用于监控OLED面板蚀刻深度的测试键及OLED大板制造技术

技术编号:20922894 阅读:35 留言:0更新日期:2019-04-20 11:03
本发明专利技术公开了一种用于监控OLED面板蚀刻深度的测试键及一种OLED大板,所述测试键包括:一扫描基线区,所述扫描基线区的一膜层结构依序包括:一透光基材、一阻隔缓冲层、一主动层、第一栅极绝缘层、一第一栅极金属层、一第二栅极绝缘层、一第二栅极金属层及一层间绝缘层;及一层间绝缘层蚀刻区,相邻于所述扫描基线区,所述层间绝缘层蚀刻区的一膜层结构依序包括:所述透光基材及所述阻隔缓冲层。

Test keys and OLED panels for monitoring etching depth of OLED panels

The invention discloses a test key for monitoring the etching depth of OLED panel and an OLED board. The test key comprises a scanning baseline area. The structure of a film layer of the scanning baseline area in sequence includes a transparent substrate, a barrier buffer layer, an active layer, a first gate insulating layer, a first gate metal layer, a second gate insulating layer and a second gate metal layer. An interlayer insulating layer and an interlayer insulating layer etching area are adjacent to the scanning baseline area, and a film layer structure of the interlayer insulating layer etching area is sequentially comprised of the light transmission substrate and the barrier buffer layer.

【技术实现步骤摘要】
用于监控OLED面板蚀刻深度的测试键及OLED大板
本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键及一种OLED大板。
技术介绍
OLED面板制程中需要对各道蚀刻制程进行蚀刻深度监控,以判断蚀刻制程是否完成及是否出现蚀刻残留,传统上都是采用量测蚀刻测试键(Testkey)的方式来判断,OLED大板上均匀设有测试键,利用表面断差仪1量测膜层扫描基线区2与层间绝缘层蚀刻区3的高度差,如图1A及1B所示,箭头500为扫描路径,并通过这个高度差与标准膜层厚度相比较来判断是否出现残留。在OLED面板制程对于层间绝缘层(ILD)过孔的蚀刻监控尤为重视,ILD过孔是连接金属与主动层以形成TFT器件源漏极的,一旦出现蚀刻残留,会造成TFT器件断路。OLED面板的膜层结构含有透光基材/阻隔缓冲层(Barrier&Bufferlayer)/主动层/第一栅极绝缘层(GI1)/第一栅极金属层(GE1)/第二栅极绝缘层(GI1)/第二栅极金属层(GE2)/层间绝缘层(ILD)。请参照图1A及图1B,现有量测技术的扫描基线区2的膜层结构为透光基材/阻隔缓冲层/主动层/第一栅极绝缘层/第二栅极绝缘层/层间绝缘层,而层间绝缘层蚀刻区3的膜层结构为透光基材/阻隔缓冲层/主动层。也就是扫描基线区的GE1及GE2会被蚀刻移除,但是这样步骤存在着过刻的问题,GI1及GI2的厚度在蚀刻GE1及GE2之后会损失。如此一来,GI1及GI2的厚度将与原先设计时厚度不同,导致扫描基线区与层间绝缘层蚀刻区的高度差会产生误差,再加上过刻的程度难以精准掌控,进而使得层间绝缘层的蚀刻深度难以监控。故,有必要提供一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键及OLED大板,以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键及一种OLED大板,其中所述测试键的扫描基线区可以排除移除第一栅极金属层(GE1)与第二栅极金属层(GE2)时的过刻问题,使得GI1及GI2的厚度不会损失。藉此,避免扫描基线区与层间绝缘层蚀刻区的实际高度差值与设计时的高度差值产生误差,进而提高了层间绝缘层蚀刻监控的准确性与便捷性。为达成本专利技术的前述目的,本专利技术提供一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键,所述测试键包括:一扫描基线区,所述扫描基线区的一膜层结构依序包括:一透光基材、一阻隔缓冲层、一主动层、一第一栅极绝缘层、一第一栅极金属层、一第二栅极绝缘层、一第二栅极金属层及一层间绝缘层;及一层间绝缘层蚀刻区,相邻于所述扫描基线区,所述层间绝缘层蚀刻区的一膜层结构依序包括:所述透光基材、所述阻隔缓冲层及所述主动层。根据本专利技术一实施例,所述透光基材的材料包括玻璃或聚酰亚胺。根据本专利技术一实施例,所述层间绝缘层蚀刻区具有一层间绝缘层过孔,暴露部分所述主动层。本专利技术还提供一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键,所述测试键包括:一扫描基线区,所述扫描基线区的一膜层结构包括:一透光基材、一阻隔缓冲层设置于所述透光基材上、一主动层经图案化制程设置所述阻隔缓冲层上、一第一栅极绝缘层设置于所述主动层及所述阻隔缓冲层上、一第一栅极金属层经图案化制程设置于所述第一栅极绝缘层上、一第二栅极绝缘层设置于所述第一栅极金属层及所述第一栅极绝缘层上、一第二栅极金属层经图案化制程设置于所述第二栅极绝缘层上及一层间绝缘层设置于所述第二栅极金属层、所述第二栅极绝缘层及所述阻隔缓冲层上;及一层间绝缘层蚀刻区,相邻于所述扫描基线区,所述层间绝缘层蚀刻区暴露出部分所述主动层。根据本专利技术一实施例,所述透光基材的材料包括玻璃或聚酰亚胺。根据本专利技术一实施例,所述层间绝缘层蚀刻区的一膜层结构包括:所述透光基材、所述阻隔缓冲层及所述主动层。根据本专利技术一实施例,所述主动层的材料包括硅或多晶硅。根据本专利技术一实施例,所述层间绝缘层蚀刻区具有一层间绝缘层过孔。本专利技术还提供一种OLED大板,所述OLED大板包括:多个OLED面板,所述多个OLED面板阵列地排列;及多个测试键,用于监控所述多个OLED面板一蚀刻深度,所述多个测试键对应设置于所述多个OLED面板的周围,所述多个测试键包括:一扫描基线区,所述扫描基线区的一膜层结构依序包括:一透光基材、一阻隔缓冲层、一主动层、一第一栅极绝缘层、一第一栅极金属层、一第二栅极绝缘层、一第二栅极金属层及一层间绝缘层;及一层间绝缘层蚀刻区,相邻于所述扫描基线区,所述层间绝缘层蚀刻区的一膜层结构依序包括:所述透光基材、所述阻隔缓冲层及所述主动层。根据本专利技术一实施例,所述OLED大板更包括:多个切割道,设置于相邻的所述多个OLED面板之间,并且所述多个测试键对应设置于所述多个切割道上。本专利技术的有益效果为:改进了现有OLED大板上的层间绝缘层过孔的蚀刻测试键,扫描基线区具有第一栅极金属层GE1及第二栅极金属层GE2,排除移除第一栅极金属层GE1及第二栅极金属层GE2时的过刻问题,使得第一栅极绝缘层GI1及第二栅极绝缘层GI2的厚度不会损失。藉此,避免扫描基线区与层间绝缘层蚀刻区的实际高度差值与设计时的高度差值产生误差,进而提高了层间绝缘层蚀刻监控的准确性与便捷性。附图说明为让本专利技术的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:图1A是现有技术测试键的上视图。图1B是现有技术测试键的剖视图。图2是本专利技术的一种OLED大板的上视图。图3A是本专利技术的一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键上视图。图3B是本专利技术的一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键的剖视图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者,本专利技术所提到的方向用语,例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。在本文中,用语包含(comprise,comprising,include,including,contain,containing,have,having)及其变化,都可以解释为包含的意义(非独有的),使得本文中描述的步骤(process)、方法(method)、装置(device)、设备(apparatus)或系统(system)不限定于这些功能、部分、元件或步骤的叙述,但可能包含其他元件、功能、部分或步骤未明确列出或存在这样的步骤(process)、方法(method)、物品(article)或设备(apparatus)。此外,除非另有明确规定,用语一(a、an)在本文所用的目的是被理解为是指一个或多个。另外,用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用,并没有强加数字要求或建立顺序。请参照图1A及图1B,图1A是现有技术测试键的上视图,而图1B是现有技术测试键的剖视图。现有OLED面板的膜层结构依序为透光基材110/阻隔缓冲层120/主动层130/第一栅极绝缘层140/第一栅极金属层(未绘示)/第二栅极绝缘层160/第二栅极金属层(未绘示)/层间绝缘层180。现有技术的问题在于,现有测试键的扫描基线区2及层本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键,其特征在于:所述测试键包括:一扫描基线区,所述扫描基线区的一膜层结构依序包括:一透光基材、一阻隔缓冲层、一主动层、第一栅极绝缘层、一第一栅极金属层、一第二栅极绝缘层、一第二栅极金属层及一层间绝缘层;及一层间绝缘层蚀刻区,相邻于所述扫描基线区,所述层间绝缘层蚀刻区的一膜层结构依序包括:所述透光基材、所述阻隔缓冲层及所述主动层。

【技术特征摘要】
1.一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键,其特征在于:所述测试键包括:一扫描基线区,所述扫描基线区的一膜层结构依序包括:一透光基材、一阻隔缓冲层、一主动层、第一栅极绝缘层、一第一栅极金属层、一第二栅极绝缘层、一第二栅极金属层及一层间绝缘层;及一层间绝缘层蚀刻区,相邻于所述扫描基线区,所述层间绝缘层蚀刻区的一膜层结构依序包括:所述透光基材、所述阻隔缓冲层及所述主动层。2.如权利要求1所述的测试键,其特征在于:所述透光基材的材料包括玻璃或聚酰亚胺。3.如权利要求1所述的测试键,其特征在于:所述层间绝缘层蚀刻区具有一层间绝缘层过孔,暴露部分所述主动层。4.一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键,其特征在于:所述测试键包括:一扫描基线区,所述扫描基线区的一膜层结构包括:一透光基材、一阻隔缓冲层设置于所述透光基材上、一主动层经图案化制程设置所述阻隔缓冲层上、一第一栅极绝缘层设置于所述主动层及所述阻隔缓冲层上、一第一栅极金属层经图案化制程设置于所述第一栅极绝缘层上、一第二栅极绝缘层设置于所述第一栅极金属层及所述第一栅极绝缘层上、一第二栅极金属层经图案化制程设置于所述第二栅极绝缘层上及一层间绝缘层设置于所述第二栅极金属层、所述第二栅极绝缘层及所述阻隔缓冲层上;及一层间绝缘层蚀刻区,相邻于所述扫描...

【专利技术属性】
技术研发人员:卜呈浩
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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