅通过较少的过孔(例如第一过孔)与漏极连接。因此，漏极在衬底基板上的正投影区域只受到较少过孔的限制，漏极在衬底基板上的正投影面积可以较小，阵列基板所在显示面板中子像素结构的开口率较大。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为相关技术提供的一种阵列基板的俯视图；图2为图1中截面XX的示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视图；图4为图3中截面YY的示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图6A为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图6B为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图8为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图9为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；图11为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；图14为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图；图15为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造过程示意图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。图1为相关技术提供的一种阵列基板的俯视图，图2为图1中截面XX的示意图，需要说明的是，图1中仅示出了图2中的部分结构。请结合图1和图2，该阵列基板可以包括：衬底基板10，以及沿远离衬底基板的方向依次排布的薄膜晶体管11、第一绝缘层12、公共电极13、第二绝缘层14和像素电极15。薄膜晶体管11可以包括栅极、栅绝缘层112、有源层、源极和漏极111，图2中仅示出了漏极111和栅绝缘层112。公共电极13具有第一过孔(图2中未标出)，第二绝缘层14伸入第一过孔中，且伸入第一过孔内的区域具有第二过孔(图2中未标出)，第一绝缘层12具有与薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板(01)和辅助电极(02)，以及沿远离所述衬底基板(01)的方向依次排布的薄膜晶体管(03)、第一绝缘层(04)、公共电极(05)、第二绝缘层(06)和像素电极(07)，所述第一绝缘层(04)具有第一过孔(A1)，且所述第一过孔(A1)在所述衬底基板(01)上的正投影区域与所述薄膜晶体管(03)的漏极(031)在所述衬底基板(01)上的正投影区域存在重叠；所述第二绝缘层(06)具有第二过孔(A2)，且所述第二过孔(A2)在所述衬底基板(01)上的正投影区域与所述辅助电极(02)在所述衬底基板(01)上的正投影区域存在重叠；所述辅助电极(02)位于所述第一绝缘层(04)和所述第二绝缘层(06)之间，且与所述公共电极(05)绝缘，所述辅助电极(02)通过所述第一过孔(A1)与所述漏极(031)连接，所述像素电极(07)通过所述第二过孔(A2)与所述辅助电极(02)连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板(01)和辅助电极(02)，以及沿远离所述衬底基板(01)的方向依次排布的薄膜晶体管(03)、第一绝缘层(04)、公共电极(05)、第二绝缘层(06)和像素电极(07)，所述第一绝缘层(04)具有第一过孔(A1)，且所述第一过孔(A1)在所述衬底基板(01)上的正投影区域与所述薄膜晶体管(03)的漏极(031)在所述衬底基板(01)上的正投影区域存在重叠；所述第二绝缘层(06)具有第二过孔(A2)，且所述第二过孔(A2)在所述衬底基板(01)上的正投影区域与所述辅助电极(02)在所述衬底基板(01)上的正投影区域存在重叠；所述辅助电极(02)位于所述第一绝缘层(04)和所述第二绝缘层(06)之间，且与所述公共电极(05)绝缘，所述辅助电极(02)通过所述第一过孔(A1)与所述漏极(031)连接，所述像素电极(07)通过所述第二过孔(A2)与所述辅助电极(02)连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层(04)包括：沿远离所述薄膜晶体管(03)的方向依次排布的无机绝缘层(041)和有机绝缘层(042)，所述有机绝缘层(042)具有有机层过孔，所述无机绝缘层(041)具有无机层过孔，所述有机层过孔与所述无机层过孔连通且组成所述第一过孔(A1)。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板(01)的方向上，所述有机绝缘层(042)的厚度大于所述无机绝缘层(041)的厚度。4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：电极图案(X)，所述电极图案(X)包括所述公共电极(05)和所述辅助电极(02)。5.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极(05)具有镂空区域(051)，所述辅助电极(02)在所述衬底基板(01)上的正投影区域位于所述镂空区域(051)在所述衬底基板(01)上的正投影区域内。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极(02)在所述衬底基板(01)上的正投影区域呈第一矩形，所述镂空区域(051)在所述衬底基板(01)上的正投影区域呈第二矩形。7.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔(A2)在所述衬底基板(01)上的正投影区域包括：位于所述第一过孔(A1)在所述衬底基板(01)上的正投影区域外的区域。8.根据权利要求7所述的阵列基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：田茂坤，黄中浩，吴旭，豆远尧，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11