一种晶圆洗边系统和晶圆洗边方法技术方案

本发明专利技术提供一种晶圆洗边系统和晶圆洗边方法，所述系统包括：晶圆承载系统，所述晶圆承载系统用于水平承载待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；光刻系统，所述光刻系统设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻系统具有可调节的曝光区域；以及控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻系统进行调整，以使所述光刻系统对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光。根据本发明专利技术的晶圆洗边系统和晶圆洗边方法可以精确曝光晶圆边缘损坏的、不完整的芯片裸片，解决传统洗边工艺带来的部分芯片裸片缺陷，提升芯片良率和生产的稳定性。

A Wafer Edge Washing System and a Wafer Edge Washing Method

The invention provides a wafer edge washing system and a wafer edge washing method. The system includes: a wafer bearing system, which is used to carry the wafer to be washed horizontally, a photoresist mask layer with an independent chip bare pattern is formed on the surface of the wafer to be washed; a photolithography system, which is arranged above the wafer to be washed, and a photolithography system. An adjustable exposure area; and a control module configured to adjust the lithography system so that the lithography system can expose the bare chip on the wafer to be washed one by one. According to the present invention, the wafer edge washing system and the wafer edge washing method can accurately expose the damaged and incomplete chip bare sheet, solve some defects of the chip bare sheet caused by the traditional edge washing process, and improve the chip yield and production stability.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆洗边系统和晶圆洗边方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种晶圆洗边系统和晶圆洗边方法。
技术介绍
在集成电路制造工艺中要进行多次光刻步骤，光刻质量的好坏直接影响产品的合格率。一般的光刻工艺要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、涂胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。在晶圆的涂胶过程中，由于旋转产生的离心力的作用，使得晶圆上的光刻胶逐渐向晶圆边缘散布，导致光刻胶累积在晶圆的边缘形成突起残留，进而导致后续工艺的污染状况。为了去除累积于晶圆边缘的光刻胶残留，通常在涂胶工艺后加入洗边(EdgeBeanRemoval，EBR)工艺，也称作边缘球状物去除工艺、边胶去除工艺，以去除晶圆边缘的光刻胶残留。随着制程越来越复杂，半导体器件关键尺寸越来越小，由传统洗边造成小尺寸缺陷对器件良率和器件稳定性影响越来越大。传统洗边产生的部分芯片裸片(PartialDie)和部分芯片图形(PartialPattern)，是后续工艺产生缺陷的来源。现在没有解决由此缺陷的工艺或者制程。当前工艺，只能通过修改洗边的CD，来减少因为传统洗边带来的缺陷影响，但无法根除。业界也有通过CMP的方式研磨掉部分芯片图形(PartialPattern)，但对于部分芯片裸片(PartialDie)则无能为力。为此，本专利技术提供了一种新的晶圆洗边系统和晶圆洗边方法，用以解决现有技术中的问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术提供了一种晶圆洗边系统，所述系统包括：晶圆承载系统，所述晶圆承载系统用于水平承载待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；光刻系统，所述光刻系统设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻系统具有可调节的曝光区域；以及控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻系统进行调整，以使所述光刻系统对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光。示例性的，所述控制模块对所述光刻系统进行调整的步骤包括：获取所述待洗边晶圆上芯片裸片尺寸，基于所述芯片裸片尺寸设定所述光刻系统的曝光区域；将所述曝光区域对准所述待洗边芯片裸片，以使所述光刻系统对所述待洗边芯片进行逐个曝光。示例性的，所述控制模块对所述光刻系统进行调整的步骤还包括：获取所述待洗边晶圆的芯片检测结果，并基于所述检测结果结合晶圆形状获取晶圆图，其中所述晶圆图上显示根据所述芯片检测结果指示的所述待洗边芯片；基于所述芯片裸片尺寸确定所述待洗边芯片裸片在所述晶圆图上的位置坐标；基于所述位置坐标变换所述光刻系统和所述晶圆的相对位置，以使所述光刻系统对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。示例性的，所述控制模块还配置为对所述晶圆承载系统进行调整，以使所述晶圆载台带动所述待洗边晶圆旋转，从而使所述光刻系统对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。示例性的，所述控制模块对所述晶圆承载系统进行调整的步骤包括：获取待洗边晶圆上的芯片裸片尺寸；根据所述芯片裸片尺寸确定待洗边晶圆转动角度；基于所述转动角度调整所述晶圆承载系统转动，以使所述待洗边晶圆相对所述光刻系统转动，从而使所述光刻系统对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。示例性的，所晶圆承载系统还包括驱动装置，用以驱动所述晶圆载台带动所述待洗边晶圆旋转。示例性的，所述晶圆洗边系统还包括零标记校准系统，所校零标记校准系统用于将所光刻系统的光刻区域精确对准所带洗边晶圆上的一个待洗边芯片裸片。示例性的，所述晶圆洗边系统包括水平校准系统，所述水平校准系统用于校准所述待洗边晶圆的水平位置以使所述待洗边晶圆保持水平。示例性的，所述光刻系统包括从上到下依次设置的光源系统、掩膜版系统、以及棱镜组。示例性的，所述掩膜版系统包括掩膜版，所掩膜版根据所述待洗边晶圆的芯片裸片尺寸确定曝光区域。本专利技术还提供了一种晶圆洗边的方法，所述方法包括：提供待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；获取所述待洗边晶圆的待洗边芯片裸片，对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。示例性的，对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光的过程中，保持所述待洗边晶圆旋转。示例性的，所述提供所述待洗边晶圆的步骤包括：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆表面覆盖一层光刻胶掩膜层；对所述光刻胶掩膜层进行曝光，以获得所述待洗边晶圆。示例性的，在所述半导体晶圆表面覆盖一层光刻胶掩膜层之后，对所述光刻胶掩膜层进行曝光之前，还包括边缘光刻胶去除的步骤。示例性的，所述边缘光刻胶去除的步骤采用硅片边缘曝光的方法。示例性的，所述方法还包括对所述待洗边芯片裸片进行曝光之后进行去除所述待洗边芯片裸片的步骤。根据本专利技术的晶圆洗边系统和晶圆洗边方法可以精确曝光晶圆边缘损坏的、不完整的芯片裸片，解决传统洗边工艺带来的部分芯片裸片缺陷，提升芯片良率和生产的稳定性。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1为一种晶圆洗边装系统的结构示意图；图2为一种晶圆洗边方法的示意性流程图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的描述，以说明本专利技术所述的晶圆洗边系统和晶圆洗边方法。显然，本专利技术的施行并不限于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。应予以注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施例，而非意图限制根据本专利技术的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。现在，将参照附图更详细地描述根据本专利技术的示例性实施例。然而，这些示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本专利技术的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施例的构思充分传达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的元件，因而将省略对它们的描述。随着制程越来越复杂，半导体器件关键尺寸越来越小，由传统洗边造成小尺寸缺陷对器件良率和器件稳定性影响越来越大。传统洗边产生的部分芯片裸片(PartialDie)和部分芯片图形(PartialPattern)，是后续工艺产生缺陷的来源。现在没有解决有此缺陷的工艺或者制程。当前工艺，只能通过修改洗边的宽度(CD)，来减少因为传统洗边带来的缺陷影响，但无法根除。业界也有通过CMP的方式研磨掉部分芯片图形(PartialPatt本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆洗边系统，其特征在于，所述系统包括：晶圆承载系统，所述晶圆承载系统用于水平承载待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；光刻系统，所述光刻系统设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻系统具有可调节的曝光区域；以及控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻系统进行调整，以使所述光刻系统对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆洗边系统，其特征在于，所述系统包括：晶圆承载系统，所述晶圆承载系统用于水平承载待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；光刻系统，所述光刻系统设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻系统具有可调节的曝光区域；以及控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻系统进行调整，以使所述光刻系统对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光。2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述控制模块对所述光刻系统进行调整的步骤包括：获取所述待洗边晶圆上芯片裸片尺寸，基于所述芯片裸片尺寸设定所述光刻系统的曝光区域；将所述曝光区域对准所述待洗边芯片裸片，以使所述光刻系统对所述待洗边芯片进行逐个曝光。3.如权利要求2所述的系统，其特征在于，所述控制模块对所述光刻系统进行调整的步骤还包括：获取所述待洗边晶圆的芯片检测结果，并基于所述检测结果结合晶圆形状获取晶圆图，其中所述晶圆图上显示根据所述芯片检测结果指示的所述待洗边芯片；基于所述芯片裸片尺寸确定所述待洗边芯片裸片在所述晶圆图上的位置坐标；基于所述位置坐标变换所述光刻系统和所述晶圆的相对位置，以使所述光刻系统对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。4.如权利要求2所述的系统，其特征在于，所述控制模块还配置为对所述晶圆承载系统进行调整，以使所述晶圆承载系统带动所述待洗边晶圆旋转，从而使所述光刻系统对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。5.如权利要求4所述的系统，其特征在于，所述控制模块对所述晶圆承载系统进行调整的步骤包括：获取待洗边晶圆上的芯片裸片尺寸；根据所述芯片裸片尺寸确定待洗边晶圆转动角度；基于所述转动角度调整所述晶圆承载系统转动，以使所述待洗边晶圆相对所述光刻系统转动，从而使所述光刻系统对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。6.如权利要求1所述的系统，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴健健，徐萍，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31