柔性光伏n型膜高温制备方法技术

技术编号:20923276 阅读:25 留言:0更新日期:2019-04-20 11:09
本发明专利技术专利公开了一种柔性透明太阳能电池n型电子传输层高温制备方法,该电池器件结构为n‑i‑p结构,包括柔性透明基底、透明导电层、n型半导体电子传输层、i型钙钛矿光电转换层、p型空穴传输层和导电电极,所述柔性透明太阳能电池可通过高温制备n型半导体电子传输层,获得半透明柔韧、工艺条件和器件结构可选择性强、电池性能优异、工艺简单、大面积批量生产等优点的太阳能电池。

Preparation of flexible photovoltaic n-type films at high temperature

The invention patent discloses a high temperature preparation method of n-type electronic transmission layer of flexible transparent solar cells. The cell device structure is n_i_p structure, including flexible transparent substrate, transparent conductive layer, n-type semiconductor electronic transmission layer, I-type perovskite photoelectric conversion layer, p-type hole transmission layer and conductive electrode. The flexible transparent solar cells can prepare n-type semiconductors by high temperature. Bulk electron transport layer, obtained translucent flexible, process conditions and device structure selectivity, excellent battery performance, simple process, large-scale batch production and other advantages of solar cells.

【技术实现步骤摘要】
柔性光伏n型膜高温制备方法
本专利技术专利涉及柔性传感器件领域,特别涉及柔性光伏n型膜高温制备方法。应用于曲面建筑、流线型车辆和曲面部件、以及生命医学传感器等领域。
技术介绍
世界人口和全球能源需求都在增长且快速增长。然而,大部分能源消耗仍然来自化石燃料。在除此之外,环境污染和全球变暖问题也越来越多,并引起广泛关注。开发清洁和可再生能源以取代,各种可再生能源方面,太阳能是最丰富的。光伏太阳能电池直接将太阳能光转换为电能并且是最有效的之一。钙钛矿太阳能电池是近年来在太阳能电池领域的一个研究热点,其最早出现在2009年,经过几年的发展,其能量转化效率从最初的3.8%飞速的增长到了23.3%,逼近了单晶硅太阳能电池的25%的最高转化效率。由于具有最低的材料成本和制备成本,被视为可能替代硅太阳能电池的新一代太阳能电池。随着钙钛矿太阳能电池性能的提升,对于它的研究也更加的多样化,比如提高电池的稳定性,制备半透明太阳能电池,柔性质量轻、可弯曲、适用性广等特点的柔性太阳能电池,由于在可穿戴电子织物,可变形传感器等领域具有广泛的应用前景,受到了人们的广泛关注。柔性钙钛矿太阳能电池最早在2013年由Snaith等人制备出来,在PET柔性基底上获得的能量转换效率达到了6%(Nat.Commum,2013,4,2761)。传统的钙钛矿太阳能电池结构,其结构简单,并且能量转化效率较高。但是该结构需要用到TiO2致密层作为电子传输层,其制备过程需要在450~500℃的高温下进行退火,从而得到锐钛矿型TiO2。而柔性电池通常使用的PET或PEN基底能承受的温度不能超过150℃(J.Mater.Chem.A,2016,4(18),6755)。因此有机柔性基底钙钛矿太阳能电池受限制备高温n型电子传输层,致使器件工艺制备条件和结构设计受限。
技术实现思路
本专利技术专利针对上述问题,目的是提供柔性光伏n型膜高温制备方法,该种结构的太阳能电池具有柔性透明、材料和制备工艺选择范围广、电池效率高、工艺简单等优点。为实现上述目的,本专利技术专利提供如下技术方案:光伏电池结构包括自下而上依次顺序叠加的柔性透明基底、透明导电层、电子传输层(n型层)、钙钛矿光电转换层(i型层)、空穴传输层(p型层)和导电电极。其中,在柔性透明基底/导电层上高温制备n型半导体薄膜,制备温度为150℃~800℃,再依次制备i型光电转换层、p型空穴传输层、导电电极层。优选的是,所述的光伏电池制备方法可采用旋转涂膜、刮涂、喷涂。优选的是,所述柔性透明基底为柔性玻璃、云母中的一种。优选的是,所述透明导电层为掺杂氟的氧化锡薄膜(FTO)、铟锡氧化物薄膜(ITO)、铝掺杂的氧化锌薄膜(AZO)或铟锌氧化物(IZO)中的一种。优选的是,有机金属卤化物ABX3钙钛矿中A为甲脒(CH3NH3+,FA)、甲胺(CH(NH2)2+,MA)、乙胺(C2H5NH3+,EA)、铯离子Cs+和铷离子Rb+中一种或多种,B为铅离子Pb2+、锡离子Sn2+和铋离子Bi3+中一种或多种,X为氯离子Cl-、溴离子Br-和碘离子I-中一种或多种。优选的是,所述n型电子传输层为氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、锡酸锌(Zn2SnO4)、三氧化钨(WO3)、氧化铟(In2O3)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化铌(Nb2O5)和锡酸钡(BaSnO3)中的一种或多种。本专利技术专利至少包括以下有益效果:采用无机柔性透明基底制备获得柔性钙钛矿太阳能电池具有耐高温n型半导体薄膜、材料和电池结构可选择范围广、工艺简单,成本低廉,对环境无污染、且具有优异的柔韧性,随曲面设备的外壳和建筑外体等形状可塑性强。本专利技术专利的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现,部分还将通过对本专利技术专利的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。附图说明图1本专利技术提供的高温制备的柔性透明太阳能电池示意图;图中:1、柔性透明基底;2、透明导电层;3、电子传输层(n型层);4、钙钛矿光电转换层(i型层);5、空穴传输层(p型层);6、导电电极;图2本专利技术提供的300℃加热柔性基底云母与PET的照片;图3本专利技术提供的柔性基底分别为云母/300℃-SnO2和PET/100℃-SnO2电池效率示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术专利实施例中的附图,对本专利技术专利实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术专利一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术专利中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术专利保护的范围。实施例1:该太阳能电池的制备过程为:柔性基底为云母,在基底上磁控溅射一层ITO,采用均匀旋涂法制备电子传输层SnO2,转速为3000r/min,时间为30秒,旋涂完毕后将基底在300℃的加热面板上加热30分钟,随后将其放到手套箱中冷却,之后,在手套箱中,旋涂钙钛矿光电转化层,优选CsFAMAPbI3-xBrx,将配置好的钙钛矿溶液,过滤后,用磁力搅拌机加热搅拌。同时,将苯甲醚溶液过滤,旋涂钙钛矿时,苯甲醚冲洗,之后在110℃加热面板下退火20分钟。基片在手套箱中冷却,待基片冷却至室温后,旋涂空穴传输层Spiro-OMeTAD溶液,设置转速为5000r/min,旋涂时间60秒,完成以上步骤后,刮涂透明导电层后端,之后将基片转移至蒸发镀膜机腔室,蒸镀导电电极(Ag),制备太阳能电池。实施例2:在PET/ITO上旋涂SnO2,之后300℃退火,完全成泡(如图2),之后按照实施例1实验步骤制备电池器件,器件完全失效。实施例3:在PET/ITO上旋涂SnO2,之后100℃退火,再按实施例1条件制备电池器件,组装得到电池效率为0.27%(如图3)。说明PET在电池制备过程中,经多次受热发生变形,影响效率。以柔性基底制备得到的钙钛矿太阳能电池具有耐高温、透明、可反复弯折等性能,制备工艺简单,价格便宜,对环境无污染,形状可塑性强,应用范围更加广泛。尽管本专利技术专利的实施方案已公开如上,但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用,它完全可以被适用于各种适合本专利技术专利的领域,对于熟悉本领域的人员而言,对于本领域的普通技术人员而言,在不脱离本专利技术专利的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本专利技术专利并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.柔性光伏n型膜高温制备方法,其特征在于:光伏电池结构包括自下而上依次顺序叠加的柔性透明基底、透明导电层、电子传输层(n型层)、钙钛矿光电转换层(i型层)、空穴传输层(p型层)和导电电极;其中,在柔性透明基底/导电层上高温制备n型半导体薄膜,制备温度为150℃~800℃,再依次制备i型光电转换层、p型空穴传输层、导电电极层。

【技术特征摘要】
2018.11.23 CN 20181140565511.柔性光伏n型膜高温制备方法,其特征在于:光伏电池结构包括自下而上依次顺序叠加的柔性透明基底、透明导电层、电子传输层(n型层)、钙钛矿光电转换层(i型层)、空穴传输层(p型层)和导电电极;其中,在柔性透明基底/导电层上高温制备n型半导体薄膜,制备温度为150℃~800℃,再依次制备i型光电转换层、p型空穴传输层、导电电极层。2.如权利要求1所述的柔性光伏n型膜高温制备方法,其特征在于:所述的柔性光伏电池制备方法可采用旋转涂膜、刮涂、喷涂。3.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:于守武赵泽文肖淑娟赵晋津李明赵星宇张颖苏晓王一王婕
申请(专利权)人:华北理工大学石家庄铁道大学
类型:发明
国别省市:河北,13

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