The utility model relates to a p-type back-contact solar cell, which in turn comprises a front passivation and antireflection film, a p-type silicon substrate, a back n-type local area, a back passivation film and a battery electrode; the battery electrode comprises a positive electrode and a negative electrode, the positive electrode comprises a positive thin grid line and a positive connecting electrode, and the negative electrode comprises a negative thin grid line and a negative connecting electrode. Contact with p-type silicon substrate; contact with n-type doping region locally by fine negative grid lines; contact between fine positive grid lines and positive connecting electrode, and derive current through positive connecting electrode. Fine negative grid lines are connected with negative connecting electrode, and current is derived through negative connecting electrode. The utility model uses the p-type sheet as the battery base, and cancels the process of doping the p-type back field in the process flow, thereby greatly reducing the complexity of the process flow and avoiding the high temperature complex processing process required for doping the p-type back field.
【技术实现步骤摘要】
一种p型背接触太阳电池
本技术涉及太阳能电池
,具体涉及一种p型背接触太阳电池。
技术介绍
目前,随着化石能源的逐渐耗尽,太阳电池作为新的能源替代方案,使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子,然后使用电极将载流子引出,从而利于将电能有效利用。背接触电池,即backcontact电池,其中指状交叉背接触太阳电池又称为IBC电池。IBC全称为Interdigitatedbackcontact,指状交叉背接触。IBC电池最大的特点是发射极和金属接触都处于电池的背面,正面没有金属电极遮挡的影响,因此具有更高的短路电流Jsc,同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF;并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高,而且看上去更美观,同时,全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。目前使用的背接触太阳电池通常使用n型片作为基底材料,并且在背面通常使用银浆,因此在制备IBC电池时,需要对发射极和背面场的区域均进行较高浓度的掺杂,才能使得在后续的电极制备工艺过程中较好的形成电极接触,成本较高。并且由于需要进行至少两次的不同掺杂类型的掺杂工艺过程,工艺流程较长,尤其是在硅片在进行p型掺杂时,需要更高的温度和时间,额外带来边缘pn结难以去除,增加工艺的复杂性,延长了工艺流程。
技术实现思路
针对以上问题,本专利提供了一种p型背接触太阳电池,可以较好的解决上述问题。本技术使用了p型片作为电池基底,并且在工艺流程中取消了掺杂p型背面场的过程,从而极大的减少了工艺流程的复杂性,避 ...
【技术保护点】
1.一种p型背接触太阳电池,其特征在于,自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、n型掺杂区域(3)、背面钝化膜(5)和电池电极;所述的n型掺杂区域(3)间隔排列在所述p型硅基底(1)表面;所述的电池电极包括正极和负极,正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9),负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(10);正极细栅线(7)与p型硅基底(1)上p型区域(4)接触;负极细栅线(8)与n型掺杂区域(3)接触;所述正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接,并通过正极连接电极(9)导出电流,所述负极细栅线(8)与负极连接电极(10)连接,并通过负极连接电极(10)导出电流。
【技术特征摘要】
1.一种p型背接触太阳电池,其特征在于,自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、n型掺杂区域(3)、背面钝化膜(5)和电池电极;所述的n型掺杂区域(3)间隔排列在所述p型硅基底(1)表面;所述的电池电极包括正极和负极,正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9),负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(10);正极细栅线(7)与p型硅基底(1)上p型区域(4)接触;负极细栅线(8)与n型掺杂区域(3)接触;所述正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接,并通过正极连接电极(9)导出电流,所述负极细栅线(8)与负极连接电极(10)连接,并通过负极连接电极(10)导出电流。2.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池,其特征在于,所述n型掺杂区域(3)的宽度为0.08~3mm,相邻两个n型掺杂区域之间的间距为0.05~1mm。3.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池,其特征在于,所述正面钝化及减反射膜(2)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅及非晶硅中的一种或多种组成;所述背面钝化膜(5),采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。4.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池,其特征在于,所述的正极细栅线(7)和p型硅基底(1)之间的p型区域(4)内包含一层III族元素掺杂的空穴掺杂层(12),空...
【专利技术属性】
技术研发人员:李华,李中兰,鲁伟明,靳玉鹏,
申请(专利权)人:泰州隆基乐叶光伏科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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