一种量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件，该量子点发光器件的制备方法包括：在衬底基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成空穴注入层；在空穴注入层上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成量子点发光层；在量子点发光层上形成电子传输层；在电子传输层上形成第二电极层，在第二电极层上形成第三电极层；其中，所述第二电极层和第三电极层为透明电极层，所述第二电极层的功函数大于所述电子传输层的LUMO能级、且小于所述第三电极层的功函数。该量子点发光器件的制备方法中，将顶电极制备为双层结构的透明电极，既有利于电子的注入，又有利提高顶电极的透过率，进而提高光取出效率。

Preparation of a Quantum Dot Light Emitting Device and Quantum Dot Light Emitting Device

The invention relates to the field of display technology, and discloses a preparation method of a quantum dot light emitting device and a quantum dot light emitting device. The preparation method of the quantum dot light emitting device includes: forming a first electrode layer on the substrate; forming a hole injection layer on the first electrode layer; forming a hole transmission layer on the hole injection layer; and forming a quantum dot light emitting layer on the hole transmission layer; The second electrode layer and the third electrode layer are transparent electrode layers, and the work function of the second electrode layer is larger than the LUMO level of the electron transport layer and smaller than that of the third electrode layer. In the preparation of the QDs, the top electrode is fabricated as a double-layer transparent electrode, which not only facilitates the injection of electrons, but also improves the transmittance of the top electrode, thereby improving the light extraction efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件。
技术介绍
量子点QD作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型LED发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管QLED成为了目前新型显示器件研究的主要方向。对于显示产品，由于高分辨率的需求，发光单元常采用顶发射的结构。在顶发射结构中，顶电极一般采用半透明电极，如薄的Al、Ag等，而薄金属薄膜的透过率较低，影响了光取出效率，不利于器件效率提高。
技术实现思路
本专利技术提供了一种量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件，上述量子点发光器件既有利于电子的注入，又有利于提高顶电极的透过率，进而提高光取出效率。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种量子点发光器件的制备方法，包括：在衬底基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成空穴注入层；在空穴注入层上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成量子点发光层；在量子点发光层上形成电子传输层；在电子传输层上形成第二电极层，在第二电极层上形成第三电极层；其中，所述第二电极层和第三电极层为透明电极层，所述第二电极层的功函数大于所述电子传输层的LUMO能级、且小于所述第三电极层的功函数。通过上述量子点发光器件的制备方法可以制备出顶电极包括第二电极层和第三电极层双层电极结构，且第二电极层和第三电极层为透明电极层，第二电极层的功函数大于电子传输层的LUMO能级、且小于第三电极层的功函数的量子点发光器件，由于制作出的量子点发光器件的双层电极结构中第二电极层和第三电极层为透明电极层，且第二电极层的功函数与第三电极层的功函数相比较小，因此与电子传输层的LUMO能级更接近，有利于电子的注入，而第三电极层与电子传输层的LUMO能级相差较大，有利于提高量子点发光器件的顶电极的透过率，进而提高量子点发光器件的光取出效率。在一种可能的实施方式中，所述在电子传输层上形成第二电极层，包括：采用溅射的方式在电子传输层上沉积铟锌氧化物薄膜，溅射时氧气流量为0sccm至0.2sccm，惰性气体流量为40sccm至60sccm。在一种可能的实施方式中，所述在第二电极层上形成第三电极层，包括：采用溅射的方式在第二电极层上沉积铟锌氧化物薄膜，溅射时氧气流量为0.5sccm至2sccm，惰性气体流量为40sccm至60sccm。在一种可能的实施方式中，所述电子传输层的沉积材料为氧化锌纳米粒子或者掺杂有镁的氧化锌纳米粒子。在一种可能的实施方式中，所述第一电极的材料为透明的铟锡氧化物、氟掺杂锡氧化物、导电聚合物或者不透明的金属电极。在一种可能的实施方式中，所述空穴注入层材料为有机注入材料或者无机氧化物。在一种可能的实施方式中，所述空穴传输层的材料为有机传输材料或者无机氧化物。本专利技术还提供一种量子点发光器件，包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、第二电极层和第三电极层，所述第二电极层和第三电极层为透明电极层，所述第二电极层的功函数大于所述电子传输层的LUMO能级且小于所述第三电极层的功函数。在一种可能的实施方式中，所述第二电极层的为由低氧气含量溅射沉积形成的第一铟锌氧化物薄膜。在一种可能的实施方式中，所述第三电极层为由高氧气含量溅射沉积形成的第二铟锌氧化物薄膜。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种量子点发光器件的制备方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的氧气流量与功函数的关系图；图3为本专利技术实施例提供的不同波长的光在透过不同铟锌氧化物薄膜时透过率的变化曲线；图4为本专利技术实施例提供的一种量子点发光器件的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种量子点发光器件能级结构示意图。图标：1-衬底基板；2-第一电极层；3-空穴注入层；4-空穴传输层；5-量子点发光层；6-电子传输层；7-第二电极层；8-第三电极层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参考图1，本专利技术提供一种量子点发光器件的制备方法，包括以下步骤：S101：在衬底基板上形成第一电极层；S102：在第一电极层上形成空穴注入层；S103：在空穴注入层上形成空穴传输层；S104：在空穴传输层上形成量子点发光层；S105：在量子点发光层上形成电子传输层；S106：在电子传输层上形成第二电极层，在第二电极层上形成第三电极层；其中，所述第二电极层和第三电极层为透明电极层，所述第二电极层的功函数大于所述电子传输层的LUMO能级、且小于所述第三电极层的功函数。通过上述量子点发光器件的制备方法可以制备出顶电极包括第二电极层和第三电极层双层电极结构，且第二电极层和第三电极层为透明电极层，第二电极层的功函数大于电子传输层的LUMO能级、且小于第三电极层的功函数的量子点发光器件，由于制作出的量子点发光器件的双层电极结构中第二电极层和第三电极层为透明电极层，且第二电极层的功函数与第三电极层的功函数相比较小，因此与电子传输层的LUMO能级更接近，有利于电子的注入，而第三电极层与电子传输层的LUMO能级相差较大，有利于提高量子点发光器件的顶电极的透过率，进而提高量子点发光器件的光取出效率。并且，上述制备方法中，将第二电极层和第三电极层制备成为透明电极层，使得量子点发光器件具有弱微腔效应，还解决了量子点等无机材料由于采用溶液法工艺成膜，膜厚均匀性不够，从而无法精确控制微腔结构的缺点。具体地，在电子传输层上形成第二电极层，包括以下步骤：采用溅射的方式在电子传输层上沉积铟锌氧化物(IZO)薄膜，溅射时氧气流量为0sccm至0.2sccm，惰性气体流量为40sccm至60sccm。具体地，在第二电极层上形成第三电极层，包括以下步骤：采用溅射的方式在第二电极层上沉积铟锌氧化物(IZO)薄膜，溅射时氧气流量为0.5sccm至2sccm，惰性气体流量为40sccm至60sccm。在上述量子点发光器件的制备方法中，惰性气体可以为氩气。上述量子点发光器件的制备方法中，采用不同氧气流量沉积的铟锌氧化物薄膜透过率和功函数会有不同，其中，低氧气流量(0sccm至0.2sccm)沉积的IZO薄膜其功函数与电子传输层的LUMO能级接近，有利于电子的注入，高氧气流量(0.5sccm至2sccm)沉积的IZO薄膜其透过率比低氧气流量沉积的IZO薄膜高，有利于提高IZO薄膜的透过率，进而提高光取出效率。在具体的实验数据中，图2表示实验得出的氧气流量与功函数的关系曲线；图3表示不同波长的光在透过不同铟锌氧化物薄膜时透过率的变化曲线，其中，曲线A中的铟锌氧化物薄膜的工艺条件为：工作压强为0.4Pa，氧气流量为0sccm，氩气流量为40sccm，工艺时间为1800s；曲线B中的铟锌氧化物薄膜的工艺条件为：工作压强为0.4Pa，氧气流量为0.8sccm，氩气流量为40sccm，工艺时间为1800s；曲线C中的铟锌氧化物薄膜的工艺条件为：工作压强为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成空穴注入层；在空穴注入层上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成量子点发光层；在量子点发光层上形成电子传输层；在电子传输层上形成第二电极层，在第二电极层上形成第三电极层；其中，所述第二电极层和第三电极层为透明电极层，所述第二电极层的功函数大于所述电子传输层的LUMO能级、且小于所述第三电极层的功函数。

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成空穴注入层；在空穴注入层上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成量子点发光层；在量子点发光层上形成电子传输层；在电子传输层上形成第二电极层，在第二电极层上形成第三电极层；其中，所述第二电极层和第三电极层为透明电极层，所述第二电极层的功函数大于所述电子传输层的LUMO能级、且小于所述第三电极层的功函数。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在电子传输层上形成第二电极层，包括：采用溅射的方式在电子传输层上沉积铟锌氧化物薄膜，溅射时氧气流量为0sccm至0.2sccm，惰性气体流量为40sccm至60sccm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述在第二电极层上形成第三电极层，包括：采用溅射的方式在第二电极层上沉积铟锌氧化物薄膜，溅射时氧气流量为0.5sccm至2sccm，惰性气体流量为40sccm至60sccm。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11