阵列基板及具有该阵列基板的显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置，阵列基板具有显示区以及围绕所述显示区的弯折区，阵列基板包括第一基层、第一缓冲层、第二基层；以及开孔的至少一部分位于第二基层上，且对应于弯折区；金属走线金属走线的至少一部分覆于开孔的内表面；有机层填充于开孔中且包覆位于开孔内的金属走线。本发明专利技术的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置，在弯折区形成开孔，且开孔延伸至第二基层内，并将金属走线形成在开孔的内表面，在开孔内的金属走线上方填充有机光阻，使得中性面在金属走线所在层，降低弯折区的金属走线所承受应力。

Array Substrate and Display Device with Array Substrate

The invention discloses an array substrate and a display device with the array substrate. The array substrate has a display area and a bending area around the display area. The array substrate includes a first base, a first buffer layer and a second base; and at least part of the hole is located on the second base and corresponds to the bending area; at least part of the metal line is covered with the hole. The inner surface; the organic layer is filled in the opening and coated with the metal wire in the opening. The array substrate and the display device with the array substrate of the invention form an opening in the bending zone, and the opening extends to the second base layer, and the metal trajectory is formed on the inner surface of the opening. The organic photoresistance is filled above the metal trajectory in the opening, so that the neutral surface is in the layer where the metal trajectory is located, and the stress of the metal trajectory in the bending zone is reduced.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及具有该阵列基板的显示装置
本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置。
技术介绍
目前，阵列基板一般包括显示区和弯折区(padbending)，在弯折区中，阵列基板的结构从下到上主要为双层基层、有机层、金属走线、有机光阻、UV胶等；首先，因PI涂布时，因材料本身和外界原因，容易形成一些瑕疵，而这些瑕疵基本都会严重影响产品良率，所以目前的单层的基层一般都设置在10um左右，此厚度的基层可以将一些瑕疵进行包覆和平坦，减小瑕疵对良率的影响。其次，因双层基层结构中间有一层无机膜层阻挡，其隔绝水氧能力更强，且激光剥离时，高能量的激光不容易损伤上面的薄膜晶体管。因此，以上原因会造成目前的双层基层结构非常厚，双层基层的厚度接近20um，而且，双层基层的中间还有一层无机膜层，且因为基层的材料为聚酰亚胺(PI)材料，其杨氏模量较大，一般为10Gpa左右，所以很难通过调整金属走线上方的有机光阻或者UV胶的厚度来对金属走线所受的应力进行调整。因此，在目前的阵列基板中，中性面通常位于基层中，金属走线处于中性面的上方，所以弯折时，金属走线受拉应力。此外，目前显示面板多向窄边框的方向发展，因此，弯折区的宽度和弯折半径越来越小，由此金属走线所受的应力也是成倍增加，弯折时，金属走线极易发生断裂，弯折后，导致显示区的画面异常；而双层基层中的上层基层和无机膜层之间附着力有限，弯折时极易发生基层和无机膜层之间相互弯折且脱离，严重影响良率。为改善上述问题，现有技术中也出现很多对基层减薄工艺，如对下层基层进行激光减薄，但因激光减薄工艺有限，基层的平坦度无法很好控制，且激光减薄时容易对上面的金属走线造成一定程度损伤。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种具有该阵列基板的显示装置，在弯折区形成开孔，且开孔延伸至第二基层内，并将金属走线形成在开孔的内表面，在开孔内的金属走线上方填充有机光阻，使得中性面在金属走线所在层，降低弯折区的金属走线所承受应力。解决上述问题的技术方案是：提供一种阵列基板，其特征在于，具有显示区以及围绕所述显示区的弯折区，所述阵列基板包括第一基层；第一缓冲层，覆于所述第一基层上；第二基层，覆于所述第一缓冲层上；至少一开孔，所述开孔的至少一部分位于所述第二基层上，且对应于所述弯折区；金属走线，分布于所述显示区和所述弯折区，且所述金属走线的至少一部分覆于所述开孔的内表面；有机层，填充于所述开孔中且包覆位于所述开孔内的所述金属走线。在本专利技术一实施例中，所述第一缓冲层中具有第一通孔，所述第一通孔对应所述开孔。在本专利技术一实施例中，在所述弯折区，所述金属走线在所述第一缓冲层上的投影，完全落入所述第一通孔的范围内。在本专利技术一实施例中，所述的阵列基板还包括第二缓冲层，覆于所述第二基层上；第一栅极绝缘层，覆于所述第二缓冲层上；第二栅极绝缘层，覆于所述第一栅极绝缘层上；介电层，覆于所述第二栅极绝缘层上；所述金属走线形成于所述介电层上以及所述开孔的槽面上；在所述弯折区，所述开孔从所述介电层贯穿至所述第二基层内。在本专利技术一实施例中，所述开孔为台阶结构或倒立的塔状结构，其包括若干孔体，所述孔体从所述介电层向所述第二基层叠加设置，其中，位于下方的一个孔体的宽度小于或等于位于上方的并与其相邻的一个孔体的宽度。在本专利技术一实施例中，从所述介电层向所述第二基层，所述孔体的宽度依次减小。在本专利技术一实施例中，所述孔体具有孔壁、孔底和孔口，所述孔壁从所述孔底向所述孔口延伸，所述孔底的宽度小于所述孔口的宽度，所述孔壁与所述孔底之间存在一夹角，该夹角范围为45°-70°。所述开孔包括第一孔体，从所述介电层贯穿至所述第一缓冲层的内部；第二孔体，从所述第一缓冲层贯穿至所述第二基层内，并在所述第二基层内形成孔底，所述第二孔体的宽度小于所述第一孔体的宽度；所述第一孔体的深度与所述第二孔体的深度的比值为0.1-5。所述的阵列基板还包括平坦层，设于所述金属走线、所述介电层以及所述有机层上；像素定义层，设于所述平坦层上；在所述显示区，所述阵列基板还包括有源层，具有源极区和漏极区，所述有源层设于所述第二缓冲层上，所述第一栅极绝缘层覆于所述有源层上；第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上，所述第二栅极绝缘层覆于所述第一栅极层上；第二栅极层，设于所述第二栅极绝缘层上，所述介电层覆于所述第二栅极层上；第二通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层，其中一第二通孔对应于所述源极区，另一第二通孔对应于所述漏极区；所述金属走线包括源极走线和漏极走线，所述源极区对应的连接至所述源极走线，所述漏极区对应连接至所述漏极走线；第三通孔，贯穿所述平坦层且所述漏极走线显露于所述第三通孔；阳极走线，设于所述平坦层上且通过所述第三通孔连接至所述漏极走线。本专利技术还提供了一种显示装置，包括所述的阵列基板。本专利技术的优点是：本专利技术的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置，在弯折区形成开孔，且开孔延伸至第二基层内，并将金属走线形成在开孔的内表面，在开孔内的金属走线上方填充有机光阻，使得中性面在金属走线所在层或者尽量接近金属走线所在层，降低弯折区的金属走线所承受应力，将金属走线越靠近中性面受到的拉应力越小，从而越耐弯折，本专利技术的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置仅对弯折区的基层厚度和无机膜层进行了调整，没有改变显示区基层膜厚，保证了良率，同时因弯折区中的金属走线下移，所承受应力变小，利于实现更小弯曲半径的弯折。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步解释。图1是实施例中的阵列基板制作过程中第一缓冲层形成后的结构图。图2是实施例中的阵列基板制作过程中第二基层形成后的结构图。图3是实施例中的阵列基板制作过程中第一孔体形成后的结构图。图4是实施例中的阵列基板制作过程中第二孔体形成后的结构图。图5是实施例中的阵列基板制作过程中金属走线形成后的结构图。图6是实施例中的阵列基板制作过程中有机层形成后的结构图。图7是实施例中的阵列基板制作过程中平坦层形成后的结构图。图8是实施例中的阵列基板制作过程中像素定义层等形成后的结构图.图中，中性面在所述金属走线所在层中。图9是实施例中的显示装置示意图。附图标记：1显示装置；10阵列基板；20彩膜基板；101显示区；102弯折区；100玻璃基板；11第一基层；12第一缓冲层；13第二基层；14第二缓冲层；15第一栅极绝缘层；16第二栅极绝缘层；17介电层；18金属走线；19平坦层；110阳极走线；111像素定义层；1011有源层；10111源极区；10112漏极区；1012第一栅极层；1013第二栅极层；181源极走线；182漏极走线；183源极；184漏极；2开孔；21孔体；21a第一孔体；21b第二孔体；210孔底；212孔口；213孔壁；3第一通孔；4第二通孔；5第三通孔；6有机层；7中性面。具体实施方式以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。如图1至图8所示，在一实施例中，本专利技术的阵列基板10，具有显示区101以及围绕所述显示区101本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，具有显示区以及围绕所述显示区的弯折区，所述阵列基板包括第一基层；第一缓冲层，覆于所述第一基层上；第二基层，覆于所述第一缓冲层上；至少一开孔，所述开孔的至少一部分位于所述第二基层上，且对应于所述弯折区；金属走线，分布于所述显示区和所述弯折区，且所述金属走线的至少一部分覆于所述开孔的内表面；有机层，填充于所述开孔中且包覆位于所述开孔内的所述金属走线。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，具有显示区以及围绕所述显示区的弯折区，所述阵列基板包括第一基层；第一缓冲层，覆于所述第一基层上；第二基层，覆于所述第一缓冲层上；至少一开孔，所述开孔的至少一部分位于所述第二基层上，且对应于所述弯折区；金属走线，分布于所述显示区和所述弯折区，且所述金属走线的至少一部分覆于所述开孔的内表面；有机层，填充于所述开孔中且包覆位于所述开孔内的所述金属走线。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓冲层中具有第一通孔，所述第一通孔对应所述开孔。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述弯折区，所述金属走线在所述第一缓冲层上的投影，完全落入所述第一通孔内。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二缓冲层，覆于所述第二基层上；第一栅极绝缘层，覆于所述第二缓冲层上；第二栅极绝缘层，覆于所述第一栅极绝缘层上；介电层，覆于所述第二栅极绝缘层上；所述金属走线形成于所述介电层上以及所述开孔中；在所述弯折区，所述开孔从所述介电层贯穿至所述第二基层内。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述开孔为台阶结构或倒立的塔状结构，其包括若干孔体，所述孔体从所述介电层向所述第二基层叠加设置，其中，位于下方的一个孔体的宽度小于或等于位于上方的并与其相邻的一个孔体的宽度。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，从所述介电层向所述第二基层，所述孔体的宽度依次减小。7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡俊艳，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42