含荧光体薄膜及背光单元制造技术

本发明专利技术提供一种即使在含有量子点等荧光体的薄膜中形成层叠结构之后剪裁成所期望的尺寸的情况下也能够抑制荧光体的劣化的含荧光体薄膜、以及具备该含荧光体薄膜作为波长转换部件的背光单元。本发明专利技术的含荧光体薄膜具有：含荧光体层，其离散配置有多个包含暴露于氧时与氧反应而劣化的荧光体的荧光区域，并在离散配置的多个荧光区域之间配置有对氧具有不透过性的树脂层；及第1基材薄膜及第2基材薄膜，分别层叠在含荧光体层的两个主表面上；树脂层的努氏硬度为115N/mm

Fluorescent Thin Films and Backlight Units

The present invention provides a fluorescent film containing fluorescent substance capable of suppressing deterioration of fluorescent substance even when a stacking structure is formed in a film containing fluorescent substances such as quantum dots and cut to desired size, and a backlight unit having the fluorescent substance film as a wavelength conversion component. The fluorescent body film of the invention has: a fluorescent body layer, which is discretely arranged with a plurality of fluorescent regions containing fluorescent bodies degraded by reaction with oxygen when exposed to oxygen, and a resin layer with oxygen-impermeability is arranged between the discretely arranged fluorescent regions; and a first substrate film and a second substrate film are respectively overlapped on two main surfaces containing a fluorescent body layer; The Nusselt hardness of the layer is 115N/mm.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含荧光体薄膜及背光单元
本专利技术涉及一种包含通过激励光照射发出荧光的荧光体的含荧光体薄膜及具备含荧光体薄膜作为波长转换部件的背光单元。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平板显示器作为耗电量小、节省空间的图像显示装置，其用途逐年扩展。在近年来的液晶显示装置中，作为LCD性能改善进一步要求省电化或颜色再现性提升等。伴随LCD的背光的省电化，为了提高光利用效率并且提高颜色再现性，提出有利用包含将入射光的波长进行转换而射出的量子点(QuantumDot，QD，还称为量子点。)作为发光材料(荧光体)的波长转换层。所谓量子点，是在三维全方向上移动方向受到限制的电子的状态，半导体的纳米粒子由高势垒立体包围时，该纳米粒子成为量子点。量子点显现各种量子效应。例如，显现电子的状态密度(能级)被离散化的“量子尺寸效应”。根据该量子尺寸效应，能够使量子点的大小改变，由此控制光的吸收波长或发光波长。通常，这种量子点分散在树脂等中，例如作为进行波长转换的量子点膜，配置于背光与液晶面板之间来使用。若激励光从背光向包含量子点的薄膜入射，则量子点被激发而发出荧光。在此能够通过使用具有不同的发光特性的量子点，使各量子点发出红色光、绿色光或蓝色光的半值宽度窄的光而具体实现白色光。基于量子点的荧光由于半值宽度较窄，因此能够使通过适当地选择波长而获得的白色光成为高亮度以及设计成颜色再现性优异。量子点存在容易因水分或氧而劣化，尤其发光强度因光氧化反应而下降的问题。因此，波长转换部件构成为在包含作为包含量子点的波长转换层的量子点的树脂层(以下，还称为“量子点层”)的两个主表面层叠阻气膜来保护量子点层。然而，若仅由阻气膜保护量子点层的两个主表面，则存在水分或氧从没有被阻气膜保护的端面进入，导致量子点劣化的问题。因此，提出了用阻挡膜保护量子点层的整个周边。例如，专利文献1中记载有一种量子点波长转换体，其包括：波长转换部，其包含将激励光进行波长转换而使波长转换光产生的量子点及使量子点分散的分散介质；及密封部件，密封波长转换部，并记载有在作为密封部件的2张密封片之间配置波长转换部，并对密封片的波长转换部的周边进行加热而使其热粘结，由此密封波长转换部的内容。并且，专利文献2中记载有具备将从光源部发出的彩色光的至少一部分转换为其他彩色光的颜色转换层(荧光体层)及密封颜色转换层的不渗透性的密封片的发光装置，并记载有具有以沿荧光体层的外周、即包围颜色转换层的平面形状的方式设置成框形状的第2贴合层，并通过该第2贴合层包含具有水蒸气阻隔性的粘接材料的结构来防止水渗入到颜色转换层中的颜色转换片(荧光体片)。用于LCD的包含量子点的波长转换层为50μm～350μm左右的薄型膜。用阻气膜等密封片包覆这种非常薄型的薄膜的整个端面是非常困难的，具有生产率差的问题。这种问题不限于量子点，也同样地产生在具备与氧反应而劣化的荧光体的含荧光体薄膜中。另一方面，为了以高生产效率制造含有量子点等荧光体的含荧光体薄膜，优选通过卷对卷方式在长尺寸的薄膜上依次实施涂布工序或固化工序而形成层叠结构之后，裁剪成所期望的尺寸的方法。但是，在从该长膜裁剪出所需尺寸的含荧光体薄膜而获得时，含荧光体层在切断端面处扔暴露于外部空气，因此必须采取针对氧从切断端面进入的对策。相对于此，专利文献3中记载有一种光学部件，其具有：2个基板；密封材料，层叠于2个基板之间并形成多个分离的区域；及荧光部件，包含配置于分离的区域的荧光物质，并记载有通过用密封材料的部分裁剪，即使裁剪光学部件也能够保持荧光部件的密封状态。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-061098号公报专利文献2：日本特开2009-283441号公报专利文献3：美国专利公开2015/0048403号
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题但是，已知存在如下问题：即使在设为离散配置荧光部件并用密封材料进行密封的结构的情况下，裁剪该光学部件时，导致密封材料中产生裂纹而水分和氧容易侵入。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其课题在于，提供一种即使在含有量子点等荧光体的薄膜中，形成层叠结构之后裁剪成所期望的尺寸的情况下，也能够抑制荧光体的劣化的含荧光体薄膜、以及具备该含荧光体薄膜作为波长转换部件的背光单元。用于解决技术课题的手段本专利技术人等为了实现上述课题而进行了深入研究的结果，能够通过如下结构来解决上述课题，并完成了本专利技术：一种含荧光体薄膜，其具有：含荧光体层，离散配置有多个包含暴露于氧时与氧反应而劣化的荧光体的荧光区域，并在离散配置的多个荧光区域之间配置对氧具有不透过性的树脂层而成；及第1基材薄膜及第2基材薄膜，分别层叠在含荧光体层的一个主表面及另一个主表面上，树脂层的努氏硬度为115N/mm2～285N/mm2，蠕变恢复率为22％以下，弹性恢复率为60％以上。即，发现了能够通过以下结构来实现上述课题。(1)一种含荧光体薄膜，其具有：含荧光体层，其离散配置有多个包含荧光体的荧光区域，所述荧光体暴露于氧中时与氧反应而劣化，并在离散配置的多个所述荧光区域之间配置有对氧具有不透过性的树脂层；及层叠在所述含荧光体层的一个主表面上的第1基材薄膜及层叠在另一个主表面上的第2基材薄膜；树脂层的努氏硬度为115N/mm2～285N/mm2，蠕变恢复率为22％以下，弹性恢复率为60％以上。(2)(1)所述的含荧光体薄膜，其中，在含荧光体薄膜的端面露出有失去荧光特性的区域和树脂层。(3)根据(1)或(2)所述的含荧光体薄膜，其中，树脂层的氧透过率为10cc/(m2·day·atm)以下。(4)根据(1)至(3)中任一项所述的含荧光体薄膜，其中，第1基材薄膜及第2基材薄膜的氧透过率为1cc/(m2·day·atm)以下。(5)根据(1)至(4)中任一项所述的含荧光体薄膜，其中，树脂层中所含有的树脂由含有具有光聚合性官能团或热聚合性官能团的化合物的组合物形成。(6)一种背光单元，其包含由(1)至(5)中任一项所述的含荧光体薄膜形成的波长转换部件、及蓝色发光二极管和紫外线发光二极管中的至少一者。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种即使在含有量子点等荧光体的薄膜中，形成层叠结构之后裁剪成所期望的尺寸的情况下，也能够抑制荧光体的劣化的含荧光体薄膜、以及将该含荧光体薄膜作为波长转换部件具备的背光单元。附图说明图1是示意地表示本专利技术的含荧光体薄膜的一例的立体图。图2是图1的含荧光体薄膜的俯视图。图3是图1的含荧光体薄膜的剖视图。图4是表示荧光区域的俯视图案的另一例的俯视图。图5是表示荧光区域的俯视图案的另一例的俯视图。图6是用于说明荧光区域的轮廓的特定方法的图。图7A是示意性地表示本专利技术的含荧光体薄膜的另一例的俯视图。图7B是图7A的B-B线剖视图。图7C是图7A的C-C线剖视图。图8A是示意地表示本专利技术的含荧光体薄膜的另一例的俯视图。图8B是图8A的B-B线剖视图。图9A是示意地表示本专利技术的含荧光体薄膜的另一例的俯视图。图9B是图9A的B-B线剖视图。图10是表示含荧光体薄膜的制造工序的图。图11是用于说明本专利技术的含荧光体薄膜的制作方法的示意图。图12是用于说明本专利技术的含荧光体薄膜的制作方法的示意图。图13是将含荧光体薄膜作为波长转换部件具备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含荧光体薄膜，其具有：含荧光体层，其离散配置有多个包含荧光体的荧光区域，所述荧光体暴露于氧中时与氧反应而劣化，并在离散配置的多个所述荧光区域之间配置有对氧具有不透过性的树脂层；及层叠在所述含荧光体层的一个主表面上的第1基材薄膜及层叠在另一个主表面上的第2基材薄膜；所述树脂层的努氏硬度为115N/mm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.02 JP 2016-172180;2016.11.30 JP 2016-233271.一种含荧光体薄膜，其具有：含荧光体层，其离散配置有多个包含荧光体的荧光区域，所述荧光体暴露于氧中时与氧反应而劣化，并在离散配置的多个所述荧光区域之间配置有对氧具有不透过性的树脂层；及层叠在所述含荧光体层的一个主表面上的第1基材薄膜及层叠在另一个主表面上的第2基材薄膜；所述树脂层的努氏硬度为115N/mm2～285N/mm2，蠕变恢复率为22％以下，弹性恢复率为60％以上。2.根据权利要求1所述的含...

【专利技术属性】
技术研发人员：关口惠，大场达也，柿下健一，楠本将之，筑紫翔，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP