OLED面板和测量OLED面板的电信号的方法技术

本发明专利技术提供一种OLED面板和一种测量OLED面板的电信号的方法。所述OLED面板包括：基板；位于所述基板中央的显示区；于所述显示区的左侧和右侧的栅极驱动阵列电路；位于所述显示区下方的控制芯片，所述栅极驱动阵列电路通过金属走线与所述控制芯片连接；位于所述显示区和控制芯片之间，用于电连接所述显示区和控制芯片的驱动信号传递区；以及，位于所述任意一个栅极驱动阵列电路的任意一端的电信号测量端口，所述电信号测量端口包括第一连接端和第二连接端，所述第一连接端和所述第二连接端彼此电绝缘；其中，所述电信号测量端口还包括导电涂层，所述导电涂层用于覆盖且仅覆盖所述第一金属插塞、所述第二金属插塞以及其之间的区域。

The Method of Measuring the Electrical Signal of OLED Panel and OLED Panel

The invention provides an OLED panel and a method for measuring the electrical signal of the OLED panel. The OLED panel includes: a substrate; a display area in the center of the substrate; a gate drive array circuit on the left and right sides of the display area; a control chip under the display area, which is connected with the control chip through a metal line; and a display area and a control chip for electrically connecting the display area and the control core. The driving signal transfer area of the chip; and the electric signal measurement port at any end of the gate drive array circuit, which includes the first connection end and the second connection end, the first connection end and the second connection end are electrically insulated from each other; in which the electric signal measurement port also includes a conductive coating, the conductive coating is used for cladding. The cover only covers the first metal plug, the second metal plug and the area between them.

【技术实现步骤摘要】
OLED面板和测量OLED面板的电信号的方法
本专利技术涉及电子显示领域，尤其涉及一种OLED面板和测量OLED面板的电信号的方法。
技术介绍
OLED面板的通过薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)来控制显示像素。薄膜晶体管的电学特性容易因生产线的制程或环境变化而发生改变，从而影响OLED面板的显示效果。监控OLED面板上电路的实际电信号对于提升OLED面板的显示效果具有重要意义。目前还没有一种能够实时测量OLED面板的电信号的技术方案。
技术实现思路
本专利技术提供一种OLED面板和测量OLED面板的电信号的方法，以提供一种能够实时测量OLED面板的电信号的技术方案。具体的，本专利技术提供一种OLED面板，所述OLED面板包括：基板；位于所述基板中央的显示区；位于所述显示区的左侧和右侧的栅极驱动阵列电路；位于所述显示区下方的控制芯片，所述栅极驱动阵列电路通过金属走线与所述控制芯片连接；位于所述显示区和控制芯片之间，用于电连接所述显示区和控制芯片的驱动信号传递区；以及，位于所述任意一个栅极驱动阵列电路的任意一端的电信号测量端口，所述电信号测量端口包括与所述栅极驱动阵列电路电连接的第一连接端和与外部测量电路相电连接的第二连接端，所述第一连接端和所述第二连接端彼此电绝缘；其中，所述电信号测量端口还包括导电涂层，所述导电涂层用于覆盖且仅覆盖所述第一金属插塞、所述第二金属插塞以及所述第一金属插塞和第二金属插塞之间的区域，使所述电绝缘的第一金属插塞和第二金属插塞实现电连接。根据本专利技术的其中一个方面，所述第一连接端包括：与所述栅极驱动阵列电路电连接的第一金属走线和与所述第一金属走线电连接的第一金属插塞；其中，所述第一金属走线位于所述基板的绝缘层中；所述第一金属插塞的一端与所述第一金属走线电连接，另一端穿透所述第一金属走线所在的绝缘层，暴露在所述基板表面。根据本专利技术的其中一个方面，所述第一金属插塞暴露在所述基板表面的部分的表面积小于或等于1μm2。根据本专利技术的其中一个方面，所述第二连接端包括：与外部测量电路电连接的测量衬垫、与所述测量衬垫电连接的第二金属走线和与所述第二金属走线电连接的第二金属插塞；其中，所述第二金属走线位于所述基板的绝缘层中；所述第二金属插塞的一端与所述第二金属走线电连接，另一端穿透所述第二金属走线所在的绝缘层，暴露在所述基板表面。根据本专利技术的其中一个方面，所述第二金属插塞暴露在所述基板表面的部分的表面积小于或等于1μm2，所述第一金属插塞的几何中心点和所述第二金属插塞的几何中心点至今的直线距离大于或等于5μm。根据本专利技术的其中一个方面，所述导电涂层通过局部涂抹导电银胶和/或局部金属线路沉积形成，当完成电信号测量后，所述导电涂层通过激光切割的方法被去除，切断所述第一金属插塞和第二金属插塞之间的导电通路。相应的，本专利技术还提供了一种测量OLED面板的电信号的方法，其特征在于，该方法包括：提供OLED面板，所述面板包括基板、位于所述基板中央的显示区、位于所述显示区的左侧和右侧的栅极驱动阵列电路、位于所述显示区下方的控制芯片、位于所述显示区和控制芯片之间用于电连接所述显示区和控制芯片的驱动信号传递区、以及位于所述任意一个栅极驱动阵列电路的任意一端的电信号测量端口；所述电信号测量端口包括与所述栅极驱动阵列电路电连接的第一连接端和与外部测量电路相电连接的第二连接端，所述第一连接端和所述第二连接端彼此电绝缘；形成覆盖且仅覆盖所述第一连接端和第二连接端的导电涂层，使所述第一连接端和第二连接端电连接；将外部测量电路通过所述第二连接端与所述OLED面板相连接，获取OLED面板的电信号；去除所述导电涂层，切断所述第一金属插塞和第二金属插塞之间的导电通路。根据本专利技术的其中一个方面，所述第一连接端包括：与所述栅极驱动阵列电路电连接的第一金属走线和与所述第一金属走线电连接的第一金属插塞；其中，所述第一金属走线位于所述基板的绝缘层中；所述第一金属插塞的一端与所述第一金属走线电连接，另一端穿透所述第一金属走线所在的绝缘层，暴露在所述基板表面；所述第二连接端包括：与外部测量电路电连接的测量衬垫、与所述测量衬垫电连接的第二金属走线和与所述第二金属走线电连接的第二金属插塞；其中，所述第二金属走线位于所述基板的绝缘层中；所述第二金属插塞的一端与所述第二金属走线电连接，另一端穿透所述第二金属走线所在的绝缘层，暴露在所述基板表面。根据本专利技术的其中一个方面，所述第一金属插塞和第二金属插塞暴露在所述基板1表面的部分的表面积小于或等于1μm2，所述第一金属插塞的几何中心点和所述第二金属插塞的几何中心点至今的直线距离大于或等于5μm。根据本专利技术的其中一个方面，所述导电涂层通过局部涂抹导电银胶和/或局部金属线路沉积形成，当完成电信号测量后，所述导电涂层通过激光切割的方法被去除，切断所述第一金属插塞和第二金属插塞之间的导电通路。本专利技术提出了一种OLED面板和一种测量OLED面板的电信号的方法。本专利技术在OLED面板上的特定电路区引出与外部测量电路绝缘的测量端点，测量端点附近设置有外部测量电路。由于所述第一连接端和第二连接端电绝缘，因此所述测量电路和外界线路不会影响OLED电路的工作。当需要测量OLED面板的电信号时，通过局部区域涂抹导电银胶或局部区域金属线路沉积的方法可将所述第一连接端和第二连接端连接，使面板上的电信号能被读出，从而能够实时测量OLED面板的电信号。附图说明图1为本专利技术的一个具体实施方式中的OLED面板的结构示意图；图2本专利技术的另一个具体实施方式中的OLED面板的结构示意图；图3为图2中的电信号测量端口的具体结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。下面将结合附图对本专利技术进行详细说明。具体的，本专利技术提供一种OLED面板和测量OLED面板的电信号的方法，以提供一种能够实时测量OLED面板的电信号的技术方案。参见图1和图2，图1为本专利技术的一个具体实施方式中的OLED面板的结构示意图，此时所述第一连接端6和所述第二连接端7彼此电绝缘；图2本专利技术的另一个具体实施方式中的OLED面板的结构示意图，此时所述第一连接端6和所述第二连接端7通过导电涂层9实现电连接。在本实施例中，所述OLED面板包括：基板1；位于所述基板1中央的显示区3；位于所述显示区3的左侧和右侧的栅极驱动阵列电路2；位于所述显示区3下方的控制芯片5，所述栅极驱动阵列电路2通过金属走线与所述控制芯片5连接；位于所述显示区3和控制芯片5之间，用于电连接所述显示区3和控制芯片5的驱动信号传递区4；以及，位于所述任意一个栅极驱动阵列电路2的任意一端的电信号测量端口，所述电信号测量端口包括与所述栅极驱动阵列电路2电连接的第一连接端6和与外部测量电路相电连接的第二连接端7，所述第一连接端6和所述第二连接端7彼此电绝缘；其中，所述电信号测量端口还包括导电涂层9，所述导电涂层9用于覆盖且仅覆盖所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED面板，其特征在于，包括：基板；位于所述基板中央的显示区；位于所述显示区的左侧和右侧的栅极驱动阵列电路；位于所述显示区下方的控制芯片，所述栅极驱动阵列电路通过金属走线与所述控制芯片连接；位于所述显示区和控制芯片之间，用于电连接所述显示区和控制芯片的驱动信号传递区；以及，位于所述任意一个栅极驱动阵列电路的任意一端的电信号测量端口，所述电信号测量端口包括与所述栅极驱动阵列电路电连接的第一连接端和与外部测量电路相电连接的第二连接端，所述第一连接端和所述第二连接端彼此电绝缘；其中，所述电信号测量端口还包括导电涂层，所述导电涂层用于覆盖且仅覆盖所述第一金属插塞、所述第二金属插塞以及所述第一金属插塞和第二金属插塞之间的区域，使所述电绝缘的第一金属插塞和第二金属插塞实现电连接。

【技术特征摘要】
1.一种OLED面板，其特征在于，包括：基板；位于所述基板中央的显示区；位于所述显示区的左侧和右侧的栅极驱动阵列电路；位于所述显示区下方的控制芯片，所述栅极驱动阵列电路通过金属走线与所述控制芯片连接；位于所述显示区和控制芯片之间，用于电连接所述显示区和控制芯片的驱动信号传递区；以及，位于所述任意一个栅极驱动阵列电路的任意一端的电信号测量端口，所述电信号测量端口包括与所述栅极驱动阵列电路电连接的第一连接端和与外部测量电路相电连接的第二连接端，所述第一连接端和所述第二连接端彼此电绝缘；其中，所述电信号测量端口还包括导电涂层，所述导电涂层用于覆盖且仅覆盖所述第一金属插塞、所述第二金属插塞以及所述第一金属插塞和第二金属插塞之间的区域，使所述电绝缘的第一金属插塞和第二金属插塞实现电连接。2.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述第一连接端包括：与所述栅极驱动阵列电路电连接的第一金属走线和与所述第一金属走线电连接的第一金属插塞；其中，所述第一金属走线位于所述基板的绝缘层中；所述第一金属插塞的一端与所述第一金属走线电连接，另一端穿透所述第一金属走线所在的绝缘层，暴露在所述基板表面。3.根据权利要求2所述的OLED面板，其特征在于，所述第一金属插塞暴露在所述基板表面的部分的表面积小于或等于1μm2。4.根据权利要求2所述的OLED面板，其特征在于，所述第二连接端包括：与外部测量电路电连接的测量衬垫、与所述测量衬垫电连接的第二金属走线和与所述第二金属走线电连接的第二金属插塞；其中，所述第二金属走线位于所述基板的绝缘层中；所述第二金属插塞的一端与所述第二金属走线电连接，另一端穿透所述第二金属走线所在的绝缘层，暴露在所述基板表面。5.根据权利要求4所述的OLED面板，其特征在于，所述第二金属插塞暴露在所述基板表面的部分的表面积小于或等于1μm2，所述第一金属插塞的几何中心点和所述第二金属插塞的几何中心点至今的直线距离大于或等于5μm。6.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述导电涂层通过局部涂抹导电银胶和/或局部金属线路沉积形成，当完成电信号测量后，所述导电涂层通过激光切割的方法被去除，切断所述第一金属插塞和...

【专利技术属性】
技术研发人员：付宝琴，虞晓江，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42