显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种显示装置，包括：多个像素，且其中至少一像素包括：一半导体装置，具有一发光区；一第一光转换层，设置于半导体装置上；以及一第一散射层，设置于半导体装置上，其中第一散射层设置于第一光转换层上。

display device

The present disclosure provides a display device comprising: a plurality of pixels, and at least one of them includes: a half conductor device with a luminous region; a first light conversion layer, which is arranged on a semiconductor device; and a first scattering layer, which is arranged on a semiconductor device, wherein the first scattering layer is arranged on a first light conversion layer.

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本公开有关于一种显示装置，特别有关于具有散射层的显示装置。
技术介绍
智能手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器及电视等具有显示面板的电子装置已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这类可携式电子产品的蓬勃发展，消费者对于这类产品的品质、功能及价格等有更高的期望。以氮化镓(GaN)为基础的发光二极管(LED)被预期将用于未来的高效照明应用中，取代白炽灯及萤光灯。以GaN为基础的LED装置通常是借由异质磊晶生长技术(heteroepitaxialgrowthtechnique)于基底材料上进行制备。一般的晶圆级LED装置结构可包含形成于蓝宝石基底、单量子井(singlequantumwel，SQW)或多重量子井(multiplequantumwell，MQW)上的n掺杂的GaN下层以及p掺杂的GaN上层。微型LED(MicroLED)技术为一种新兴的平板显示技术，微型LED显示器可驱动定址的微型LED的阵列。在目前的制造方法中，通常会于光转换层中加入具有高反射系数的纳米或亚微米(submicron)粒子，以提高光转换层中的量子点(quantumdot)材料的光吸收效率或散射效率等。一般而言，高反射系数粒子是以与量子点材料均匀混合的形式添加于光转换层中，然而，高浓度的高反射系数粒子的添加，使得量子点材料的浓度相对降低，因而可能造成光转换层的结构弱化。此外，在包含多个像素的显示阵列中，各个像素之间常存在许多变异，例如，各个像素中的LED的发光强度或发射的光的波长可能不同等。因此，发展出可有效地改善显示装置的光提取效率与像素的一致性的结构设计，乃目前业界所致力的课题之一。
技术实现思路
在一些实施例中，本公开提供一种显示装置，包括：多个像素，且其中至少一像素包括：一半导体装置，具有一发光区；一第一光转换层，设置于该半导体装置上；以及一第一散射层，设置于该半导体装置上，其中该第一散射层设置于该第一光转换层上。在一些实施例中，本公开提供一种显示装置，包括：一种显示装置，其特征在于，包括：一基板；多个像素，设置于该基板上，且其中至少一像素包括：一半导体装置，具有一发光元件；一第一光转换层，设置于该半导体装置上；以及一第一散射层，设置于该半导体装置上，其中该第一散射层设置于该第一光转换层上。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：图1A～1F显示根据本公开一些实施例中，显示装置的结构剖面示意图；图2A～2D显示根据本公开一些实施例中，显示装置的结构剖面示意图；图3显示根据本公开一些实施例中，显示装置的半导体装置的电路示意图；图4A至4C显示根据本公开一些实施例中，显示装置的制造方法的示意图。符号说明：10A～10F、20A～20D显示装置；102基板；104半导体装置；106a第一光转换层；106b第三光转换层；108a第一散射层；108b第二散射层；108c第三散射层；108S顶表面；110彩色滤光层；112第一遮光层；114第二遮光层；116第一保护层；118粘着层；120第二保护层；204发光元件；204a电极；204b电极；204C共用n电极；204n半导体层；206第二光转换层；208反射层；304感测元件；304a电极；304b电极；AE发光区；AS光感测区；DL资料线；R1第一区域；S1界面；S2界面；S204信号线；S304信号线；SL扫描线。具体实施方式以下针对本公开的显示装置的结构及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例，用以实施本公开一些实施例的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本公开一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本公开的限定。在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本公开一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者当叙述一第一材料层设置于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。应理解的是，附图的元件或装置可以所属
的技术人员所熟知的各种形式存在。此外实施例中可能使用相对性用语，例如“较低”或“底部”或“较高”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。本公开实施例可配合附图一并理解，本公开的附图亦被视为公开说明的一部分。应理解的是，本公开的附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本公开的特征，而在说明书及附图中，同样或类似的元件将以类似的符号表示。可理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成或部分，这些用语仅用来区别不同的元件、组成或部分，不应被限定。在此，“约”、“大约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值或范围的20％内，较佳是10％内，更佳是5％内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”的含义。除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本公开所属
的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。在本公开一些实施例中，关于接合、电性连接的用语，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、电性连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。根据本公开的一些实施例，提供的显示装置包含具有高反射系数粒子的散射层，散射层与光转换层的组合可避免于光转换层中添加过多高反射系数粒子，使得量子点材料的浓度相对降低，导致光转换层的结构弱化风险。散射层与光转换层的组合可解决材料的负载效应(loadingeffect)造成的问题，可相对提升光转换层中的量子点材料的浓度，改善显示装置的整体光提取效率。根据本公开的一些实施例，显示装置可同时具有发光区及光感测区，光感测区中的光感测元件可检测发光区输出的光的特性(例如，强度或波长等)，可进而对应地调整控制发光区中的发光元件的相关信号，使显示装置具有自身监控的功能。图1A显示根据本公开一些实施例中，显示装置10A的结构剖面示意图。应理解的是，显示装置10A可包含多个像素，而图1A仅绘示对应于一个像素的显示装置10A的结构，以方便说明其详细结构。如图1A所示，显示装置10A可包含基板102、半导体装置104、第一光转换层106a及第一散射层108a。在一些实施例中，基板102可作为显示装置10A的驱动基板。详细而言，基板102可进一步包含驱动电路(未绘示)，例如，用于控制半导体装置104的开关。驱动电路可为有源式驱动电路或被动式驱动电路。例如，在一些实施例中，驱动电路可包含薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：多个像素，且其中至少一像素包括：一半导体装置，具有一发光区；一第一光转换层，设置于该半导体装置上；以及一第一散射层，设置于该半导体装置上，其中该第一散射层设置于该第一光转换层上。

【技术特征摘要】
2017.10.12 US 62/571,3441.一种显示装置，其特征在于，包括：多个像素，且其中至少一像素包括：一半导体装置，具有一发光区；一第一光转换层，设置于该半导体装置上；以及一第一散射层，设置于该半导体装置上，其中该第一散射层设置于该第一光转换层上。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该至少一像素更包括：一第二散射层，设置于该第一光转换层下。3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该第二散射层围绕该半导体装置。4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第一散射层包括钛。5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，该第一散射层与该第一光转换层的一界面具有一第一钛浓度，该第一光转换层在该界面之外的一第一区...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊贤，张耕辅，柯瑞峰，谢朝桦，郭书铭，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71