基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置制造方法及图纸

提供一种基板清洗方法，清洗在表面具有氧化膜的基板。该方法包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。所述氧化膜亦可为颗粒至少部分被带入的自然氧化膜。在此情况下，所述部分蚀刻步骤亦可为使所述颗粒自所述自然氧化膜露出、或使自所述自然氧化膜露出的露出部分增加的步骤。此外，所述物理清洗亦可为一边使所述自然氧化膜残留于所述基板的表面一边通过物理的作用去除自所述自然氧化膜露出的颗粒的步骤。

Substrate Cleaning Method, Substrate Cleaning Procedure Forming Method and Substrate Cleaning Procedure Forming Device

A substrate cleaning method is provided for cleaning a substrate with an oxide film on the surface. The method comprises: a partial etching step to etch the oxide film to a predetermined film thickness; and a physical cleaning step to perform a physical cleaning on the surface of the substrate after the partial etching step. The oxide film can also be a natural oxide film into which particles are at least partially carried. In this case, the partial etching step may also be a step to expose the particles from the natural oxide film or to increase the exposed portion from the natural oxide film. In addition, the physical cleaning can also be a step of removing particles exposed from the natural oxide film by physical action while leaving the natural oxide film on the surface of the substrate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置
本专利技术涉及一种清洗基板的方法、以及作成用于清洗基板的规程(recipe)的方法及装置。本专利技术还涉及一种用以使计算机具有作为基板清洗规程作成装置的功能的计算机程序(computerprogram)。在清洗对象的基板中，包含例如半导体晶片(wafer)、液晶显示设备用基板、等离子体显示器(plasmadisplay)用基板、FED(FieldEmissionDisplay；场致发光显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太阳能电池用基板等。
技术介绍
为了半导体晶片等的基板的清洗，有的情况能应用所谓的物理清洗。所谓物理清洗指通过物理的作用，更具体而言是通过力学的能量(energy)来去除基板表面的异物(以下称为“颗粒(particle)”)的处理。物理清洗的具体例为超声波清洗、双流体清洗、喷墨(inkjet)清洗、固化溶解清洗等，这些已分别记载于专利文献1至专利文献3等中。例如，双流体清洗是使用双流体喷嘴(twofluidnozzle)将已混合气体及液体后的混合流体供给至基板的表面的处理。混合流体中的液滴碰撞于基板的表面，且通过该冲击使基板的表面的颗粒从基板脱离而去除。混合流体所具有的动能越大就越能获得较大的去除性能，另一方面，如果动能过大，则基板表面的器件(device)形成用的图案(pattern)恐有受到损伤(例如图案倒塌)的担心。即，颗粒去除与图案损伤是处于取舍(trade-off)的关系。因此，较佳的是在不发生图案损伤的范围内尽可能使用具有较大的动能的混合流体。此情形即便是在其他的物理清洗中亦为同样。即，在各个清洗处理中设定有用以调整物理力的参数(parameter)，以便将在不发生图案损伤的范围内尽可能地使较大的物理力(能量)提供给基板上的颗粒。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-214757号公报。专利文献2：日本特开2003-275696号公报。专利文献3：日本特开2014-179449号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题伴随形成于基板的表面的图案的微细化，以较小的物理力就会发生图案损伤。相应于此，能去除基板上的颗粒且能回避基板上的图案的损伤的物理力或物理能量的范围，亦即处理窗口(processwindow)会变小。因此，难以通过物理清洗来一边回避图案损伤一边实现优异的颗粒去除性能。因此，本专利技术的一个目的在于提供一种基板清洗方法，能应用物理清洗高效地去除基板上的颗粒，且能抑制基板上的图案的损伤。本专利技术的另一目的在于提供一种作成用以执行如前述的基板清洗方法的基板清洗规程的方法及装置。本专利技术的又一目的在于提供一种用以使计算机具有作为基板清洗规程作成装置的功能的计算机程序。用于解决问题的手段本专利技术提供一种清洗在表面具有氧化膜的基板的基板清洗方法，包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。依据本方法，基板的表面的氧化膜部分能蚀刻至预定的膜厚为止。即，通过氧化膜的表面部分被蚀刻，而残留预定的膜厚的氧化膜。通过氧化膜的表面部分被蚀刻，而使部分或整体被带入于氧化膜中的颗粒露出，且该露出部分的比例会变大。因此，只要之后执行物理清洗，就能以比较小的能量来清除颗粒。如此，由于能以较小能量的物理清洗来实现必要的颗粒去除性能，故能抑制或回避形成于基板表面的图案的损伤。由于是选择性地蚀刻氧化膜的表面部分，所以不会对氧化膜的基底带来不良影响。因此，不会对氧化膜的基底带来不良影响，而能去除基板上的颗粒。在本专利技术的一实施方式中，所述氧化膜为颗粒至少部分被带入的自然氧化膜。然后，所述部分蚀刻步骤为使所述颗粒自所述自然氧化膜露出、或使所述颗粒自所述自然氧化膜露出的露出部分增加的步骤。而且，所述物理清洗为一边使所述自然氧化膜残留于所述基板的表面一边通过物理的作用去除自从所述自然氧化膜露出的颗粒的步骤。当颗粒附着在基板表面之后而自然氧化膜形成于基板表面时，颗粒就会部分或整体地被带入于自然氧化膜中。此外，在自然氧化膜的形成途中颗粒仍有可能附着于基板表面(严格来说是形成途中的自然氧化膜的表面)。即便是在如此的情况下，颗粒仍会部分或整体被带入于自然氧化膜中。于是，由于通过部分蚀刻自然氧化膜(特别是蚀刻其表面部分)，就能加大颗粒的露出部分的比例，所以在之后的物理清洗中能以比较小的能量来去除颗粒。其结果，能一边抑制或回避图案损伤，一边去除基板上的颗粒。在本专利技术的一实施方式中，所述部分蚀刻步骤包含对所述基板的表面供给稀释氢氟酸的步骤。在本方法中，通过稀释氢氟酸来进行氧化膜(例如自然氧化膜)的部分蚀刻。由于使用稀释氢氟酸来去除氧化膜的整体，会有导致基板表面的粗糙的疑虑所以不佳。于是，通过将氧化膜部分蚀刻至膜厚途中为止，能一边使基板表面保持于优异的状态，一边抑制或回避图案损伤，并去除基板上的颗粒。在本专利技术的一实施方式中，所述稀释氢氟酸为0.1％至0.5％的浓度(质量浓度)的氢氟酸(氟化氢酸)。由此，能高精度地进行氧化膜(特别是自然氧化膜)的部分的蚀刻(弱蚀刻)。由此，能一边使基板表面保持于优异的状态，一边抑制或回避图案损伤，并去除基板上的颗粒。在本专利技术的一实施方式中，所述物理清洗步骤包含：双流体清洗步骤、超声波清洗步骤、喷墨式液滴清洗步骤及固化溶解清洗步骤的中的至少一个；在该双流体清洗步骤中，对所述氧化膜的表面供给混合气体和液体而成的混合流体；在该超声波清洗步骤中，对所述氧化膜的表面供给已赋予超声波后的液体；在该喷墨式液滴清洗步骤中，自喷墨头对所述氧化膜的表面供给液滴；在该固化溶解清洗步骤中，在所述氧化膜的表面形成液膜之后对该液膜进行固化以形成凝固体膜，溶解所述凝固体膜并予以去除。如此，物理清洗亦可为双流体清洗、超声波清洗、喷墨清洗、固化溶解清洗中的任一个，亦可为它们中的二个以上的组合。由于无论是哪一种情况都能减小物理性的能量，故能一边抑制或回避图案损伤，一边去除颗粒。本专利技术还提供一种基板清洗规程作成方法，为了在基板处理装置执行基板清洗处理而作成应登录于所述基板处理装置的规程数据，所述基板清洗处理用以清洗在表面具有氧化膜的基板。所述基板清洗处理包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。所述基板清洗规程作成方法包含：部分蚀刻工序作成步骤，作成用以执行所述部分蚀刻步骤的工序数据；物理清洗工序作成步骤，作成用以执行所述物理清洗步骤的工序数据；以及条件匹配步骤，基于已预先准备的匹配基准数据来使所述部分蚀刻步骤中的蚀刻条件和所述物理清洗步骤中的物理清洗条件匹配。通过本方法，而作成用以执行如前述的基板清洗方法的规程数据。规程数据登录于基板处理装置中。通过基板处理装置按照该规程数据来动作，而执行前述的基板清洗方法。部分蚀刻步骤的蚀刻条件、和物理清洗步骤中的物理清洗条件基于匹配基准数据而相匹配。由此，由于能作成蚀刻条件和物理清洗条件已匹配的规程数据，所以能作成可以实现整体适当的基板清洗处理的规程数据，亦即能作成可以实现一边抑制或回本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板清洗方法，清洗在表面具有氧化膜的基板，其中，包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.26 JP 2016-1870981.一种基板清洗方法，清洗在表面具有氧化膜的基板，其中，包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。2.如权利要求1所述的基板清洗方法，其中，所述氧化膜为颗粒至少部分被带入的自然氧化膜；所述部分蚀刻步骤为使所述颗粒自所述自然氧化膜露出、或使所述颗粒自所述自然氧化膜露出的露出部分增加的步骤；所述物理清洗为一边使所述自然氧化膜残留于所述基板的表面一边通过物理的作用去除自所述自然氧化膜露出的颗粒的步骤。3.如权利要求1或2所述的基板清洗方法，其中，所述部分蚀刻步骤包含对所述基板的表面供给稀释氢氟酸的步骤。4.如权利要求3所述的基板清洗方法，其中，所述稀释氢氟酸为0.1％至0.5％的浓度的氢氟酸。5.如权利要求1至4中任一项所述的基板清洗方法，其中，所述物理清洗步骤包含双流体清洗步骤、超声波清洗步骤、喷墨式液滴清洗步骤及固化溶解清洗步骤中的至少一个；在所述双流体清洗步骤中，对所述氧化膜的表面供给混合气体和液体而成的混合流体；在所述超声波清洗步骤中，对所述氧化膜的表面供给已赋予超声波的液体；在所述喷墨式液滴清洗步骤中，自喷墨头对所述氧化膜的表面供给液滴；在所述固化溶解清洗步骤中，在所述氧化膜的表面形成液膜之后对该液膜进行固化以形成凝固体膜，溶解所述凝固体膜并予以去除。6.一种基板清洗规程作成方法，为了在基板处理装置执行基板清洗处理而作成应登录于所述基板处理装置的规程数据，所述基板清洗处理用以清洗在表面具有氧化膜的基板；其中，所述基板清洗处理包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗；所述基板清洗规程作成方法包含：部分蚀刻工序作成步骤，作成用以执行所述部分蚀刻步骤的工序数据；物理清洗工序作成步骤，作成用以执行所述物理清洗步骤的工序数据；以及条件匹配步骤，基于已预先准备的匹配基准数据来使所述部分蚀刻步骤中的蚀刻条件和所述物理清洗步骤中的物理清洗条件匹配。7.如权利要求6所述的基板清洗规程作成方法，其中，所述部分蚀刻工序作成步骤包含作成包含所述部分蚀刻步骤中的蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：樋口鲇美，小森香奈，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP