The invention discloses an ultra-wideband microwave absorber based on a combined resonant structure and a manufacturing method thereof. The microwave absorber comprises a dielectric layer, a thin film, a first resonant structure and a second resonant structure. The dielectric layer has two distant ends, and the film is laid on one end of the dielectric layer. The first resonant structure is mounted on another end face of the dielectric layer, and includes two first resonant units relatively arranged. The first resonant element is L-shaped, and the two first resonant elements are enclosed in an open ring structure. The second resonant structure is installed on the other end face of the dielectric layer and is located in the open ring structure. The second resonant structure consists of two second resonant elements which are both square, and the two second resonant elements overlap partially. The absorbed waveforms are linearly superposed by the first resonant structure and the second resonant structure to form an absorbed frequency band with multiple harmonic absorption peaks, breaking through the restriction of the original two bandwidth expansion methods, and reducing the time and cost of device construction.
【技术实现步骤摘要】
一种基于组合谐振结构的超宽频带吸波器及其制造方法
本专利技术涉及吸波
的一种吸波器,尤其涉及一种基于组合谐振结构的超宽频带吸波器及其制造方法。
技术介绍
吸波器通常有着较小的物理尺寸,且可以在目标频域内有特定的吸收能力,近年来被广泛的应用于防止电磁干扰、电磁隐身等各种民用、军事领域。在军事领域,可以用吸波器作为武器装备的涂层,使武器拥有电磁隐身的能力,对方无法通过武器侦测到我方人员,可以在战争中获取先机,也可以用来降低导弹等各类飞行单位的RCS。吸波器在具体生活中的应用主要体现在大部分电子产品在工作的过程中需要预防电磁干扰的吸波应用,小型的吸波器可以有效的解决保健、医疗等方面的这类需求,同时它在通讯领域也有着越来越多的应用。但是,目前常用的超材料吸波器吸波频带扩展的两种主要方法分别为平面扩展法和多层堆叠法,由于超材料单元结构中所包含的亚晶格结构的数量不可能无限增加,多层堆叠的超材料结构又会导致器件厚度的增加且其构造时间和费用都较高,而且随着频率的上升其设计难度会急剧增加,因此,通过传统的平面构造法和多层堆积法已不再具备获得超宽带吸波的先决条件。
技术实现思路
针对现有的技术问题,本专利技术提供一种基于组合谐振结构的超宽频带吸波器及其制造方法,解决了现有的吸波器的超材料单元结构中所包含的亚晶格结构的数量不可能无限增加,多层堆叠的超材料结构又会导致器件厚度的增加且其构造时间和费用都较高,而且随着频率的上升其设计难度会急剧增加的问题。本专利技术采用以下技术方案实现:一种基于组合谐振结构的超宽频带超材料吸波器,其包括:介质层,其具有相远离的两个端面;薄膜,其敷设 ...
【技术保护点】
1.一种基于组合谐振结构的超宽频带超材料吸波器,其包括:介质层(1),其具有相远离的两个端面;薄膜(2),其敷设在介质层(1)的一个端面上;其特征在于,所述基于组合谐振结构的超宽频带超材料吸波器还包括:第一谐振结构(3),其安装在介质层(1)的另一个端面上,且包括相对设置的两个第一谐振单元(4);第一谐振单元(4)呈L形,且两个第一谐振单元(4)围成一个开口环结构;以及第二谐振结构(5),其安装在介质层(1)的另一个端面上,并位于所述开口环结构中;第二谐振结构(5)包括均呈正方形的两个第二谐振单元(6),两个第二谐振单元(6)部分重叠,且重叠的部分呈正方形;其中,在电磁波垂直入射在介质层(1)的另一个端面上时,第一谐振结构(3)和第二谐振结构(5)均吸收所述电磁波,并分别具有频率不同的两个谐波吸收峰,且线性叠加以构成具有多个谐波吸收峰的一个吸波频带。
【技术特征摘要】
1.一种基于组合谐振结构的超宽频带超材料吸波器,其包括:介质层(1),其具有相远离的两个端面;薄膜(2),其敷设在介质层(1)的一个端面上;其特征在于,所述基于组合谐振结构的超宽频带超材料吸波器还包括:第一谐振结构(3),其安装在介质层(1)的另一个端面上,且包括相对设置的两个第一谐振单元(4);第一谐振单元(4)呈L形,且两个第一谐振单元(4)围成一个开口环结构;以及第二谐振结构(5),其安装在介质层(1)的另一个端面上,并位于所述开口环结构中;第二谐振结构(5)包括均呈正方形的两个第二谐振单元(6),两个第二谐振单元(6)部分重叠,且重叠的部分呈正方形;其中,在电磁波垂直入射在介质层(1)的另一个端面上时,第一谐振结构(3)和第二谐振结构(5)均吸收所述电磁波,并分别具有频率不同的两个谐波吸收峰,且线性叠加以构成具有多个谐波吸收峰的一个吸波频带。2.如权利要求1所述的基于组合谐振结构的超宽频带超材料吸波器,其特征在于,薄膜(2)、第一谐振结构(3)、第二谐振结构(5)均为金属结构,且厚度均相同。3.如权利要求2所述的基于组合谐振结构的超宽频带超材料吸波器,其特征在于,介质层(1)的两个端面均为面积相同的两个正方形,且介质层(1)的厚度为900um,端面的周期为4000um;薄膜(2)、第一谐振结构(3)、第二谐振结构(5)的厚度均为10um。4.如权利要求3所述的基于组合谐振结构的超宽频带超材料吸波器,其特征在于,第一谐振单元(4)呈条状,且两端与其弯折部位的距离相等。5.如权利要求4所述的基于组合谐振结构的超宽频带超材料吸波器,其特征在于,第一谐振单元(4)的宽度为300um,且...
【专利技术属性】
技术研发人员:王鑫,王俊林,翁智,韩丁,
申请(专利权)人:内蒙古大学,
类型:发明
国别省市:内蒙古,15
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。