A top gate thin film transistor substrate comprises a substrate, a light shielding layer, a metal oxide layer arranged on the light shielding layer, a buffer layer, a semiconductor film layer arranged on the buffer layer and a dielectric layer arranged on the buffer layer. The dielectric layer is patterned with two through holes connected to the semiconductor film. The contact hole is arranged on the metal oxide layer and penetrates the dielectric layer and the buffer layer. The bottom of the contact hole is close to the metal oxide layer, and a metal contact block is formed by conducting process. The source pole and drain pole are respectively arranged in two through holes, in which the source pole extends to the contact hole and is connected with the metal contact block.
【技术实现步骤摘要】
顶栅型薄膜晶体管基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种顶栅型薄膜晶体管基板及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)阵列(Array)基板是目前LCD装置和AM0LED装置中的主要组成部件,直接关系到高性能平板显示装置的发展方向,用于向显示器提供驱动电路,通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线,该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元,每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极,薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连,当栅极扫描线上的电压达到开启电压时,薄膜晶体管的源极和漏极导通,从而将数据线上的数据电压输入至像素电极,进而控制相应像素区域的显示。传统底栅(BottomGate)结构的薄膜晶体管,由于栅极与源漏电极之间重叠面积较大,产生了较大的寄生电容,会导致信号的延迟,且制作出来的薄膜晶体管尺寸较大,因而限制了其应用。而顶栅(Topgate)型薄膜晶体管,由于源漏电极与栅极之间没有重叠,因此具有更低的寄生电容和更好的延展性,能够降低信号传输过程中的延迟,同时采用自对准的制备方法,有利于制备短沟道器件,提高器件特性,顶栅型薄膜晶体管结构就成为目前主要的发展方向。目前顶栅型薄膜晶体管基板的结构设计中,遮光层一般为金属材料所制,其通过接触孔与金属电极接触进行信号传递。然而,在缓冲层使用干刻开孔时,因过刻导致下层遮光层部分区域被刻蚀,甚至刻穿,一方面除了影响遮光效果,另一方面更会影响金属线接触。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种顶栅型薄膜晶体管基板及其制作方法,用以防止开孔作业刻 ...
【技术保护点】
1.一种顶栅型薄膜晶体管基板,其特征在于,包含:基板;遮光层,设于所述基板上;金属氧化物层,设于所述遮光层上;缓冲层,设于所述金属氧化物层上,并覆盖所述金属氧化物层及所述遮光层;半导体膜层,设于所述缓冲层上,且所述半导体膜层上依序设有栅极绝缘层及栅极;介电层,设于所述缓冲层上,并覆盖所述半导体膜层、栅极绝缘层及栅极,其中所述介电层通过图案化设有连通于所述半导体膜层的二过孔;接触孔,设于所述金属氧化物层上,并穿透所述介电层及所述缓冲层,其中所述接触孔的底部接近所述金属氧化物层处,经由导体化工艺而形成一金属接触块金属接触块;及源极及漏极,分别设于所述二过孔,其中所述源极延伸至所述接触孔中并和接触所述金属接触块及所述金属氧化物层。
【技术特征摘要】
1.一种顶栅型薄膜晶体管基板,其特征在于,包含:基板;遮光层,设于所述基板上;金属氧化物层,设于所述遮光层上;缓冲层,设于所述金属氧化物层上,并覆盖所述金属氧化物层及所述遮光层;半导体膜层,设于所述缓冲层上,且所述半导体膜层上依序设有栅极绝缘层及栅极;介电层,设于所述缓冲层上,并覆盖所述半导体膜层、栅极绝缘层及栅极,其中所述介电层通过图案化设有连通于所述半导体膜层的二过孔;接触孔,设于所述金属氧化物层上,并穿透所述介电层及所述缓冲层,其中所述接触孔的底部接近所述金属氧化物层处,经由导体化工艺而形成一金属接触块金属接触块;及源极及漏极,分别设于所述二过孔,其中所述源极延伸至所述接触孔中并和接触所述金属接触块及所述金属氧化物层。2.如权利要求1的顶栅型薄膜晶体管基板,其特征在于,所述金属氧化物层由氧化銦鎵鋅所制,且所述金属氧化物层沿所述遮光层设置。3.如权利要求1的顶栅型薄膜晶体管基板,其特征在于,所述半导体膜层由氧化銦鎵鋅所制。4.如权利要求1的顶栅型薄膜晶体管基板,其特征在于,所述介电层上设有钝化层,其覆盖所述介电层、源极及漏极,并于所述漏极上设有另一过孔,用以连接一像素电极层。5.一种制作顶栅型薄膜晶体管基板的方法,其特征在于,包括:在基板上沉积遮光层及形成于所述遮光层上的金属氧化物层,并经由光刻工艺图案化所述遮光层及所述金属氧化物层;在所述基板上沉积缓冲层,其覆盖所述遮光层及所述金属氧化物层;在所述缓冲层上沉积半导体膜层,并于所述半导体膜层上依序形成栅极绝缘层及栅极;...
【专利技术属性】
技术研发人员:章仟益,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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