The invention belongs to the technical field of metallurgical welding, in particular to a low temperature metallurgical welding connection method of piezoelectric ceramic stack. A low temperature metallurgical welding connection method for piezoelectric ceramic stack includes the following steps: S1, stacking several piezoelectric ceramic sheets in turn to form a ceramic stack, each surface of the piezoelectric ceramic sheet includes a metal electrode layer; S2, adding an intermediate layer between two adjacent piezoelectric ceramic sheets; S3, placing the ceramic stack in a heating device for welding. The method is simple in technology, and can realize metallurgical welding of piezoelectric ceramic stack at low temperature. The mechanical properties of the welded joints are excellent, and the thermal damage of temperature sensitive piezoelectric ceramic materials during packaging is avoided.
【技术实现步骤摘要】
一种压电陶瓷堆的低温冶金焊接连接方法
本专利技术属于冶金焊接
,尤其涉及一种压电陶瓷堆的低温冶金焊接连接方法。
技术介绍
压电陶瓷作为一种具有压电特性的功能性电子陶瓷材料,其应用已经遍及军事、医疗、工业、民用等各个领域。其中,多层压电陶瓷结构的压电陶瓷堆由于具有压电效应、谐振和伸缩特性,使其在换能、驱动、频率控制和传感方面有越来越多的应用。例如,基于多层压电陶瓷变压器的新型电源、相机调焦用的压电作动器、压电陶瓷扬声器、打印机探头等。由于压电陶瓷材料具有热退极化的特性,使其连接温度应小于材料的居里温度,而一些压电陶瓷体系的居里温度较低。例如,高钛酸钡基陶瓷的居里温度为85℃,而BT基压电陶瓷的居里温度一般不超过120℃,这就对压电陶瓷堆的连接温度提出了一定的要求。而冶金焊接的方式能够获得强度高稳定性好的连接接头,但是常见的电子封装用钎料和方法的操作温度较高,会对陶瓷产生热损伤。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题针对现有存在的技术问题,本专利技术提供一种基于瞬时液相扩散工艺连接压电陶片的方法,该方法工艺简单,在低温下实现压电陶瓷堆冶金焊接,焊接接头力学性能优良,同时避免了对温度敏感的压电陶瓷材料进行封装时的热损伤。(二)技术方案为了达到上述目的,本专利技术采用的主要技术方案包括:一种压电陶瓷堆的低温冶金焊接连接方法,包括如下步骤:S1、将若干压电陶瓷片依次叠放形成陶瓷堆,每个所述压电陶瓷片的表面均包括金属电极层;S2、将相邻两个所述压电陶瓷片之间加入一中间层;S3、将所述陶瓷堆放置在加热装置中焊接。如上述的方法,优选地,所述金属电极层的材质包括金、银、镍 ...
【技术保护点】
1.一种压电陶瓷堆的低温冶金焊接连接方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将若干压电陶瓷片依次叠放形成陶瓷堆,每个所述压电陶瓷片的表面均包括金属电极层;S2、将相邻两个所述压电陶瓷片之间加入一中间层;S3、将所述陶瓷堆放置在加热装置中焊接。
【技术特征摘要】
1.一种压电陶瓷堆的低温冶金焊接连接方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将若干压电陶瓷片依次叠放形成陶瓷堆,每个所述压电陶瓷片的表面均包括金属电极层;S2、将相邻两个所述压电陶瓷片之间加入一中间层;S3、将所述陶瓷堆放置在加热装置中焊接。2.根据权利要求1所述的压电陶瓷堆的低温冶金焊接连接方法,其特征在于,所述金属电极层的材质包括金、银、镍和铜中的一种材料。3.根据权利要求1所述的压电陶瓷堆的低温冶金焊接连接方法,其特征在于,所述中间层的材质包括铋、铅、锡、镉、铟、银、金和铜中的至少一种元素的合金。4.根据权利要求3所述的压电陶瓷堆的低温冶金焊接连接方法,其特征在于,所述中间层的熔点小于...
【专利技术属性】
技术研发人员:李晓东,叶灵敏,孙旭东,
申请(专利权)人:东北大学,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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