一种阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括位于衬底基板上呈阵列排布的多个像素区域，各所述像素区域包括：像素电极、公共电极、补偿电极和控制电路；所述补偿电极与所述公共电极绝缘设置，且所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极存在交叠区域；所述控制电路用于在对所述像素电极充电时，导通所述像素电极和所述补偿电极。通过补偿电极和控制电路的设置，在补偿电极与像素电极断开时，补偿电极和公共电极均与像素电极形成电容，电容值的增大可以有效保证像素电极上的电压稳定，从而提高显示质量。

An Array Substrate, Display Panel and Display Device

The invention discloses an array substrate, a display panel and a display device. The array substrate comprises a plurality of pixel regions arranged in an array on the substrate, each of which includes a pixel electrode, a common electrode, a compensation electrode and a control circuit; the compensation electrode and the common electrode are insulated, and the compensation electrode is positively projected on the substrate. The positive projection of the image and the pixel electrode on the substrate has an overlapping region, the common electrode on the substrate has an overlapping region with the pixel electrode, and the control circuit is used to turn on the pixel electrode and the compensation electrode when charging the pixel electrode. Through the setting of compensation electrode and control circuit, when the compensation electrode is disconnected from the pixel electrode, the compensation electrode and the common electrode form capacitance with the pixel electrode. The increase of capacitance value can effectively ensure the voltage stability on the pixel electrode, thereby improving the display quality.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，人们对显示面板的显示质量要求越来越高，然而受显示面板内部结构的影响，驱动显示的电压会产生变化，从而导致显示画面失真。相关技术中的显示面板的阵列基板包括薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor，TFT)，该TFT的源电极与栅极会形成寄生电容，漏电极与栅极也会形成寄生电容，在位于衬底基板上的栅线开启和关闭时，TFT的栅极会产生电压变化，由于电容的耦合效应，源电极和漏电极上的电压会发生变化，从而会导致像素电极上的电压发生变化，影响预期充电效果，导致画面失真。因此，如何保证像素电极充电充分，提高画面显示质量是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，用于缓解相关技术中像素电极充电不充分，导致显示面板显示画面失真的问题。因此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括栅线、数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域，还包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述栅线相连，所述第一晶体管的第一极与所述数据线相连，所述第一晶体管的第二极与所述像素电极相连；各所述像素区域包括：位于衬底基板上的像素电极、公共电极、补偿电极和控制电路；所述补偿电极与所述公共电极绝缘设置，且所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极存在交叠区域；所述控制电路用于在所述像素电极的充电阶段，导通所述像素电极和所述补偿电极，在所述像素电极的非充电阶段时，断开所述像素电极与所述补偿电极的电连接。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述控制电路包括：开关单元；所述开关单元的控制端与所述栅线相连，所述开关单元的信号输入端与所述像素电极相连，所述开关单元的信号输出端与所述补偿电极相连；其中，在同一所述像素区域内的所述第一晶体管和所述开关单元与同一所述栅线相连。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述开关单元包括：第二晶体管；所述第二晶体管的栅极与所述栅线相连，所述第二晶体管的第一极与所述像素电极相连，所述第二晶体管的第二极与所述补偿电极相连。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极在所述衬底基板上的正投影不交叠。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述补偿电极与所述公共电极同层设置。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述补偿电极的材料和所述公共电极的材料相同。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述像素电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述公共电极在所述衬底基板上的正投影和所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述补偿电极的面积大于所述公共电极的面积。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述补偿电极的面积是所述公共电极的面积的2～5倍。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述阵列基板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述显示面板。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述显示装置中，所述显示装置包括电子纸。本专利技术实施例提供的上述阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括位于衬底基板上呈阵列排布的多个像素区域，各所述像素区域包括：像素电极、公共电极、补偿电极和控制电路；所述补偿电极与所述公共电极绝缘设置，且所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极存在交叠区域；所述控制电路用于在对所述像素电极充电时，导通所述像素电极和所述补偿电极。通过补偿电极和控制电路的设置，在补偿电极与像素电极断开时，补偿电极和公共电极均与像素电极形成电容，电容值的增大可以有效保证像素电极上的电压稳定，从而提高显示质量。附图说明图1为相关技术中的阵列基板上晶体管的结构示意图；图2为相关技术中的阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；图4为图3对应的电路结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之二。具体实施方式专利技术人发现，相关技术中，如图1和图2所示，阵列基板包括呈阵列排布的多个像素区域，各像素区域包括像素电极11、公共电极12和第一晶体管T1，第一晶体管T1的栅极G与栅线Gate相连，第一晶体管T1的源电极S与像素电极11相连，第一晶体管T1的漏电极D与数据线Data相连，公共电极12在衬底基板01上的正投影与像素电极11在衬底基板01上的正投影存在交叠区域a，且公共电极12加载固定电压信号，即加载公共电压信号VCOM。由于第一晶体管T1的栅极G与源电极S和漏电极D存在交叠区域a，源电极S会与栅极G形成第一寄生电容Cgs，漏电极D会与栅极G形成第二寄生电容Cgd，在位于衬底基板01上的栅线Gate开启和关闭时，第一晶体管T1的栅极G会产生电压变化，由于电容的耦合效应，源电极S和漏电极D上的电压会发生变化，又由于像素电极11与源电极S相连，源电极S的电压发生变化会导致像素电极11上的电压发生变化，具体地，像素电极11上的电压的下降量为△Vp＝(Voff-Von)Cgs/(Cgs+Cst1)，其中，Voff表示栅线关闭时的电压，Von表示栅线开启时的电压，Cst1表示公共电极与像素电极形成的存储电容，Cgs表示第一晶体管的栅极与源电极之间的寄生电容。由上述可知，由于源电极与栅极之间的电容耦合的存在，会直接导致像素电极充电电位的降低，影响预充电效果，从而导致显示面板的显示质量下降。因此针对相关技术中存在的问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置。为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。下面结合附图，对本专利技术实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，如图3所示，包括栅线Gate、数据线Data，栅线Gate和数据线Data交叉限定出多个像素区域；还包括第一晶体管T1，第一晶体管T1的栅极与栅线Gate相连，第一晶体管T1的第一极与数据线Data相连，第一晶体管T1的第二极与像素电极11相连；各像素区域包括：位于衬底基板上的像素电极11、公共电极12、补偿电极13和控制电路14；补偿电极13与公共电极12绝缘设置，且补偿电极13在衬底基板上的正投影与像素电极11在衬底基板上的正投影存在交叠区域，公共电极12在衬底基板上的正投影与像素电极11本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括栅线、数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域，还包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述栅线相连，所述第一晶体管的第一极与所述数据线相连，所述第一晶体管的第二极与所述像素电极相连；其特征在于，各所述像素区域包括：位于衬底基板上的像素电极、公共电极、补偿电极和控制电路；所述补偿电极与所述公共电极绝缘设置，且所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极存在交叠区域；所述控制电路用于在所述像素电极的充电阶段，导通所述像素电极和所述补偿电极，在所述像素电极的非充电阶段时，断开所述像素电极与所述补偿电极的电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括栅线、数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域，还包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述栅线相连，所述第一晶体管的第一极与所述数据线相连，所述第一晶体管的第二极与所述像素电极相连；其特征在于，各所述像素区域包括：位于衬底基板上的像素电极、公共电极、补偿电极和控制电路；所述补偿电极与所述公共电极绝缘设置，且所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极存在交叠区域；所述控制电路用于在所述像素电极的充电阶段，导通所述像素电极和所述补偿电极，在所述像素电极的非充电阶段时，断开所述像素电极与所述补偿电极的电连接。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电路包括：开关单元；所述开关单元的控制端与所述栅线相连，所述开关单元的信号输入端与所述像素电极相连，所述开关单元的信号输出端与所述补偿电极相连；其中，在同一所述像素区域内的所述第一晶体管和所述开关单元与同一所述栅线相连。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述开关单元包括：第二晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯大伟，李月，赵宇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11