The invention discloses a test key for monitoring the etching depth of OLED panel and an OLED board. The test key comprises a scanning baseline area. The structure of a film layer of the scanning baseline area in sequence includes a transparent substrate, a barrier buffer layer, an active layer, a first gate insulating layer, a first gate metal layer, a second gate insulating layer and a second gate metal layer. An interlayer insulating layer and an interlayer insulating layer etching area are adjacent to the scanning baseline area, and a film layer structure of the interlayer insulating layer etching area is sequentially comprised of the light transmission substrate and the barrier buffer layer.
【技术实现步骤摘要】
用于监控OLED面板蚀刻深度的测试键及OLED大板
本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键及一种OLED大板。
技术介绍
OLED面板制程中需要对各道蚀刻制程进行蚀刻深度监控,以判断蚀刻制程是否完成及是否出现蚀刻残留,传统上都是采用量测蚀刻测试键(Testkey)的方式来判断,OLED大板上均匀设有测试键,利用表面断差仪1量测膜层扫描基线区2与层间绝缘层蚀刻区3的高度差,如图1A及1B所示,箭头500为扫描路径,并通过这个高度差与标准膜层厚度相比较来判断是否出现残留。在OLED面板制程对于层间绝缘层(ILD)过孔的蚀刻监控尤为重视,ILD过孔是连接金属与主动层以形成TFT器件源漏极的,一旦出现蚀刻残留,会造成TFT器件断路。OLED面板的膜层结构含有透光基材/阻隔缓冲层(Barrier&Bufferlayer)/主动层/第一栅极绝缘层(GI1)/第一栅极金属层(GE1)/第二栅极绝缘层(GI1)/第二栅极金属层(GE2)/层间绝缘层(ILD)。请参照图1A及图1B,现有量测技术的扫描基线区2的膜层结构为透光基材/阻隔缓冲层/主动层/第一栅极绝缘层/第二栅极绝缘层/层间绝缘层,而层间绝缘层蚀刻区3的膜层结构为透光基材/阻隔缓冲层/主动层。也就是扫描基线区的GE1及GE2会被蚀刻移除,但是这样步骤存在着过刻的问题,GI1及GI2的厚度在蚀刻GE1及GE2之后会损失。如此一来,GI1及GI2的厚度将与原先设计时厚度不同,导致扫描基线区与层间绝缘层蚀刻区的高度差会产生误差,再加上过刻的程度难以精准掌控,进而使得层 ...
【技术保护点】
1.一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键,其特征在于:所述测试键包括:一扫描基线区,所述扫描基线区的一膜层结构依序包括:一透光基材、一阻隔缓冲层、一主动层、第一栅极绝缘层、一第一栅极金属层、一第二栅极绝缘层、一第二栅极金属层及一层间绝缘层;及一层间绝缘层蚀刻区,相邻于所述扫描基线区,所述层间绝缘层蚀刻区的一膜层结构依序包括:所述透光基材、所述阻隔缓冲层及所述主动层。
【技术特征摘要】
1.一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键,其特征在于:所述测试键包括:一扫描基线区,所述扫描基线区的一膜层结构依序包括:一透光基材、一阻隔缓冲层、一主动层、第一栅极绝缘层、一第一栅极金属层、一第二栅极绝缘层、一第二栅极金属层及一层间绝缘层;及一层间绝缘层蚀刻区,相邻于所述扫描基线区,所述层间绝缘层蚀刻区的一膜层结构依序包括:所述透光基材、所述阻隔缓冲层及所述主动层。2.如权利要求1所述的测试键,其特征在于:所述透光基材的材料包括玻璃或聚酰亚胺。3.如权利要求1所述的测试键,其特征在于:所述层间绝缘层蚀刻区具有一层间绝缘层过孔,暴露部分所述主动层。4.一种用于监控一OLED面板一蚀刻深度的测试键,其特征在于:所述测试键包括:一扫描基线区,所述扫描基线区的一膜层结构包括:一透光基材、一阻隔缓冲层设置于所述透光基材上、一主动层经图案化制程设置所述阻隔缓冲层上、一第一栅极绝缘层设置于所述主动层及所述阻隔缓冲层上、一第一栅极金属层经图案化制程设置于所述第一栅极绝缘层上、一第二栅极绝缘层设置于所述第一栅极金属层及所述第一栅极绝缘层上、一第二栅极金属层经图案化制程设置于所述第二栅极绝缘层上及一层间绝缘层设置于所述第二栅极金属层、所述第二栅极绝缘层及所述阻隔缓冲层上;及一层间绝缘层蚀刻区,相邻于所述扫描...
【专利技术属性】
技术研发人员:卜呈浩,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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