竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法制造方法及图纸

本公开提供了竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法，所述装置包括：单元阵列，其包括在第二方向上彼此间隔开的多个单元区，每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道；在第二方向上延伸的位线，所述位线在与第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开；以及位线接触部分，它们分别将竖直沟道与位线电连接，其中，每个单元区包括被构造为在第二方向上电隔离单元区的子隔离区，子隔离区在第一方向上延伸，在每个单元区中，竖直沟道根据在第二方向上与子隔离区相距的距离分为多类，并且位线接触部分被构造为将每条位线电连接至具有不同类型的至少两个竖直沟道。

Vertical memory device and method of manufacturing vertical memory device

The present disclosure provides a vertical memory device and a method for manufacturing a vertical memory device, comprising: a cell array comprising a plurality of cell areas spaced apart from each other in the second direction, each of which includes a plurality of vertical channels arranged regularly; a bit line extending in the second direction, which is spaced apart from each other in the first direction intersecting with the second direction; In each unit area, the vertical channel is divided into several categories according to the distance between the vertical channel and the sub-isolation area in the second direction, and the bit line contact part is constructed as the sub-isolation area in the second direction, and the sub-isolation area extends in the first direction. In each unit area, the vertical channel is divided into several categories according to the distance between the sub-isolation area and the sub-isolation area in the second direction. Connect each bit line to at least two vertical channels of different types.

【技术实现步骤摘要】
竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法相关申请的交叉引用于2017年10月11日在韩国知识产权局提交的标题为“竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法”的韩国专利申请No.10-2017-0129762以引用方式全文并入本文中。
实施例涉及竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法。
技术介绍
半导体存储器装置用于存储数据，并且分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。作为非易失性存储器装置的示例的闪速存储器装置可用于移动电话、数码相机、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、台式计算机和其它装置。近来，竖直存储器装置已发展为增大存储容量和实现非易失性存储器装置的小型化。竖直存储器装置包括竖直堆叠在衬底上的多个存储器单元或多个存储器单元阵列。
技术实现思路
通过提供一种竖直存储器装置可实现实施例，所述竖直存储器装置包括：单元阵列，其包括在第二方向上彼此间隔开的多个单元区，所述多个单元区中的每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道；多条位线，其在第二方向上延伸，所述位线在与第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开；以及多个位线接触部分，其分别将所述多个竖直沟道与所述多条位线电连接，其中，所述多个单元区的每个单元区包括被构造为在第二方向上电隔离单元区的子隔离区，子隔离区在第一方向上延伸，其中，在单元区中的每一个中，所述多个竖直沟道根据在第二方向上与子隔离区相距的距离分为多个类型，并且其中，所述多个位线接触部分被构造为将所述多条位线中的每条位线电连接至具有不同类型的至少两个竖直沟道。通过提供一种竖直存储器装置可实现实施例，所述竖直存储器装置包括：单元阵列，其包括在第二方向上彼此间隔开的多个单元区，所述多个单元区中的每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道和至少一个伪沟道；多条位线，其在第二方向上与单元阵列交叉，所述位线在与第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开；以及多个位线接触部分，其被构造为分别将所述多个竖直沟道电连接至所述多条位线，其中，所述多个竖直沟道根据在第二方向上与至少一个子隔离区相距的距离分为多个类型，所述至少一个子隔离区在第二方向上隔离单元区中的每一个，并且其中，所述多个位线接触部分被构造为在单元区中的每一个中将所述多条位线中的每条位线电连接至具有不同类型的至少两个竖直沟道。通过提供一种制造竖直存储器装置的方法可实现实施例，所述竖直存储器装置包括：单元阵列，其包括在第一方向上彼此间隔开的多个单元区，所述多个单元区中的每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道；多条位线，其在与第一方向交叉的第二方向上延伸，所述多条位线在第一方向上彼此间隔开；以及多个位线接触部分，其被构造为将所述多个竖直沟道与所述多条位线分别电连接，所述方法包括以下步骤：设计竖直存储器装置的布局；验证布局中的所述多条位线的负载是否均衡；一旦验证位线的负载均衡，就制造用于竖直存储器装置的掩模；以及利用所述掩模制造竖直存储器装置，其中，所述多个竖直沟道根据在第二方向上与至少一个子隔离区相距的距离分为多个类型，所述至少一个子隔离区在第二方向上隔离单元区中的每一个，并且其中，所述多个位线接触部分被构造为在单元区中的每一个中将所述多条位线中的每条位线电连接至具有不同类型的至少两个竖直沟道。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，本领域技术人员将清楚所述特征，在附图中：图1示出了根据示例性实施例的存储器系统的框图。图2示出了根据示例性实施例的图1的存储器系统中的竖直存储器装置的框图。图3示出了图2中的存储器单元阵列的框图。图4示出了图3的存储器块之一的电路图。图5示出了根据示例性实施例的竖直存储器装置的平面图。图6示出了沿着图5的竖直存储器装置的线IA-IB截取的剖视图。图7示出了沿着图5的竖直存储器装置的线IIA-IIB截取的剖视图。图8示出了用于解释第一单元区中的竖直沟道的类型的图，所述竖直沟道根据沿着第二方向与第一子隔离区相距的距离分类。图9示出了根据示例性实施例的另一竖直存储器装置的平面图。图10示出了根据示例性实施例的另一竖直存储器装置的平面图。图11示出了根据示例性实施例的另一竖直存储器装置的平面图。图12示出了根据示例性实施例的竖直存储器装置的平面图。图13示出了根据示例性实施例的另一竖直存储器装置的平面图。图14示出了根据示例性实施例的另一竖直存储器装置的平面图。图15示出了根据示例性实施例的制造竖直存储器装置的方法的流程图。图16示出了验证根据示例性实施例的竖直存储器装置的布局的方法的流程图。图17示出了根据示例性实施例的固态盘或固态驱动器(SSD)的框图。具体实施方式图1是示出根据示例性实施例的存储器系统的框图。参照图1，存储器系统(或者，非易失性存储器系统)1可包括存储器控制器3和至少一个竖直存储器装置5。存储器系统1可包括基于数据存储介质的闪速存储器，诸如存储卡、通用串行总线(USB)存储器和固态驱动器(SSD)。竖直存储器装置5可在存储器控制器3的控制下执行擦除操作、编程操作或写操作。竖直存储器装置5可从用于执行这些操作的存储器控制器3通过输入/输出线接收命令CMD、地址ADDR和数据DATA。另外，竖直存储器装置5可从存储器控制器3通过控制线接收控制信号CTRL。另外，竖直存储器装置5可从存储器控制器3通过电力线接收电力PWR。图2示出了根据示例性实施例的图1的存储器系统中的竖直存储器装置的框图。参照图2，竖直存储器装置5可包括存储器单元阵列10、地址解码器20、页缓冲器电路30、数据输入输出电路40、控制电路50和电压产生电路60。存储器单元阵列10可通过串选择线SSL、多条字线WL和地选择线GSL耦接至地址解码器20。另外，存储器单元阵列10可通过多条位线BL耦接至页缓冲器电路30。存储器单元阵列10可包括耦接至所述多条字线WL和所述多条位线BL的多个非易失性存储器单元。所述多个非易失性存储器单元可布置在存储器单元阵列10中。在实施中，存储器单元阵列10可为按照三维结构(或竖直结构)形成在衬底上的三维存储器单元阵列。在这种情况下，存储器单元阵列10可包括竖直地取向以使得至少一个存储器单元位于另一存储器单元上方的竖直单元串。图3示出了图2中的存储器单元阵列的框图。参照图3，存储器单元阵列10可包括在第一方向至第三方向D1、D2和D3上延伸的多个存储器块BLK1至BLKz。在实施中，可通过图2中的地址解码器20选择存储器块BLK1至BLKz。例如，地址解码器20可选择存储器块BLK1至BLKz当中对应于块地址的存储器块BLK。图4示出了图3的存储器块之一的电路图。图4的存储器块BLKi可按照三维结构(或竖直结构)形成在衬底上。例如，包括在存储器块BLKi中的多个存储器单元串可在垂直于衬底的方向上形成。参照图4，存储器块BLKi可包括耦接在位线BL1、BL2和BL3与共源极线CSL之间的存储器单元串NS11至NS33。存储器单元串NS11至NS33中的每一个可包括串选择晶体管SST、多个存储器单元MC1至MC8和地选择晶体管GST。在实施中，如图4所示，存储器单元串NS11至NS33中的每一个可包括八个存储器单元MC1至MC8。在实施中，存储器单元串NS11至NS33中的每一个可包括任何合适数量的存储器单元。串选择晶体管SST可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种竖直存储器装置，包括：单元阵列，其包括在第二方向上彼此间隔开的多个单元区，所述多个单元区中的每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道；多条位线，其在所述第二方向上延伸，所述位线在与所述第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开；以及多个位线接触部分，其分别将所述多个竖直沟道与所述多条位线电连接，其中，所述多个单元区中的每个单元区包括被构造为在所述第二方向上电隔离该单元区的子隔离区，所述子隔离区在所述第一方向上延伸，其中，在所述单元区中的每一个中，所述多个竖直沟道根据在所述第二方向上与所述子隔离区相距的距离分为多个类型，并且其中，所述多个位线接触部分被构造为将所述多条位线中的每条位线电连接至具有不同类型的至少两个竖直沟道。

【技术特征摘要】
2017.10.11 KR 10-2017-01297621.一种竖直存储器装置，包括：单元阵列，其包括在第二方向上彼此间隔开的多个单元区，所述多个单元区中的每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道；多条位线，其在所述第二方向上延伸，所述位线在与所述第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开；以及多个位线接触部分，其分别将所述多个竖直沟道与所述多条位线电连接，其中，所述多个单元区中的每个单元区包括被构造为在所述第二方向上电隔离该单元区的子隔离区，所述子隔离区在所述第一方向上延伸，其中，在所述单元区中的每一个中，所述多个竖直沟道根据在所述第二方向上与所述子隔离区相距的距离分为多个类型，并且其中，所述多个位线接触部分被构造为将所述多条位线中的每条位线电连接至具有不同类型的至少两个竖直沟道。2.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中：所述竖直沟道布置为沿着所述第一方向形成z字形排列，并且所述z字形排列在所述第二方向上重复。3.根据权利要求2所述的竖直存储器装置，其中：所述多个单元区中的每个单元区还包括至少一个伪沟道，并且所述多个竖直沟道和所述至少一个伪沟道布置为形成所述z字形排列。4.根据权利要求3所述的竖直存储器装置，其中，所述至少一个伪沟道设置在所述多个单元区中的每个单元区的所述子隔离区中。5.根据权利要求3所述的竖直存储器装置，其中，所述至少一个伪沟道具有与所述多个竖直沟道中的每个竖直沟道的构造相同的构造。6.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中：所述单元阵列还包括至少一个隔离区，所述至少一个隔离区在所述第一方向上延伸，并且被构造为在所述第二方向上将所述多个单元区中的每个单元区电隔离，所述多个单元区包括：第一单元区，其被第一隔离区和第二隔离区隔离；以及第二单元区，其被所述第二隔离区和第三隔离区隔离，所述第一单元区包括被构造为在所述第二方向上隔离所述第一单元区的第一子隔离区，并且所述第二单元区包括被构造为在所述第二方向上隔离所述第二单元区的第二子隔离区。7.根据权利要求6所述的竖直存储器装置，其中：所述多个竖直沟道中的第一竖直沟道设置在所述第一单元区上，并且布置为相对于所述第一子隔离区成轴对称；所述多个竖直沟道中的第二竖直沟道设置在所述第二单元区上，并且布置为相对于所述第二子隔离区成轴对称；所述第一竖直沟道和所述第二竖直沟道布置为相对于所述第二隔离区成轴对称，并且至少一个第一伪沟道设置在所述第一单元区上，并且至少一个第二伪沟道设置在所述第二单元区上，并且所述至少一个第一伪沟道和所述至少一个第二伪沟道布置为相对于所述第二隔离区成轴对称。8.根据权利要求7所述的竖直存储器装置，其中：所述至少一个第一伪沟道设置在所述第一子隔离区上；所述至少一个第二伪沟道设置在所述第二子隔离区上；所述多个位线接触部分中的第一位线接触部分设置在所述第一单元区上和平行于所述第二方向的虚拟线上，并且布置为相对于所述第一子隔离区成点对称；所述多个位线接触部分中的第二位线接触部分设置在所述第二单元区上和所述虚拟线上，并且布置为相对于所述第二子隔离区成点对称；并且所述第一位线接触部分和所述第二位线接触部分布置为相对于所述第二隔离区成点对称。9.根据权利要求8所述的竖直存储器装置，其中：所述第一单元区还包括形成在所述至少一个第一伪沟道上的第一伪接触部分；并且所述第二单元区还包括形成在所述至少一个第二伪沟道上的第二伪接触部分。10.根据权利要求7所述的竖直存储器装置，其中：所述至少一个第一伪沟道设置在所述第一子隔离区上；所述至少一个第二伪沟道设置在所述第二子隔离区上；所述多个位线接触部分中的第一位线接触部分设置在所述第一单元区上和平行于所述第二方向的虚拟线上，并且布置为相对于所述第一子隔离区成点对称；所述多个位线接触部分中的第二位线接触部分设置在所述第二单元区上，并且布置为相对于所述第二子隔离区成轴对称；并且所述虚拟线上的第一位线接触部分和第二位线接触部分布置为相对于所述第二隔离区成点对称。11.根据权利要求10所述的竖直存储器装置，其中：所述第一单元区还包括形成在所述至少一个第一伪沟道上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴安洙，金成勋，郭判硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR