调整电源信号阻抗之电路结构及其半导体测试接口系统技术方案

本发明专利技术提供一种调整电源信号阻抗之电路结构及其半导体测试接口系统，包括电路板；间距转换板设有一阻抗调整层，所述阻抗调整层设有至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件中至少一者；若干第一接点设置于所述间距转换板上；以及若干第二接点，相对应于所述若干第一接点，其中所述阻抗调整层电性连接于所述若干第一接点与所述若干第二接点之间，用以调整所述间距转换板上所述若干第一接点与所述若干第二接点的阻抗值。

Circuit Structure for Adjusting Power Signal Impedance and Semiconductor Test Interface System

The invention provides a circuit structure for adjusting the impedance of power supply signal and a semiconductor test interface system, including a circuit board; a distance conversion board has an impedance adjustment layer, the impedance adjustment layer has at least one first capacitor module and at least one second capacitor module; a number of first contacts are arranged on the distance conversion board; and a number of second contacts, relative to each other. The impedance adjustment layer is electrically connected between the first contacts and the second contacts to adjust the impedance values of the first contacts and the second contacts on the spacing conversion board.

【技术实现步骤摘要】
调整电源信号阻抗之电路结构及其半导体测试接口系统
本专利技术涉及一种电路结构，特别是涉及一种调整电源信号阻抗之电路结构及其半导体测试接口系统。
技术介绍
随着行动通讯技术的快速发展，具有高速传输功能的集成电路(IC)的测试电源需求已不再是较低频的数十个百万赫兹(MHz)，而是朝着较高频的数百个MHz发展，IC晶圆测试中的半导体测试接口若是无法有效提供良好的电源控制(例如较低的电源阻抗)，则在IC测试而作动时，多组信号开启或切换撷取电流不足，将影响半导体测试机台对集成电路测试的良率。如图1所示之半导体测试接口系统，包括电路板10、转换板12、探针座14以及测试机台连接接口16，用以对晶圆18进行测试，惟，受限于所述半导体测试接口系统的架构，为了降低电源阻抗以及测试机台连接接口16透过连接脚位17可实时提供电流，在电路板10的导通孔20的底端以及上表面设置电容22，然而此种设置方式造成晶圆18与测试机台连接接口16之间的传输路径PA1较长，即，电容22距离晶圆18较远，产生较大的电感，特别是在高频率区段时所述较大电感抑制小电容值对于电源阻抗的效果，而只能在电路板10的底端以及上表面采用较大电容22来满足电源之供应，但是此方式不适于高频率区段。故，如何有效降低电源阻抗，是业界对于半导体测试发展的一个重点，因此需要提出一种新式的电路结构，以解决上述之问题。
技术实现思路
本专利技术之一目的在于提供一种调整电源信号阻抗之电路结构以及具有所述电路结构之半导体测试接口系统，藉由在间距转换板中设置一阻抗调整层，以缩短电源信号在间距转换板的传输路径，以降低传输线路的电感值，防止所述电感值对于电容组件的影响，增加集成电路测试的良率。本专利技术之另一目的在于提供一种调整电源信号阻抗之电路结构以及具有所述电路结构之半导体测试接口系统，藉由在阻抗调整层中设置多个不同的电容组件(例如是小电容值)，以调整所述晶圆至测试机台之间的电源信号阻抗值，以扩展所述电路结构可检测的频率范围。为达成上述目的，本专利技术之一实施例中调整电源信号阻抗之电路结构，包括一电路板；一间距转换板，电性连接于所述电路板上，所述间距转换板设有一第一电路层、一第二电路层、以及位于所述第一电路层与所述第二电路层之间的至少一阻抗调整层，所述阻抗调整层设有至少一孔洞，所述至少一孔洞用以设置一至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件中至少一者；若干第一接点，设置于所述间距转换板的第一电路层与所述电路板之间；以及若干第二接点，设置于所述间距转换板的第二电路层上，所述若干第二接点相对应于所述若干第一接点，其中所述至少一阻抗调整层电性连接于所述若干第一接点与所述若干第二接点之间，并且所述至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件电性连接于所述若干第一接点与所述若干第二接点之间，用以调整所述间距转换板的所述若干第一接点与所述若干第二接点之间的电源信号阻抗值。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，所述至少一阻抗调整层为一层阻抗调整层。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，所述至少一阻抗调整层为若干阻抗调整层。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，所述阻抗调整层的所述至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件为实体电容或是薄膜电容。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，所述至少一第一电容组件包括若干第一电容组件。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，所述若干第一电容组件的电容值为相同或是不相同。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，所述至少一第一电容组件系设置于所述若干第一接点的下方，所述至少一第一电容组件的两个电极系与所述间距转换板的板面呈垂直设置。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，所述至少一第一电容组件邻近于所述若干第一接点。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，所述至少一第一电容组件与所述若干第一接点的距离小于所述至少一第一电容组件与所述若干第二接点的距离。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，还包括至少一第三电容组件，设置于所述间距转换板的所述第二电路层上，并且电性连接所述至少一阻抗调整层。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，所述至少一第三电容组件与所述至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件为并联状态。在一实施例中，在调整电源信号阻抗之电路结构中，所述至少一第三电容组件为实体电容。本专利技术之一实施例中提供一种半导体测试接口系统，包括：一调整电源信号阻抗之电路结构，包括：一电路板；一间距转换板，电性连接于所述电路板上，所述间距转换板设有一第一电路层、一第二电路层、以及位于所述第一电路层与所述第二电路层之间的至少一阻抗调整层，所述阻抗调整层设有至少一孔洞，所述至少一孔洞用以设置一至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件中至少一者；若干第一接点，设置于所述间距转换板的第一电路层与所述电路板之间；及若干第二接点，设置于所述间距转换板的第二电路层上，所述若干第二接点相对应于所述若干第一接点，其中所述至少一阻抗调整层电性连接于所述若干第一接点与所述若干第二接点之间，并且所述至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件电性连接于所述若干第一接点与所述若干第二接点之间，使所述至少一阻抗调整层用以调整所述间距转换板的所述若干第一接点与所述若干第二接点之间的电源信号阻抗值；以及一探针座，电性连接于所述调整电源信号阻抗之电路结构并且固定于所述电路板上，所述探针座中设有若干探针，所述若干探针电性连接于一晶圆与所述间距转换板之间，其中所述至少一阻抗调整层用以改变所述晶圆与一测试机台之间的所述电源信号阻抗值。在一实施例中，在半导体测试接口系统，所述至少一阻抗调整层为一层阻抗调整层。在一实施例中，在半导体测试接口系统，所述至少一阻抗调整层为若干层阻抗调整层。在一实施例中，在半导体测试接口系统，所述阻抗调整层的所述至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件为实体电容或是薄膜电容。在一实施例中，在半导体测试接口系统，所述至少一第一电容组件包括若干第一电容组件。在一实施例中，在半导体测试接口系统，所述若干第一电容组件的电容值为相同或是不相同。在一实施例中，在半导体测试接口系统，所述至少一第一电容组件系设置于所述若干第一接点的下方，所述至少一第一电容组件的两个电极系与所述间距转换板的板面呈垂直设置。在一实施例中，在半导体测试接口系统，所述至少一第一电容组件邻近于所述若干第一接点。在一实施例中，在半导体测试接口系统，所述至少一第一电容组件与所述若干第一接点的距离小于所述至少一第一电容组件与所述若干第二接点的距离。在一实施例中，在半导体测试接口系统，还包括至少一第三电容组件，设置于所述间距转换板的所述第二电路层上，并且电性连接所述至少一阻抗调整层。在一实施例中，在半导体测试接口系统，所述至少一第三电容组件与所述至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件为并联状态。在一实施例中，在半导体测试接口系统，所述至少一第三电容组件为实体电容。具调整电源信号阻抗之电路结构包括一电路板；一间距转换板，电性连接于所述电路板上，所述间距转换板设有一第一电路层、一第二电路层、以及位于所述第一电路层与所述第二电路层之间的阻抗调整层，所述阻抗调整层设有至少一第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，包括：一电路板；一间距转换板，电性连接于所述电路板上，所述间距转换板设有一第一电路层、一第二电路层、以及位于所述第一电路层与所述第二电路层之间的至少一阻抗调整层，所述阻抗调整层设有至少一孔洞，所述至少一孔洞用以设置一至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件中至少一者；若干第一接点，设置于所述间距转换板的第一电路层与所述电路板之间；以及若干第二接点，设置于所述间距转换板的第二电路层上，所述若干第二接点相对应于所述若干第一接点，其中所述至少一阻抗调整层电性连接于所述若干第一接点与所述若干第二接点之间，并且所述至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件电性连接于所述若干第一接点与所述若干第二接点之间，用以调整所述间距转换板的所述若干第一接点与所述若干第二接点之间的电源信号阻抗值。

【技术特征摘要】
1.一种调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，包括：一电路板；一间距转换板，电性连接于所述电路板上，所述间距转换板设有一第一电路层、一第二电路层、以及位于所述第一电路层与所述第二电路层之间的至少一阻抗调整层，所述阻抗调整层设有至少一孔洞，所述至少一孔洞用以设置一至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件中至少一者；若干第一接点，设置于所述间距转换板的第一电路层与所述电路板之间；以及若干第二接点，设置于所述间距转换板的第二电路层上，所述若干第二接点相对应于所述若干第一接点，其中所述至少一阻抗调整层电性连接于所述若干第一接点与所述若干第二接点之间，并且所述至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件电性连接于所述若干第一接点与所述若干第二接点之间，用以调整所述间距转换板的所述若干第一接点与所述若干第二接点之间的电源信号阻抗值。2.根据权利要求1所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，所述至少一阻抗调整层为一层阻抗调整层。3.根据权利要求1所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，所述至少一阻抗调整层为若干阻抗调整层。4.根据权利要求1所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，所述阻抗调整层的所述至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件为实体电容或是薄膜电容。5.根据权利要求1所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，所述至少一第一电容组件包括若干第一电容组件。6.根据权利要求5所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，所述若干第一电容组件的电容值为相同或是不相同。7.根据权利要求1所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，所述至少一第一电容组件系设置于所述若干第一接点的下方，所述至少一第一电容组件的两个电极系与所述间距转换板的板面呈垂直设置。8.根据权利要求1所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，所述至少一第一电容组件邻近于所述若干第一接点。9.根据权利要求1所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，所述至少一第一电容组件与所述若干第一接点的距离小于所述至少一第一电容组件与所述若干第二接点的距离。10.根据权利要求1所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，还包括至少一第三电容组件，设置于所述间距转换板的所述第二电路层上，并且电性连接所述至少一阻抗调整层。11.根据权利要求10所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，所述至少一第三电容组件与所述至少一第一电容组件以及至少一第二电容组件为并联状态。12.根据权利要求10所述之调整电源信号阻抗之电路结构，其特征在于，所述至少一第三电容组件为实体电容。13.一种半导体测试接口系统，其特征在于，包括：一调整电源信号阻抗之电路结构，包括：一电路板；一间距转换板，电性连接于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文聪，谢开杰，翁亦兴，陈建淳，
申请(专利权)人：中华精测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71