The invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof. The array substrate includes a substrate substrate, a first metal layer on the substrate, an auxiliary insulating layer on the first metal layer and the substrate, a gate insulating layer on the auxiliary insulating layer and the first metal layer, an active layer on the gate insulating layer and a second metal layer on the active layer and the gate insulating layer. The auxiliary insulating layer described in this paper does not cover the first metal layer directly opposite the channel area of the thin film transistor, which can reduce parasitic capacitance and improve the display quality without affecting the switching performance of the thin film transistor.
【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展,液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线,通过通电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜基板(CF,ColorFilter)、阵列基板(TFT,ThinFilmTransistor)、夹于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(LC,LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成,其中,阵列基板的结构一般包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的第一金属层、设于所述第一金属层及衬底基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层以及设于所述有源层及栅极绝缘层上的第二金属层、设于第二金属层上钝化层及设于钝化层上的像素电极,其中第一金属层包括栅极及与栅极电性连接的栅极线,第二金属层包括分别与有源层的两端接触的源极和漏极及与源极电性连接的源极线,在第一金属层和第二金属层之间仅具有一层栅极绝缘层,导致第一金属层与第二金属层之间的寄生电容很大,易导致影像残留和闪烁等显示不良,寄生电容的大小与第一金属 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(2)、设于所述第一金属层(2)及衬底基板(1)上的辅助绝缘层(3)、设于所述辅助绝缘层(3)及第一金属层(2)上的栅极绝缘层(4)、设于所述栅极绝缘层(4)上的有源层(5)以及设于所述有源层(5)及栅极绝缘层(4)上的第二金属层(6);所述第一金属层(2)包括栅极线(21)及与所述栅极线(21)电性连接的栅极(22),所述栅极(22)包括第一导电部(221)及位于第一导电部(221)两端的第二导电部(222);所述有源层(5)包括沟道区(511)及位于所述沟道区(511)的两端掺杂区(512),所述第一导电部(221)正对所述沟道区(511),所述第二导电部(222)正对所述掺杂区(512);所述第二金属层(6)包括分别与所述有源层(5)两端的掺杂区(512)接触的源极(61)和漏极(62)以及与所述源极(61)电性连接的源极线(63);所述辅助绝缘层(3)覆盖所述衬底基板(1)、栅极线(21)及第二导电部(222),所述栅极绝缘层(4)覆盖所述辅助绝缘层(3)及第一导电部(221)。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(2)、设于所述第一金属层(2)及衬底基板(1)上的辅助绝缘层(3)、设于所述辅助绝缘层(3)及第一金属层(2)上的栅极绝缘层(4)、设于所述栅极绝缘层(4)上的有源层(5)以及设于所述有源层(5)及栅极绝缘层(4)上的第二金属层(6);所述第一金属层(2)包括栅极线(21)及与所述栅极线(21)电性连接的栅极(22),所述栅极(22)包括第一导电部(221)及位于第一导电部(221)两端的第二导电部(222);所述有源层(5)包括沟道区(511)及位于所述沟道区(511)的两端掺杂区(512),所述第一导电部(221)正对所述沟道区(511),所述第二导电部(222)正对所述掺杂区(512);所述第二金属层(6)包括分别与所述有源层(5)两端的掺杂区(512)接触的源极(61)和漏极(62)以及与所述源极(61)电性连接的源极线(63);所述辅助绝缘层(3)覆盖所述衬底基板(1)、栅极线(21)及第二导电部(222),所述栅极绝缘层(4)覆盖所述辅助绝缘层(3)及第一导电部(221)。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述第二金属层(6)及栅极绝缘层(4)上的钝化层(7)及位于所述钝化层(7)上的像素电极(8)。3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极(8)通过一穿越所述钝化层(7)的过孔(9)与所述漏极(62)电性连接。4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层(2)及第二金属层(6)的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种的组合;所述辅助绝缘层(3)与所述栅极绝缘层(4)的材料均为氮化硅和氧化硅中的一种或二者的组合。5.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供一衬底基板(1),在所述衬底基板(1)上形成第一金属层(2),所述第一金属层(2)包括栅极线(21)及与所述栅极线(21)电性连接的栅极(22),所述栅极(22)包括第一导电部(221)及位于第一导电部(221)两端的第二导电部(222);步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡建平,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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